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應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)被提出

工程師鄧生 ? 來(lái)源: 《Light: Science & Applic ? 作者:陳昌健 ? 2020-11-11 16:15 ? 次閱讀
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近日,廈門(mén)大學(xué)、武漢大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所合作提出了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(Force-induced charge carrier storage, FICS)效應(yīng),這種效應(yīng)能夠?qū)?yīng)力作用下產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)于應(yīng)力發(fā)光材料較深的能量陷阱中,隨后在熱刺激下讀取出存儲(chǔ)的應(yīng)力信息。相關(guān)研究成果以“ Force-induced charge carrier storage: A new route for stress recording ”為題發(fā)表在Light: Science & Applications。

01導(dǎo)讀

應(yīng)力傳感是電子簽名系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)健康診斷、生物醫(yī)學(xué)工程、人工智能等應(yīng)用的重要支撐。其中,基于應(yīng)力發(fā)光材料的應(yīng)力傳感技術(shù)具有分布傳感和遠(yuǎn)程響應(yīng)的顯著優(yōu)勢(shì),有望用于發(fā)展下一代觸覺(jué)傳感器和應(yīng)力記錄裝置。一般認(rèn)為,應(yīng)力發(fā)光材料在受到機(jī)械刺激的瞬間發(fā)射出光子,需要在線(xiàn)使用光電探測(cè)器對(duì)于光子進(jìn)行實(shí)時(shí)探測(cè),這使得應(yīng)力發(fā)光材料的應(yīng)用被限制于實(shí)時(shí)的應(yīng)力傳感。

近日,廈門(mén)大學(xué)、武漢大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所合作提出了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(Force-induced charge carrier storage, FICS)效應(yīng),這種效應(yīng)能夠?qū)?yīng)力作用下產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)于應(yīng)力發(fā)光材料較深的能量陷阱中,隨后在熱刺激下讀取出存儲(chǔ)的應(yīng)力信息。

研究團(tuán)隊(duì)基于FICS效應(yīng)構(gòu)建了一種新的應(yīng)力記錄裝置,演示了在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)監(jiān)測(cè)和車(chē)輛碰撞監(jiān)測(cè)等方面的應(yīng)用,顯示出分布傳感、長(zhǎng)期存儲(chǔ)和無(wú)需供電的突出優(yōu)勢(shì)。該研究不僅為應(yīng)力發(fā)光材料在非實(shí)時(shí)應(yīng)力傳感領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)了新的突破,同時(shí)也為發(fā)展新型的機(jī)械能存儲(chǔ)-轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了新的思路。

02研究背景

應(yīng)力記錄包含應(yīng)力作用的探測(cè)和記錄過(guò)程。傳統(tǒng)的應(yīng)力記錄裝置一般由探測(cè)單元和存儲(chǔ)單元組成,在記錄過(guò)程中需要對(duì)于探測(cè)單元和存儲(chǔ)單元持續(xù)提供電源。供電式應(yīng)力記錄裝置的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,在長(zhǎng)時(shí)間工作中產(chǎn)生較大的能耗。研究人員一直在尋找簡(jiǎn)單高效的、無(wú)需供電的應(yīng)力記錄方式和可靠的應(yīng)力存儲(chǔ)介質(zhì)。

2009年,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的徐超男研究員等人率先采用應(yīng)力發(fā)光材料與感光材料相結(jié)合的思路設(shè)計(jì)了一種用于無(wú)供電應(yīng)力記錄的雙層薄膜結(jié)構(gòu)。上層應(yīng)力發(fā)光材料受到應(yīng)力作用時(shí)發(fā)射出光子,下層感光材料吸收光子后產(chǎn)生光學(xué)性能(例如吸光度)的變化,光學(xué)性能的改變量與累計(jì)的應(yīng)力作用呈線(xiàn)性關(guān)系【Jpn. J. Appl. Phys. 48, 04C150 (2009)】。

2019年,比利時(shí)根特大學(xué)的Smet等人發(fā)表了利用應(yīng)力發(fā)光材料的深陷阱實(shí)現(xiàn)應(yīng)力記錄的工作。他們發(fā)現(xiàn)在紫外光照射后的應(yīng)力發(fā)光薄膜表面施加一定應(yīng)力后,載流子將從較淺的陷阱被轉(zhuǎn)移至較深的陷阱中,從而能夠在室溫下長(zhǎng)期存儲(chǔ)【Light-Sci. Appl. 8, 124 (2019)】。

上述兩個(gè)工作都是基于應(yīng)力發(fā)光材料實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間、無(wú)需供電的應(yīng)力記錄,開(kāi)拓了應(yīng)力發(fā)光材料在非實(shí)時(shí)應(yīng)力傳感的應(yīng)用領(lǐng)域。

