據(jù)華爾街日報報道，知情人士指出，美光科技公司和西部數(shù)據(jù)公司都在有意收購Kioxia Holdings Corp，該交易可能使這家日本半導體公司的估值達到300億美元左右。

如果達成這筆交易，也就意味著日本存儲廠商將消失在存儲巨頭行列。

除此之外，此前anandtech的報道顯示，美光科技表示，公司已停止3D XPoint存儲技術(shù)的所有研發(fā)。而在美光退出后，英特爾就將成為了市場中為數(shù)不多的推進3D XPoint發(fā)展的企業(yè)之一。

由此可見，存儲市場正在醞釀著一場新的風暴。

新興存儲技術(shù)商業(yè)化進程帶來的變革

存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一，由DRAM與NAND Flash所主導的主導的存儲市場規(guī)模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升，滿足市場對速度和容量的需求，打破“存儲墻”的限制，業(yè)界開始試圖突破馮諾依曼架構(gòu)，由此，新興存儲技術(shù)走進了市場的視線范圍內(nèi)。

MRAM、RRAM和PCRAM被行業(yè)視為是新興的三大存儲技術(shù)。這些技術(shù)的出現(xiàn)不僅引起了老牌存儲廠商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他們的共同推進之下，近些年來新興存儲技術(shù)也開始逐漸步入商業(yè)化階段。在這個過程中，新興存儲技術(shù)又為存儲市場又迎來了新一輪的變革。

由于相較于DRAM，PCRAM能夠提供更低的功耗和成本，并且比固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動器具有更高的性能。由此，也引起了一些廠商的注意。由英特爾和美光聯(lián)合進行推出的3D XPoint是一種非易失性存儲技術(shù)，該技術(shù)也被認為是一種基于相變存儲的技術(shù)。雖然，英特爾方面曾否認3D XPoint是一種相變存儲器，但PCRAM技術(shù)開始被行業(yè)所注意，著實有一部分原因是由于英特爾推出了基于3D Xpoint技術(shù)的產(chǎn)品。

3D XPoint作為新興的存儲技術(shù)之一，從他的商業(yè)化進程上看，英特爾率先在2017年完成了3D Xpoint的商業(yè)化，推出了傲騰，2019年11月，美光也終于拿出了自己的QuantX。但隨著美光停止對3D XPoint存儲技術(shù)的研發(fā)，這也就意味著這個新興存儲技術(shù)領(lǐng)域的玩家少了一位。而英特爾之所以還在執(zhí)著于3D XPoint存儲技術(shù)的開發(fā)，也有一部分原因是因為該技術(shù)十分契合數(shù)據(jù)中心的需求，而這也符合英特爾的發(fā)展戰(zhàn)略。而存儲作為英特爾六大技術(shù)之一，發(fā)展新興存儲技術(shù)或可以將英特爾架構(gòu)實現(xiàn)差異化，從而形成獨特的優(yōu)勢。

另一值得注意的是MRAM的發(fā)展。行業(yè)認為，MRAM除了其具備更好的儲存效能外，更重要的是，現(xiàn)今的處理器（CPU）制程不停朝微縮化邁進，以因應高速運算需求。因此，MRAM獲得了很多廠商的關(guān)注，在這個過程當中也產(chǎn)生了一些變體，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的發(fā)展過程當中，臺積電、三星和GlobalFoundries等幾家晶圓代工廠商的加入也被行業(yè)視為是內(nèi)存市場的一次巨大轉(zhuǎn)變。

但根據(jù)去年IEDM會議中的一些文件顯示，雖然MRAM技術(shù)被業(yè)界所看好，但從商業(yè)化推進上看，其在發(fā)展的道路仍充滿挑戰(zhàn)。由此，或許我們可以將之理解成為，在MRAM推進商業(yè)化的過程當中，市場也會對相關(guān)企業(yè)進行一次大浪淘沙。

主流存儲技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

新興存儲技術(shù)為存儲市場注入了新力量，在新技術(shù)迭代的過程當中，老牌存儲巨頭不僅要面臨著新技術(shù)的開發(fā)，也要直面現(xiàn)有主流存儲技術(shù)繼續(xù)向前發(fā)展的難題。

