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華為首度公開宣判及其制備方法專利

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:朝暉 ? 2021-02-04 10:53 ? 次閱讀
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企查查APP顯示,近日,華為技術(shù)有限公司公開一種“芯片及其制備方法、電子設備”專利,用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋,導致裸芯片失效的問題。

該專利公開號CN112309991A,申請日2019年7月26日,公開日2021年2月2日。

華為在專利說明書中表示,電子系統(tǒng)中的核心部件則為裸芯片,裸芯片結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性決定了電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

然而,在現(xiàn)有技術(shù)中,制備裸芯片,或?qū)β阈酒M行封裝時,因受熱或受壓后容易出現(xiàn)裸芯片中膜層與膜層之間開裂,或者膜層斷裂,導致裸芯片失效的問題。

本申請實施例提供一種芯片及其制備方法、電子設備,用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋,導致裸芯片失效的問題。

芯片,包括功能區(qū)和位于功能區(qū)外圍的非功能區(qū),芯片包括:半導體基底;多層介電層,設置于半導體基底上,且介 電層的一部分位于非功能區(qū);至少一個第一加強件,位于非功能區(qū);第一加強件嵌入至少兩層介 電層,且第一加強件與其嵌入的介電層相連接。
責編AJX

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