哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新興存儲(chǔ)器能否開(kāi)辟一片全新的天地?

我快閉嘴 ? 來(lái)源:科技行者 ? 作者:科技行者 ? 2020-10-09 09:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

新興存儲(chǔ)器已經(jīng)存在了數(shù)十年之久。盡管有些人發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)已經(jīng)在商業(yè)層面取得了一定成功,但其仍然落后于離散存儲(chǔ)器所代表的高性價(jià)比解決方案。換言之,前者雖然具備更強(qiáng)大的性能、持久性、保留性或者更優(yōu)秀的運(yùn)轉(zhuǎn)功耗,但仍不足以彌合價(jià)格成本方面的差距。

當(dāng)下,正是討論新興存儲(chǔ)器技術(shù)的最好時(shí)機(jī)。數(shù)十年以來(lái),眾多廠商都在致力于取代DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)解決方案,并借此將老牌勁旅們趕下神壇。

但是,新興存儲(chǔ)器真能開(kāi)辟一片全新的天地嗎?盡管摩爾定律正面臨著嚴(yán)峻挑戰(zhàn),突破性研究也確實(shí)帶來(lái)了不少令人眼前一亮的全新專利,但DRAM與NAND技術(shù)本身也在不斷發(fā)展。換句話說(shuō),這些替代對(duì)象并沒(méi)有停下前進(jìn)的腳步。而作為后起之秀的MRAM、ReRAM、FRAM以及PCRAM雖然在汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算、傳感器節(jié)點(diǎn)乃至AI機(jī)器學(xué)習(xí)等全新場(chǎng)景中頗具熱度,但卻總是受到兩大致命短板的約束——可靠性與使用壽命。

實(shí)際上,下一代存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)技術(shù)并無(wú)區(qū)別,都需要在特定的應(yīng)用領(lǐng)域下討論其發(fā)展機(jī)遇。但是,為什么傳統(tǒng)技術(shù)能夠在規(guī)模較小的細(xì)分市場(chǎng)中仍然獲得了可觀的利潤(rùn)率?因?yàn)閭鹘y(tǒng)系統(tǒng)往往正是特定問(wèn)題的最佳解決方案。

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)最早誕生于上世紀(jì)八十年代,并被推廣為通用型存儲(chǔ)器。與其他存儲(chǔ)技術(shù)不同,MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性元素,而非電荷或電流。在性能方面,由于使用充足的寫入電流,因此MRAM的表現(xiàn)與SRAM基本類似。但這種對(duì)供電能力的高度依賴,也阻礙了其在高寫入密度下與DRAM及閃存展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)的能力。

盡管Everspin等MRAM先驅(qū)已經(jīng)在嵌入式應(yīng)用的離散市場(chǎng)中取得了一定成功,甚至證明其足以滿足車載應(yīng)用環(huán)境提出的嚴(yán)苛要求,但MRAM本身無(wú)疑仍是一種小眾性質(zhì)的存儲(chǔ)器方案。

同樣地,電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)尚未發(fā)展出可行的離散存儲(chǔ)器產(chǎn)品,甚至在嵌入式市場(chǎng)上的應(yīng)用也仍然有限。最近被Dialog Semiconductor收購(gòu)的Adesto Technologies是首批通過(guò)CBRAM技術(shù)向市場(chǎng)推出商用ReRAM器件的廠商之一。與傳統(tǒng)嵌入式閃存技術(shù)相比,ReRAM的主要優(yōu)勢(shì)包括功耗更低、處理步驟更小且額定電壓更低等。此外,ReRAM還具備在太空及醫(yī)療場(chǎng)景下使正常工作的良好輻射耐受性。

