2017年的MOS-AK 器件模型國際會議于6月29-30日在美麗的杭州舉辦，會議得到了當(dāng)?shù)亟M織方杭州電子科大的積極支持和配合，籌備工作非常順利，MOS-AK組委會也非常期待半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的朋友來參加這個會議，因為器件模型是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié)，需要大家一起來扶持和幫助。通過一段時間的積累，相信大家能看到通過模型產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自身會擁有更多核心價值。

這次會議有幾個邀請報告，在這里，我們先向大家介紹一下這些報告的主要亮點，喜歡的朋友不要錯過。

1. Beyond 100GHz: Device characterization for THz applications(IMS-Lab)

報告的內(nèi)容基于歐盟項目的結(jié)果，主要介紹在100GHz 以上的 on-wafer 校準(zhǔn)，去嵌，測試結(jié)構(gòu)方面必須注意的事項：比如探針接觸，探針位置，機械性探針變形和探針之間的耦合對測量的影響等。這個對高頻電路設(shè)計公司非常有意義，因為設(shè)計仿真結(jié)果和流片的不匹配是經(jīng)常發(fā)生的事情，需要在測試結(jié)構(gòu)設(shè)計，測量知識方面就打好基礎(chǔ)。

2. Latest improvments in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities (UMS-GaAs)

此篇報告主要介紹UMS在運用Dr. C.Chang 創(chuàng)新的III-V 器件模型方程的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了對GaN和GaAsNon-Linear 特性的描述，同時也包括了頻率離散現(xiàn)象，比如自熱和電荷陷阱現(xiàn)象。新的擴展方程保證了對于不同尺寸的器件能夠有比較準(zhǔn)確可靠的模擬結(jié)果，也在PA， LNA等的設(shè)計中得到驗證。 除了非線性模型，ADS PDK 也包含了DRC，3D 演示（for momentum simulation)，更多的PDK 方面的改善也會在報告中提到。這個報告內(nèi)容對III-V設(shè)計公司和科研院所是非常有意義的。

3.Surface Potential Based Compact Model for Thin Film Transistor (IME Chinese academy)

此篇報告運用了基于物理基礎(chǔ)的surface potential model對TFT器件進(jìn)行了研究。 對TFT器件的模型描述在模型界一直是難點，主要原因是TRAP的影響對器件性能變化非常大。本篇報告通過新模型的開發(fā)和應(yīng)用，真正的實現(xiàn)了在RFID應(yīng)用方面的驗證，使設(shè)計人員能夠比較準(zhǔn)確預(yù)判電路的特性和結(jié)果。這個報告也充分顯示了模型對于電路設(shè)計的核心價值。

4. A New Compact Model for FinFETs Accommodating Inner Thermal Effect (Hangzhou dianzi University)

隨著工藝節(jié)點的減小，F(xiàn)inFET的新結(jié)構(gòu)也越來越受人關(guān)注，不僅在數(shù)字應(yīng)用方面，RF也有應(yīng)用。 由于器件非常小，自熱效應(yīng)明顯，為了描述此現(xiàn)象，一個新型的小信號bulk FinFET模型 應(yīng)運而生。 這個模型在SMIC 14nm bulk FinFET 上得到了驗證，仿真和硅片數(shù)據(jù)在100Khz-50.2GHz 之間取得了很好的一致。這為后續(xù)設(shè)計人員設(shè)計新型電路打好了扎實的基礎(chǔ)。沒有好的器件模型，設(shè)計人員的效率會變的低下和無效。

5. Radiation Hardening of Memory Products （Cypress semiconductor)

防輻射對于某些產(chǎn)品來說一直是頭疼的問題。在這篇報告中，作者對輻射環(huán)境和安全操作的內(nèi)存產(chǎn)品在衛(wèi)星應(yīng)用中的挑戰(zhàn)做了概述。討論了基本輻射對單個晶體管水平的影響以及空間輻射效應(yīng)對產(chǎn)品級的影響，也討論易失性和非易失性內(nèi)存技術(shù)。 特別是電離總劑量（TID）對在65nm CMOS基于SONOS NOR閃存的非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保留行為的影響?；谟^測到的輻射效應(yīng)，報告最后提出了如何使器件仿真通向電路級輻射效應(yīng)仿真的方法和建議。

除了上述邀請報告，我們也有來自很多來自工業(yè)界，學(xué)術(shù)界一年來在模型方面的研究和進(jìn)展報告，他們是Keysight, NXP，Synopsys，HHGRACE ，Qinhuang University, HIWAFER，THz R&D institute, SIMIT, Silicon Radar, Cogenda等，特別是Silicon Radar 會給大家?guī)磲槍τ谀壳盁衢T的77GHz, 122GHz雷達(dá)芯片系統(tǒng)設(shè)計方面的系統(tǒng)模型經(jīng)驗。 感興趣的朋友，如果想報名或者了解會議報告內(nèi)容可以參考微信左下角的閱讀原文或者到http://www.xmodtech.cn/Agenda 。

最后歡迎大家積極參加國內(nèi)舉辦的MOS-AK器件模型國際會議，一起為這個有意義的活動加油鼓勁，讓模型這個被很多人忽視的產(chǎn)業(yè)重新獲得重視，讓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得更多和國外半導(dǎo)體競爭的核心價值。