一般認(rèn)為,應(yīng)力發(fā)光是應(yīng)力作用下產(chǎn)生的瞬態(tài)發(fā)光,應(yīng)力作用結(jié)束之后發(fā)光即停止。這是由于應(yīng)力發(fā)光研究中關(guān)注的是淺陷阱,預(yù)先光照激發(fā)或者應(yīng)力激發(fā)進(jìn)入淺陷阱中的載流子在應(yīng)力作用下將加速?gòu)南葳逄右莓a(chǎn)生瞬態(tài)發(fā)光(見(jiàn)圖1a)。

廈門(mén)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料研究的基礎(chǔ)上提出在具有應(yīng)力發(fā)光響應(yīng)的材料中引入深陷阱的材料設(shè)計(jì)思路,有可能能夠?qū)?yīng)力激發(fā)產(chǎn)生的載流子長(zhǎng)時(shí)間束縛于深陷阱中,從而實(shí)現(xiàn)無(wú)需預(yù)先光照激發(fā)的應(yīng)力存儲(chǔ)(見(jiàn)圖1b),為無(wú)需供電的應(yīng)力記錄應(yīng)用提供一種全新的思路。

03創(chuàng)新研究

3.1 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中FICS現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)

研究人員將含有深陷阱的SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+材料加熱至600K(317oC)或更高溫度以清空陷阱中殘留的載流子,冷卻至室溫后在黑暗環(huán)境中輕輕研磨SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+粉體,等待一定時(shí)間后(幾分鐘至數(shù)小時(shí))加熱樣品,觀測(cè)到明顯的熱釋發(fā)光(見(jiàn)圖1c-h)。熱釋發(fā)光的強(qiáng)度與研磨的時(shí)間呈線(xiàn)性關(guān)系。

圖1 FICS現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)和可能的能級(jí)模型

3.2 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中載流子的遷移

為了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)中觀察到的FICS現(xiàn)象,研究人員以SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+為例對(duì)比了紫外線(xiàn)照射激發(fā)和應(yīng)力激發(fā)(已預(yù)先熱清空)時(shí)載流子的遷移路線(xiàn)。兩種激發(fā)方式下獲得的瞬態(tài)發(fā)光光譜、熱釋發(fā)光曲線(xiàn)、熱釋發(fā)光光譜基本一致(圖2b-i),說(shuō)明應(yīng)力激發(fā)產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)與紫外線(xiàn)激發(fā)的載流子被深陷阱俘獲過(guò)程(即光學(xué)存儲(chǔ))類(lèi)似。

研究人員進(jìn)一步討論了紫外線(xiàn)照射后和無(wú)紫外線(xiàn)照射SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+的應(yīng)力發(fā)光(圖2j-k)。即使沒(méi)有預(yù)先被紫外線(xiàn)照射,SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+也能夠產(chǎn)生應(yīng)力發(fā)光,這證實(shí)了應(yīng)力作用能夠激發(fā)SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中的載流子,其中一部分產(chǎn)生瞬態(tài)的應(yīng)力發(fā)光,另一部分被深陷阱俘獲而暫時(shí)存儲(chǔ)。

研究人員認(rèn)為,應(yīng)力施加過(guò)程中由于應(yīng)力發(fā)光顆粒之間或者發(fā)光顆粒與其他物體(例如研缽或有機(jī)物)之間摩擦產(chǎn)生的電場(chǎng)是導(dǎo)致載流子激發(fā)的可能的原因。盡管如此,應(yīng)力導(dǎo)致的載流子激發(fā)的機(jī)理解釋需要進(jìn)一步研究。

圖2 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中載流子的遷移

3.3 其他材料的FICS效應(yīng)

研究人員在其他材料中也發(fā)現(xiàn)了FICS效應(yīng),包括BaSi2O2N2:Eu2+,Dy3+、ZnS:Cu、(Sr0.5Ba0.5)Si2O2N2:Eu2+,Dy3+和SrSi2O2N2:Yb2+,Dy3+等,發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋藍(lán)、綠、黃、紅(見(jiàn)圖3),說(shuō)明FICS效應(yīng)具有一定的普適性。目前的結(jié)果表明,BaSi2O2N2:Eu2+,Dy3+和ZnS:Cu兩種材料的FICS效應(yīng)較為明顯,在應(yīng)力作用后能夠獲得較大的熱釋發(fā)光強(qiáng)度。

圖3 其他材料的FICS現(xiàn)象

3.4 FICS效應(yīng)在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄、汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用