過(guò)去二十年以來(lái),已經(jīng)有多家公司在開(kāi)發(fā)ReRAM技術(shù),但該方法仍在集成與可靠性等方面存在一定挑戰(zhàn)。與磁阻技術(shù)一樣,ReRAM供應(yīng)商已經(jīng)在開(kāi)發(fā)嵌入式ReRAM器件方面取得一定進(jìn)展,能夠分?jǐn)偛糠珠_(kāi)發(fā)成本。Weebit Nano與研究合作伙伴L(zhǎng)eti聯(lián)手,于2019年末宣布將加大對(duì)選擇器課題的攻堅(jiān)力度,努力推動(dòng)離解ReRAM獲得商業(yè)可行性。同時(shí),他們還將繼續(xù)探索這種存儲(chǔ)器技術(shù)在神經(jīng)形態(tài)與AI應(yīng)用場(chǎng)景中的潛力。公司CEO Coby Hanoch此前曾在采訪中表示,Weebit目前仍是一家存儲(chǔ)器初創(chuàng)企業(yè),需要首先從嵌入式產(chǎn)品中建立穩(wěn)定的收入流,而后才可能在其他領(lǐng)域取得進(jìn)步。

Weebit Nano公司的ReRAM技術(shù)使用兩個(gè)金屬層,中間則由氧化硅層隔開(kāi),因此能夠使用現(xiàn)有生產(chǎn)線及材料直接制造

Weebit公司ReRAM技術(shù)的主要競(jìng)爭(zhēng)力,在于其能夠直接利用現(xiàn)有生產(chǎn)線及材料直接制造。

而作為尋求離散存儲(chǔ)技術(shù)新方向的另一股重要力量,則是鐵電存儲(chǔ)器(FRAM),其使用鐵電替代介電層以實(shí)現(xiàn)非易失性。雖然制造流程類似于DRAM,但FRAM的功能特性其實(shí)更接近于傳統(tǒng)閃存。

FRAM可以說(shuō)是最成功的一類新興存儲(chǔ)器,而且已經(jīng)在嵌入式應(yīng)用場(chǎng)景中取得不錯(cuò)的進(jìn)展,亦有可能迎來(lái)更高的密度水平。經(jīng)過(guò)約35年的發(fā)展,F(xiàn)RAM的非易失性與低功耗已經(jīng)成為承載多種小眾利基應(yīng)用方案的理想特性。

例如,Cypress_Infineon就提到面向汽車與工業(yè) 應(yīng)用的Excelon FRAM,其低引腳數(shù)小尺寸封裝產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度高達(dá)8 Mb。Excelon系列產(chǎn)品在設(shè)計(jì)層面專門考慮到了自動(dòng)駕駛汽車提出的高速、非易失性數(shù)據(jù)記錄需求。此外,該產(chǎn)品也適用于醫(yī)療、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)傳感器、工業(yè)及其他高級(jí)汽車應(yīng)用。憑借著功耗的顯著降低、強(qiáng)大的數(shù)據(jù)保留性以及輻射耐受性,F(xiàn)RAM開(kāi)始成為EEPROM與NOR閃存的一類可行替代方案,足以在植入式醫(yī)療設(shè)備中提供長(zhǎng)達(dá)十年的穩(wěn)定存儲(chǔ)支持。

在其他領(lǐng)域,德國(guó)鐵電存儲(chǔ)器公司(FMC)預(yù)計(jì)未來(lái)將出現(xiàn)密度更高、商業(yè)可行性更強(qiáng)的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存存儲(chǔ)器。FMC方面正在探索氧化鉿的潛力,希望借此制造出更大的晶體管,從而以經(jīng)濟(jì)高效的方式帶來(lái)密度更高的FRAM產(chǎn)品。

對(duì)于一種只面向小眾應(yīng)用市場(chǎng),但又希望成功替代DRAM與閃存的新興技術(shù),達(dá)成目標(biāo)的一項(xiàng)前提就是在規(guī)模制造流程中建立起強(qiáng)大的成本控制能力。一旦制造成本過(guò)高,那么無(wú)論是MRAM、ReRAM、FRAM還是PCRAM,都不足以單純依靠自身的特性優(yōu)勢(shì)吸引到買家。事實(shí)上,就算是較之前平面產(chǎn)品擁有明確優(yōu)勢(shì)的3D NAND,也需要經(jīng)歷了不斷地發(fā)展之后才能在市場(chǎng)上真正站穩(wěn)腳跟。

