日前，東南大學電子科學與工程學院國家ASIC工程中心孫偉鋒教授團隊在氮化鎵（GaN）功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表在集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別會議IEEE International Solid-State Circuits Conference （ISSCC）上。

該研究成果為：“A600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay Compensation TechniqueAchieving 22.5% Turn-on Energy Saving”，是一種針對第三代半導體GaN功率器件柵極控制的延時補償分段驅(qū)動技術(shù)，可有效緩解開關(guān)損耗和EMI的折衷關(guān)系。

該論文是中國大陸在ISSCC會議上發(fā)表的第一篇關(guān)于高壓（600V等級）GaN驅(qū)動技術(shù)的論文。GaN功率器件具有工作頻率高、導通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點，已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。

在高功率密度電源系統(tǒng)應用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和損耗是當前GaN功率驅(qū)動芯片面臨的一個重要挑戰(zhàn)。孫偉鋒教授團隊通過采用延時補償技術(shù)與分段控制技術(shù)相結(jié)合的方式，依靠相位檢測和動態(tài)補償，抵消檢測及控制延時的影響，有效降低dV/dt及開關(guān)損耗，并解決了柵極振蕩、誤導通、EMI噪聲等可靠性問題（圖1、圖2）。

與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)相比，在100MHz頻率下，新技術(shù)的EMI噪聲在40V和400V工作電壓下分別降低6.3%與5.5%（圖3），同時，在相同dV/dt應力條件下，重載開關(guān)損耗在40V和400V工作電壓下分別降低20.9%與22.5%（圖4）。

圖1 氮化鎵驅(qū)動芯片延時補償分段驅(qū)動技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖

圖2 通過反饋延時補償優(yōu)化分段驅(qū)動的控制效果示意圖

圖3 分段驅(qū)動技術(shù)與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)EMI噪聲對比

圖4 分段驅(qū)動技術(shù)與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)開啟功耗對比

據(jù)悉，國際固態(tài)電路年度會議（ISSCC）始于1953年，通常是各個時期國際上最尖端固態(tài)電路技術(shù)最先發(fā)表之地。由于ISSCC在國際學術(shù)、產(chǎn)業(yè)界受到極大關(guān)注，因此被稱為集成電路行業(yè)的“奧林匹克大會”。本次東南大學的研究成果也得到了華潤上華科技有限公司在工藝制備上的支持。

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