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淺析嵌入式開發(fā)五種存儲(chǔ)方式

FPGA之家 ? 來(lái)源:CSDN技術(shù)社區(qū) ? 作者:碼農(nóng)愛學(xué)習(xí) ? 2021-04-09 17:36 ? 次閱讀
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1ROM & RAM

ROM(Read Only Memory)

ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),如光盤CD-ROM,可以保存文件,且只能讀取。

RAM(Random Access Memory)

RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),如計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條就是RAM,關(guān)機(jī)后內(nèi)存數(shù)據(jù)被自動(dòng)清空。

2PROM & EPROM && EEROM

ROM又可分為幾類

PROM

編程的ROM,但只能寫入一次(有點(diǎn)像光盤,只能刻錄一次),這種是早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不用了。

EPROM

通過(guò)紫外光的照射擦出原先的程序,現(xiàn)在也不用了。

EEPROM

電可擦除,如學(xué)習(xí)單片機(jī)時(shí)用到的AT24C02芯片,大小為2K,用于保存少量掉電不丟失的數(shù)據(jù),單片機(jī)通過(guò)IIC來(lái)讀寫這個(gè)EEPROM的內(nèi)容。

3SRAM & DRAM

RAM又可分為兩大類

SRAM(Static RAM)

SRAM即靜態(tài)RAM,讀寫速度非???,但價(jià)格也較貴,用于CPU的一級(jí)緩沖,二級(jí)緩沖。

單片機(jī)中也有SRAM,如STM32F103VET6具有64K的SRAM,用于程序運(yùn)行時(shí)變量、堆棧的暫存等,另外,還可通過(guò)FSMC接口來(lái)擴(kuò)展外部SRAM,如1M字節(jié)的IS62WV51216外部SRAM芯片,用于需要大量數(shù)據(jù)計(jì)算的場(chǎng)合(跑算法、GUI)。

DRAM(Dynamic RAM)

即動(dòng)態(tài)RAM,保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢(但比任何的ROM快),計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM。

DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

SDRAM(Synchronous Dynamic RAM)

同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,主要不要誤以為它是上面兩種的組合!同步指存儲(chǔ)器工作需要同步時(shí)鐘,動(dòng)態(tài)指刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失,隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ),而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

DDR RAM

計(jì)算機(jī)內(nèi)存條常說(shuō)的DDR3、DDR4。

4NAND Flash & NOR Flash

FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具有電可擦除可編程(EEPROM)的功能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù),同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì)),U盤使用這種存儲(chǔ)器。

Flash

如單片機(jī)中的flash,就是用于保存程序,如STM32F103VET6具有512K的Flash。

單片機(jī)還可以外接Flash,如W25Q128,16M大小,可用于保存圖片等較大的數(shù)據(jù),單片機(jī)通過(guò)SPI來(lái)讀寫其內(nèi)容。

NOR Flash

它的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

NOR的特點(diǎn)是應(yīng)用簡(jiǎn)單、無(wú)需專門的接口電路、傳輸效率高,它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在(NOR型)flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND Flash

NANDFlash的存儲(chǔ)容量比NORFlash大,如K9F1208U08為64M。它沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),而是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的,通常是一次讀取512個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還配了一塊小的NOR Flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

兩者對(duì)比

NOR Flash的讀取速度比NAND稍快一些。

NAND Flash的寫入速度比NOR快很多。

NAND Flash的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。

NAND Flash擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。

NOR Flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易的存取其內(nèi)部的每一字節(jié)。

NAND Flash使用復(fù)雜的I/O口串行存取數(shù)據(jù),8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息,時(shí)序較復(fù)雜。

NOR Flash一般容量較小,工藝較復(fù)雜,所以成本較高。

NAND Flash的生產(chǎn)工較為簡(jiǎn)單,因此其容量較大,價(jià)格更低。

5eMMC

eMMC (Embedded Multi Media Card),即嵌入式多媒體卡,是MMC協(xié)會(huì)訂立、主要針對(duì)手機(jī)或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。eMMC由Nand flash、Nand flash控制器以及標(biāo)準(zhǔn)接口封裝組成。
編輯:lyn

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原文標(biāo)題:嵌入式開發(fā),各類存儲(chǔ)方式知多少?

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