Optane的故事

英特爾與美光公司共同開(kāi)發(fā)的3D Xpoint相變存儲(chǔ)器(PCRAM)可能已經(jīng)迎來(lái)了發(fā)展的臨界點(diǎn),得以從“新興”正式轉(zhuǎn)向商用。PCRAM技術(shù)同樣擁有悠久的歷史,但直到最近十年,相關(guān)研究才正式轉(zhuǎn)向商業(yè)化。PCRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,利用硫?qū)倩锞w的獨(dú)特特性研發(fā)而成。到目前為止,真正獲得商業(yè)成功的只有英特爾的Optane。而且與3D NAND一樣,PCRAM也經(jīng)歷了發(fā)展中的多個(gè)陣痛期。

但是,事實(shí)證明3D Xpoint的制造確實(shí)更具成本效益。此外,英特爾與美光的其他芯片制造商也能夠以3D Xpoint為基礎(chǔ)構(gòu)建起多種產(chǎn)品。德國(guó)默克公司下轄子公司Intermolecular最近就公布了關(guān)于某種新型材料組合的研究,能夠建立起3D垂直形式的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu),這也意味著3D Xpoint技術(shù)已經(jīng)迎來(lái)第二輪迭代。

英特爾公司目前提供的Optane主要用于生產(chǎn)DIMM與SSD,市場(chǎng)定位屬于存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存。芯片巨頭似乎對(duì)于Optane只能在部分用例中(而非全部場(chǎng)景下)取代DRAM及閃存的現(xiàn)狀感到滿意。例如,Optane Persistent Memory 200系列以DIMM形式交付,能夠以225倍于主流SSD的速度代替NAND SSD支持實(shí)時(shí)分析類應(yīng)用。

英特爾公司Optane解決方案總經(jīng)理Christopher Tobias表示,SSD的一大優(yōu)勢(shì)在于善于處理隨機(jī)輸入/輸出負(fù)載。那時(shí)候CPU的核心數(shù)量還比較有限,虛擬化技術(shù)也才剛剛起步。隨著多核心、虛擬化與軟件容器技術(shù)在云端的全面興起,如何在存儲(chǔ)端充分支持這些計(jì)算資源的運(yùn)作就成了新的挑戰(zhàn)。

Tobias解釋道,隨著DRAM的發(fā)展趨近于極限,Optane有望給DRAM注入一波新的活力,并以DIMM格式服務(wù)于CPU。他解釋道,“我們一直在大規(guī)模生產(chǎn)Optane產(chǎn)品,它也切實(shí)滿足了市場(chǎng)上的部分關(guān)鍵需求。我們能夠隨時(shí)根據(jù)需求為這些虛擬核心補(bǔ)充內(nèi)存容量,讓計(jì)算資源變得更加密集。”

Tobias指出,Optane的經(jīng)濟(jì)性與效率水平已經(jīng)足以在NAND SSD與DRAM之間為自己爭(zhēng)得一片生存空間。具體來(lái)講,Optane既能補(bǔ)充昂貴的DRAM容量,又可以滿足傳統(tǒng)SSD無(wú)法支持的嚴(yán)苛延遲要求。

Tobias還補(bǔ)充道,“大型云服務(wù)供應(yīng)商顯然有必要填補(bǔ)這部分空白?!钡壳暗默F(xiàn)實(shí)障礙在于,必須在軟件及架構(gòu)層面加以升級(jí),才能充分利用Optane帶來(lái)的性能提升。

他強(qiáng)調(diào)稱,“將新的芯片技術(shù)推向市場(chǎng)是一項(xiàng)極為困難的工作,其中存在大量需要克服的挑戰(zhàn),”例如擴(kuò)大制造規(guī)模等??傊?,從實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)原型到制造生產(chǎn)線的過(guò)渡,總會(huì)耗費(fèi)“巨量”資源。

這一方面要求企業(yè)擁有雄厚的財(cái)力,同時(shí)也依賴于大量經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師。研究公司Omdia存儲(chǔ)器高級(jí)總監(jiān)Michael Yang表示,另外,愿意做出長(zhǎng)期承諾且具有耐心的資本同樣難以尋覓。除了英特爾之外,幾乎沒(méi)有哪家企業(yè)能夠獨(dú)立將一項(xiàng)新興存儲(chǔ)器技術(shù)推向終點(diǎn)。Yang指出,Optane“之所以能夠堅(jiān)持到轉(zhuǎn)折點(diǎn),也是因?yàn)槭袌?chǎng)需求已經(jīng)客觀存在?!?/p>

