MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過熱。

MOS管驅(qū)動(dòng)電路

MOS管分為N溝道與P溝道兩種，N溝道用于電源負(fù)極的控制，P溝道用于電源正極的控制，兩者直接的控制信號(hào)電壓也存在區(qū)別。對(duì)于NMOS來講，當(dāng)柵極與源極的電壓超過一定電壓閾值的之后就會(huì)導(dǎo)通，PMOS與之相反。

NMOS與PMOS還有一點(diǎn)比較大的區(qū)別，NMOS的導(dǎo)通內(nèi)阻一般比PMOS要小一些，并且制造成本性對(duì)較低，所以在功率較大的控制場(chǎng)合，一般會(huì)選用NMOS，當(dāng)然也要根據(jù)控制電路的邏輯關(guān)系進(jìn)行選擇。以NMOS為例，當(dāng)Vgs大于最小控制電壓閾值時(shí)，MOS管會(huì)導(dǎo)通，但是其導(dǎo)通內(nèi)阻無法達(dá)到最小設(shè)計(jì)值，所以想要保證其導(dǎo)通內(nèi)阻，就要有足夠的控制驅(qū)動(dòng)電壓。

上圖是常用N溝道MOS管AO4468參數(shù)手冊(cè)中給出的導(dǎo)通內(nèi)阻參考值，當(dāng)控制電壓4.5V的時(shí)候，導(dǎo)通內(nèi)阻小于22mΩ；控制電壓10V時(shí)，導(dǎo)通內(nèi)阻小于14mΩ，從這個(gè)參數(shù)上能夠看出，不同的驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通內(nèi)阻是存在一定差別的。

單片機(jī)如何驅(qū)動(dòng)MOS管

常用的單片機(jī)一般分為5V單片機(jī)與3V單片機(jī)，單片機(jī)的IO口輸出的高電平電壓最高是可以接近電源電壓的，但會(huì)比電源電壓小一些。由于三極管是電流驅(qū)動(dòng)型的元件，所以不需要太高的驅(qū)動(dòng)電壓就可以飽和導(dǎo)通，而對(duì)于MOS管來講，根據(jù)不同型號(hào)參數(shù)的，導(dǎo)通電壓會(huì)有差別，單片機(jī)IO能夠輸出的電壓，對(duì)于大部分的MOS管來講是達(dá)不到其導(dǎo)通條件的。

所以在單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS的電路中，通常會(huì)采用三極管作為前級(jí)驅(qū)動(dòng)，由電源電壓驅(qū)動(dòng)MOS管開啟，有些開啟電壓較高的MOS管，還會(huì)提高驅(qū)動(dòng)電壓，而不使用單片機(jī)的5V供電，比如12V、15V等等。

所以單片機(jī)不能直接驅(qū)動(dòng)MOS管的主要原因是驅(qū)動(dòng)能力的問題，單片機(jī)的IO輸出的電壓達(dá)不到MOS管的導(dǎo)通條件，或者達(dá)不到飽和導(dǎo)通的條件。