哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

上海新陽表示ARF193nm光刻膠配套的光刻機(jī)預(yù)計(jì)12月底到貨

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2019-12-04 15:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,上海新陽在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示,公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機(jī)已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,ARF193nm光刻膠配套的光刻機(jī)預(yù)計(jì)12月底到貨。

上海新陽指出,ARF193nm光刻膠是芯片制造進(jìn)入90nm銅互聯(lián)制程后最重要的主流光刻膠產(chǎn)品,一直是國(guó)內(nèi)空白。公司研發(fā)該款光刻膠意在填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白,實(shí)現(xiàn)芯片制造在關(guān)鍵工藝技術(shù)和材料技術(shù)的自主可控。經(jīng)過近三年的研發(fā),關(guān)鍵技術(shù)已有重大突破,已從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)研發(fā)。

光刻膠技術(shù)作為上海新陽核心戰(zhàn)略突破口,上海新陽已經(jīng)確定在未來5-10年,將集中各種資源,對(duì)國(guó)內(nèi)尚屬空白的各類高端半導(dǎo)體光刻膠和光刻膠配套材料進(jìn)行研發(fā),逐步形成公司第三大核心技術(shù)-電子光刻技術(shù)。

目前,新引進(jìn)的技術(shù)專家團(tuán)隊(duì)已到位,各品類研發(fā)在正常進(jìn)行,各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)均有突破。其中,KRF光刻膠配套的光刻機(jī)已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,預(yù)計(jì)明年上半年開始中試。
責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31236

    瀏覽量

    266529
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    357

    瀏覽量

    31857
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    中國(guó)打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī),更需要EUV
    的頭像 發(fā)表于 10-28 08:53 ?7045次閱讀

    臺(tái)階儀在集成電路制造中的應(yīng)用:高端光刻膠材料純化研究進(jìn)展

    隨著集成電路制程節(jié)點(diǎn)不斷向納米尺度邁進(jìn),光刻技術(shù)已從紫外全譜(g線、i線)發(fā)展到深紫外(KrF、ArF)乃至極紫外(EUV)光源。光刻膠作為光刻工藝的核心材料,其純度直接影響
    的頭像 發(fā)表于 03-20 18:05 ?144次閱讀
    臺(tái)階儀在集成電路制造中的應(yīng)用:高端<b class='flag-5'>光刻膠</b>材料純化研究進(jìn)展

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn):濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?2452次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn),為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?2009次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監(jiān)測(cè)方法

    EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展

    這一突破的核心力量。 ? 然而,EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途,其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷,這對(duì)配套光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力,還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度
    的頭像 發(fā)表于 08-17 00:03 ?5094次閱讀

    國(guó)產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動(dòng)

    量產(chǎn)到ArF浸沒式驗(yàn)證,從樹脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破,一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠
    的頭像 發(fā)表于 07-13 07:22 ?7458次閱讀

    針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:19 ?1296次閱讀
    針對(duì)晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
    的頭像 發(fā)表于 06-24 10:58 ?948次閱讀
    金屬低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發(fā)表于 06-18 09:56 ?1062次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?949次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
    的頭像 發(fā)表于 06-16 09:31 ?971次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?1056次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠產(chǎn)業(yè)國(guó)內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發(fā)表于 06-04 13:22 ?1817次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1529次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測(cè)量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?1.1w次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性
    安乡县| 江西省| 渝中区| 叙永县| 平和县| 宾川县| 温州市| 壤塘县| 洛隆县| 东光县| 依兰县| 吉林市| 岳西县| 齐河县| 高陵县| 高阳县| 黄浦区| 从江县| 喜德县| 象州县| 江永县| 蓬莱市| 响水县| 杭锦后旗| 台州市| 灯塔市| 洪洞县| 石柱| 贵南县| 景洪市| 博白县| 资兴市| 盘锦市| 广安市| 慈利县| 探索| 乡城县| 池州市| 宜兰市| 新泰市| 杭锦旗|