這部分市場(chǎng)并不在于取代DRAM或閃存,而是在最適合的區(qū)域內(nèi)使用替代性存儲(chǔ)器方案。Yang表示,英特爾Optane獲得的成功也給其他新興存儲(chǔ)器制造商帶來(lái)了寶貴的經(jīng)驗(yàn):首先尋找具有明確利潤(rùn)空間的技術(shù)市場(chǎng),而非一味追求取代成熟的現(xiàn)有存儲(chǔ)技術(shù)。“不要奢望于取代DRAM或閃存技術(shù),這個(gè)機(jī)會(huì)窗口早在幾年之前就已經(jīng)永遠(yuǎn)關(guān)閉了?!?/p>

大多數(shù)MRAM公司已經(jīng)存在多年,而這些不再年輕的廠商始終未能在嵌入式市場(chǎng)之外取得任何有意義的進(jìn)展——更遑論取代DRAM或者閃存了。

雖然宣稱能夠取代DRAM或閃存將帶來(lái)巨大的市場(chǎng)反響,但這種說(shuō)法在工程角度來(lái)看根本不可能實(shí)現(xiàn)。Yang指出,大多數(shù)企業(yè)根本就不具備橫掃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的潛質(zhì),但在嵌入式及低密度設(shè)備等細(xì)分市場(chǎng)中滋潤(rùn)地活下去倒是沒(méi)有問(wèn)題。因此,也許現(xiàn)在最重要的就是拋棄“新興”標(biāo)簽,真正把產(chǎn)品做好。無(wú)論是MRAM、ReRAM還是FAM,在Yang看來(lái)都“只是存儲(chǔ)器而已?!?/p>

過(guò)去三年以來(lái),Thomas Coughlin與Objective Analysis一直在合作跟蹤新興存儲(chǔ)器市場(chǎng)。Coughlin表示,嵌入式市場(chǎng)是各類新興存儲(chǔ)器技術(shù)的最佳發(fā)展空間。即使是獨(dú)立設(shè)備,在提出低功耗要求的同時(shí),也會(huì)對(duì)設(shè)備的存儲(chǔ)密度做出適當(dāng)妥協(xié)。他表示,“很多應(yīng)用程序都能夠從低容量非易失性存儲(chǔ)器中獲得重大收益?!?/p>

DRAM與NOR閃存最終都可能遇到擴(kuò)展限制。一旦FRAM、MRAM與ReRAM在市場(chǎng)上站穩(wěn)腳跟,將很快在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域迎來(lái)屬于自己的發(fā)展機(jī)遇。

不管名稱本身是否恰當(dāng),MRAM與ReRAM仍然代表著新興的存儲(chǔ)器形式。而在Coughlin看來(lái),Optane的重要意義在于,英特爾借此證明了新興存儲(chǔ)器技術(shù)確實(shí)有可能邁過(guò)盈虧平衡點(diǎn)。他表示,客戶也開(kāi)始意識(shí)到自己對(duì)于高速、廉價(jià)存儲(chǔ)器(例如DRAM)的迫切需求。從這個(gè)角度來(lái)看,新興存儲(chǔ)器“代表一種廉價(jià)的內(nèi)存擴(kuò)展方向,有望帶來(lái)成本更低的內(nèi)存密集型應(yīng)用方案?!?/p>

Yang還提到,雖然Optane可能擁有高達(dá)10億美元的總體價(jià)值,但其真正適合的也只有實(shí)時(shí)分析等少部分工作負(fù)載。在此之外,其他存儲(chǔ)器制造商完全可以把握住規(guī)模更小、但同樣足以支撐起健康業(yè)務(wù)的市場(chǎng)空間。

他總結(jié)道,“我們生活的絕不是非黑即白的二元世界。即使市場(chǎng)規(guī)模只有3000萬(wàn)美元,也足以支撐起一家成功的企業(yè)。這只是成功這一概念的不同表現(xiàn)方式。”
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 英特爾
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    10321