研究人員將具有FICS效應(yīng)的材料制備成應(yīng)力記錄薄膜,演示了在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄和汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用(圖4)。應(yīng)用過(guò)程包括應(yīng)力記錄、存放和讀取三個(gè)過(guò)程。以汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)為例,研究人員在一輛模型汽車(chē)后部貼上應(yīng)力記錄薄膜,這輛汽車(chē)被后車(chē)撞擊(追尾)后受力信息將被記錄在薄膜中。存儲(chǔ)一段時(shí)間后,通過(guò)加熱的方式能夠?qū)⑹芰π畔ⅲㄎ恢?、分布和相?duì)大?。┮詿後尠l(fā)光成像方式解讀出來(lái)(見(jiàn)圖4j-k)。研究表明,應(yīng)力記錄和讀取過(guò)程是非破壞性的,可以使用同一張薄膜實(shí)現(xiàn)多次的應(yīng)力記錄和讀取。

除了應(yīng)力記錄以外,這項(xiàng)工作中提出的FICS效應(yīng)也可能用于開(kāi)發(fā)新一代的機(jī)械能轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)系統(tǒng)。

圖4 FICS效應(yīng)在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄、汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用

04應(yīng)用與展望

綜上所述,研究人員在包含深陷阱的多種應(yīng)力發(fā)光材料中報(bào)道了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(FICS)效應(yīng)。FICS效應(yīng)將施加的部分機(jī)械能記錄并存儲(chǔ)于深陷阱中,通過(guò)后續(xù)的熱釋發(fā)光成像方式還原受力狀態(tài)。

詳細(xì)的光譜研究表明,F(xiàn)ICS過(guò)程中的載流子遷移與光照射下深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的載流子存儲(chǔ)相似,F(xiàn)ICS的機(jī)理可能與摩擦產(chǎn)生的電場(chǎng)有關(guān)。FICS效應(yīng)在應(yīng)力記錄如電子簽名、落點(diǎn)監(jiān)測(cè)和車(chē)輛碰撞監(jiān)測(cè)等方面具有重要應(yīng)用前景,基于FICS效應(yīng)的應(yīng)力記錄系統(tǒng)無(wú)需連續(xù)供電、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能夠?qū)崿F(xiàn)分布式記錄。

同時(shí),F(xiàn)ICS效應(yīng)也為機(jī)械能轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存提供了一種新的思路,有望應(yīng)用于分布式能量的收集和利用領(lǐng)域。

文章信息

Zhuang, Y., Tu, D., Chen, C. et al. Force-induced charge carrier storage: a new route for stress recording. Light Sci Appl 9, 182 (2020)。

本文第一作者為廈門(mén)大學(xué)材料學(xué)院莊逸熙,通訊作者為莊逸熙和廈門(mén)大學(xué)的解榮軍教授。合作者包括武漢大學(xué)的涂東研究員、中國(guó)計(jì)量大學(xué)的王樂(lè)教授、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所的張洪武研究員、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所的潘曹峰研究員和廈門(mén)大學(xué)的戴李宗教授。

該項(xiàng)工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2017YFB0404300、2017YFB0404301,國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目51832005、面上項(xiàng)目51872247、11804255,福建省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目2018J01080及中國(guó)科協(xié)“青年人才托舉工程”項(xiàng)目2018QNRC001支持。

責(zé)任編輯:PSY

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    的頭像 發(fā)表于 09-01 17:33 ?776次閱讀
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    晶圓切割中振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法

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    的頭像 發(fā)表于 07-08 09:33 ?938次閱讀
    晶圓切割中振動(dòng) - <b class='flag-5'>應(yīng)力</b>耦合<b class='flag-5'>效應(yīng)</b>對(duì)厚度均勻性的影響及抑制方法

    氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀:材料性能評(píng)估的得力助手

    氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀的工作原理基于差示掃描量熱法(DSC)。測(cè)試時(shí),樣品與參比物置于相同溫度環(huán)境。儀器通過(guò)精準(zhǔn)測(cè)量?jī)烧唛g的熱流差,敏銳捕捉材料氧化過(guò)程
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:58 ?555次閱讀
    氧化<b class='flag-5'>誘導(dǎo)</b>期測(cè)試儀:材料性能評(píng)估的得力助手

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    半導(dǎo)體中電子和空穴運(yùn)動(dòng)方式有很多種,比如熱運(yùn)動(dòng)引起的布朗運(yùn)動(dòng)、電場(chǎng)作用下的漂移運(yùn)動(dòng)和由濃度梯度引起的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)等等。它們都對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性造成不同的影響,但最終在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電流的只有漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在此匯總集中介紹一下半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)。
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    半導(dǎo)體中<b class='flag-5'>載流子</b>的運(yùn)動(dòng)

    PCB應(yīng)力應(yīng)變測(cè)試的要求和原因

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    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:53 ?1159次閱讀
    PCB<b class='flag-5'>應(yīng)力</b>應(yīng)變測(cè)試的要求和原因
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