在目前諸多主流存儲當中，尤屬3D NAND的發(fā)展受到了業(yè)界的關(guān)注。在存儲巨頭們的不斷推進之下，他們在2020年紛紛將3D NAND推進至128層以后，SK海力士及美光等企業(yè)又跑步進入到了176層。eetimes Japan的報道中指出，存儲廠商們將在2021年開始大規(guī)模生產(chǎn)2020年所推出的新產(chǎn)品。而更新的下一代的生產(chǎn)將在2021年底和2022年初開始，也就是說2022年，存儲巨頭們將開始批量生產(chǎn)160層到192層產(chǎn)品。而到了2023年，市場中將出現(xiàn)具有200層以上的超高層3D NAND閃存。

在3D NAND飛速發(fā)展的過程中，如何進一步提高3D NAND閃存密度成為了市場關(guān)注的焦點，存儲廠商們通常都采用堆疊外圍電路和存儲單元陣列相關(guān)技術(shù)來實現(xiàn)這一目標。其中，美光科技與英特爾的聯(lián)盟率先實現(xiàn)了商業(yè)化，接著，SK海力士和長江存儲也采用了類似的方法。

具體來看，英特爾和美光采用的方式被稱作是 CUA（CMOS Under Array），該技術(shù)也被稱為是浮柵方法特有的技術(shù)，這項技術(shù)可以將大多數(shù)NAND芯片的外圍電路置于存儲單元的垂直堆棧之下，而不是并排放置。據(jù)ISSCC 2021上的消息顯示，這種改變節(jié)省了大量的裸片空間，并允許將超過90％的裸片面積用于存儲單元陣列。除此之外，其他公司都采用了電荷陷阱（CT）的技術(shù)。SK 海力士率先實現(xiàn)了這種存儲技術(shù)的商業(yè)化，其所推出的技術(shù)被稱為“PUC（Periphery Under Cell）。eetimes Japan的報道稱，盡管名稱不同，但它與CUA基本上是相同的技術(shù)。

（用于堆疊3D NAND閃存和存儲單元陣列的外圍電路的技術(shù)概念圖。左邊是“ CUA”，中間是“ PUC”，右邊是“Xtacking”。來源：FMS 2020講義“技術(shù)趨勢：NAND和新興內(nèi)存”的講）

而隨著去年十月英特爾以90億美元的價格將其NAND存儲器業(yè)務(wù)出售給SK海力士，浮柵NAND或?qū)⒆呦虮M頭（此前美光也采用的是浮柵技術(shù)，但在向176層發(fā)展的過程中，美光將 NAND單元技術(shù)從傳統(tǒng)的浮動柵極過渡到電荷陷阱）。同時，由于 CUA技術(shù)與SK海力士的PUC技術(shù)還存在著一定的差異，所以浮柵NAND或?qū)⒚媾R著退出NAND的舞臺——該報道還稱，SK海力士宣布他們將繼續(xù)為未來的兩到三代開發(fā)浮柵技術(shù)，但是并不排除公司將為放棄浮柵技術(shù)做準備。

除此之外，還需要提到的是本土廠商長江存儲所推出的3D Xtacking架構(gòu)，借以此本土存儲廠商也邁入了一個新的臺階，成為了存儲市場當中不可忽視的一股新力量。而其所推出的Xtacking也是一種有別于SK海力士技術(shù)之外的另一個發(fā)展路線——Xtacking架構(gòu)，其將外圍電路置于存儲單元之上（這與SK海力士所推出4D閃存技術(shù)正相反），從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。曾有報道評價這兩種技術(shù)稱，長江存儲的Xtacking更強調(diào)存儲密度和高速的I/O，而SK海力士的4D閃存更強調(diào)集成度和成本。

eetimes Japan的報道還稱，三星電子和Kioxia-Western Digital聯(lián)盟有望在未來的產(chǎn)品中采用與CUA和PUC類似的技術(shù)。它將成為整個3D NAND閃存行業(yè)的通用技術(shù)。

