離子注入工藝原理介紹
四十五所作為國(guó)內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一，其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側(cè)腐、電鍍等。設(shè)備操作模式包括全自動(dòng)、半自動(dòng)和手動(dòng)，能根據(jù)客戶的產(chǎn)能要求、自動(dòng)化程度、工藝需求等定制最佳的配置方案。
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提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試
完整性：檢測(cè)金屬層與硅界面在高溫或機(jī)械應(yīng)力下的剝離或腐蝕。
其他失效機(jī)理：等離子損傷（天線效應(yīng)），濺射工藝中電荷積累對(duì)柵氧化層的損傷；可動(dòng)離子沾污，離子污染導(dǎo)致閾值電壓下降；層間介質(zhì)完
發(fā)表于 05-07 20:34
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