    瀏覽量

    181081
  • 嵌入式
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5209

    文章

    20656

    瀏覽量

    337016
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7756

    瀏覽量

    172196
  • cpu
    cpu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    11327

    瀏覽量

    225888
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    是否可以使用JTAG刷新eMMC存儲(chǔ)器

    ,而是獨(dú)立刷新 eMMC。請(qǐng)確認(rèn)是否支持此功能。 此外,我們還想知道: 是否可以使用JTAG刷新eMMC存儲(chǔ)器? 如果是這樣,您能否分享任何解釋該程序的相關(guān)文件或參考資料?
    發(fā)表于 04-14 07:00

    串行mram磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理與存儲(chǔ)機(jī)制

    存儲(chǔ)器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天,MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的非易失性、高速讀寫與高耐久性,正成為越來(lái)越多高端應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,通過(guò)精簡(jiǎn)的接口設(shè)計(jì)與靈活的集成方式,進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 03-30 16:27 ?224次閱讀
    串行mram磁性隨機(jī)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的工作原理與<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>機(jī)制

    電能表CSA認(rèn)證,為什么不做準(zhǔn)確度檢測(cè)?

    CSA確保的是“安全”二字,而計(jì)量準(zhǔn)確度,則屬于另一片認(rèn)證的天地
    的頭像 發(fā)表于 03-26 14:41 ?703次閱讀
    電能表CSA認(rèn)證,為什么不做準(zhǔn)確度檢測(cè)?

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?435次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?604次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的種類、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見(jiàn)圖21_1。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7403次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開(kāi)發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>介紹

    CW32F030上FLASH閃存存儲(chǔ)器物理區(qū)域的劃分

    上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 1、主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000
    發(fā)表于 12-23 08:28

    存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬(wàn)月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能,雙方已敲定三種合作方向,只待力
    的頭像 發(fā)表于 12-22 11:43 ?3144次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

    關(guān)于CS1180S一片當(dāng)兩用遇到的問(wèn)題

    最近在使用你們公司的CS1180S,一片CS1180S通過(guò)模擬多路開(kāi)關(guān)切換輪詢檢測(cè)輸出電壓和輸出電流,現(xiàn)在CS1180S使用的外部4.9152MHZ晶振,數(shù)據(jù)輸出引腳30HZ速率,33.333ms
    發(fā)表于 12-17 15:02

    請(qǐng)問(wèn)CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器般都怎么使用?

    CW32的22 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器般都怎么使用?
    發(fā)表于 12-02 06:39

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?780次閱讀

    芯源的存儲(chǔ)器介紹

    上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FF
    發(fā)表于 11-12 07:34

    華為與RAMIT聯(lián)合打造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)管理服務(wù)平臺(tái)

    華為數(shù)據(jù)通信創(chuàng)新峰會(huì)在慕尼黑隆重舉行。當(dāng)下,數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮洶涌澎湃,席卷全球,千行萬(wàn)業(yè)對(duì)企業(yè)的智能化運(yùn)營(yíng)、高效化管理以及安全防御的需求愈發(fā)迫切,為管理服務(wù)提供商開(kāi)辟一片充滿無(wú)限可能的廣闊天地。
    的頭像 發(fā)表于 10-13 09:50 ?695次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5484次閱讀

    MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析

    ? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?920次閱讀
    光泽县| 广南县| 隆化县| 勃利县| 长兴县| 普格县| 桂阳县| 阳江市| 安乡县| 郸城县| 阿图什市| 无锡市| 潢川县| 白玉县| 曲沃县| 台中县| 蕲春县| 安吉县| 白朗县| 清丰县| 垦利县| 巢湖市| 金堂县| 东乡县| 张家港市| 苏尼特左旗| 丹江口市| 浦东新区| 乌兰察布市| 玛纳斯县| 于都县| 潜山县| 迭部县| 平远县| 达拉特旗| 类乌齐县| 鸡泽县| 潮安县| 乐都县| 福海县| 巴林右旗|