除此之外，3D NAND也在面臨著從TLC向QLC轉(zhuǎn)變，這種方式也被視為是實現(xiàn)3D NAND成本降低的一種辦法。

據(jù)相關(guān)報道顯示，QLC技術(shù)于2018年開始商業(yè)化生產(chǎn)。從理論上講，存儲單元陣列的存儲密度可以是TLC的1.33倍，每存儲容量的制造成本將降低25％。eetimes Japan的報道中指出，TLC過渡到QLC預計將花費大約7到8年的時間，QLC方法最終將成為比特轉(zhuǎn)換的主流。在2021年，按位計算，QLC方法將占NAND閃存的15％左右。預計到2025年，QLC方法將在比特轉(zhuǎn)換中占據(jù)約50％的比例。除此之外，還有一種“ PLC（五級存儲單元）”技術(shù)，可將5位存儲在一個存儲單元中。

與此同時，隨著堆疊層數(shù)的增加，存儲原廠將不得不面對越來越復雜、昂貴的工藝。因此，存儲巨頭也要面臨著存儲產(chǎn)品在工藝上挑戰(zhàn)。在這個過程當中，EUV開始被存儲廠商們引入到他們新產(chǎn)品的產(chǎn)線中，這也成為了存儲巨頭們在開發(fā)新技術(shù)過程中的一個競爭點。

從存儲巨頭在EUV產(chǎn)線的布局上看，據(jù)相關(guān)報道顯示，隨著三星DRAM導入EUV工藝，SK海力士內(nèi)部也已經(jīng)成立了研究小組專門針對EUV光刻相關(guān)技術(shù)展開研究，并計劃將其應用于最新的DRAM產(chǎn)線，有望在新建成的韓國利川M16工廠引入應用，或者跟M14一樣是NAND Flash和DRAM的混合生產(chǎn)工廠，最終投產(chǎn)還將根據(jù)市場情況和技術(shù)發(fā)展而定。

另外，根據(jù)SK海力士CEO李錫熙此前在IEEE國際可靠性物理研討會（IRPS）所公布的SK海力士產(chǎn)品的未來計劃來看，他們將采用EUV光刻生產(chǎn)的DRAM和600層堆疊的3D NAND。

產(chǎn)能的角力

除了在技術(shù)上較勁之外，各大存儲廠商在產(chǎn)能上也展開了競速。

從最新的公開消息顯示，日前韓國已向SK海力士的120萬億韓元（合1，060億美元）項目的新建項目授予最終批準，新項目選址在在首爾以南約50公里的龍仁市。而龍仁將作為DRAM和SK海力士的下一代存儲芯片的基地。另外，據(jù)SK hynix稱，位于首都以南137公里處的清州將成為NAND閃存芯片中心。針對SK海力士在韓國的布局，韓國方面則表示，最新的投資有望緩解全球市場的供應短缺。該部補充說：“由于芯片產(chǎn)業(yè)是該國出口的關(guān)鍵支柱，政府將不遺余力地解決整個項目中的任何潛在問題，以便于今年開始按計劃開始建設(shè)?！?/p>

三星方面，根據(jù)韓國媒體的報道顯示，三星電子正在加大對半導體的投資，并加快設(shè)備安裝速度。三星將在第1季度將平澤第2工廠的DRAM產(chǎn)能從最初計劃的3萬片/月提高到4萬片/月。因此，平澤2號工廠的追加投資將使三星2021年DRAM產(chǎn)能從6萬片擴大到7萬片。另外據(jù)此前的消息顯示，三星西安（中國）12英寸閃存芯片二期第二階段項目也將正式開工，公司將投資80億美元用于新建工廠，預計于2021年下半年竣工，這也將保障三星在存儲產(chǎn)能上的供給。

國內(nèi)方面，據(jù)日經(jīng)亞洲評論援引未具名消息人士的話報道稱，，長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，約占全球總產(chǎn)量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進制造商之間的差距。另外，該報道還稱，長江存儲還將準備試產(chǎn)192層NAND閃存芯片，最快將于2021年中試產(chǎn)，不過該試產(chǎn)計劃可能會推遲至2021下半年。

由這種市場情況所現(xiàn)，我們看到存儲廠商之間的競爭愈加激烈，有些技術(shù)將在更迭之下逐漸退出了存儲市場的舞臺，由此也引發(fā)了存儲市場發(fā)生一些變化。另一方面，為了搶奪更多的市場份額，各大存儲廠商也在產(chǎn)能上開始進行角逐。而在這些因素的共同作用下，存儲市場也開始了新一輪的變革。

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