隨著工業(yè)4.0時(shí)代的到來(lái)，機(jī)器人在工業(yè)制造的舞臺(tái)上成為了主角。除了更高效的代替體力勞動(dòng)，新型多軸機(jī)器人還能完成人類無(wú)法完成的動(dòng)作，控制精度也遠(yuǎn)超人類。多軸機(jī)器人的每個(gè)軸就是一個(gè)伺服電機(jī)系統(tǒng)，軸越多就能完成越復(fù)雜的動(dòng)作，但也對(duì)減小體積提出了挑戰(zhàn)。因此，提高功率密度是機(jī)器人伺服驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)中的重要問(wèn)題。

圖1.伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)

伺服電機(jī)可控制轉(zhuǎn)速、位置，精度很高，在數(shù)控機(jī)床等工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)伺服電機(jī)通常由三相高低側(cè)共六個(gè)IGBT組成驅(qū)動(dòng)電路。每個(gè)IGBT都要與控制器(controller)隔離，目前多使用光電耦合隔離驅(qū)動(dòng)器。光耦驅(qū)動(dòng)器的隔離側(cè)需要隔離電源供電，如圖1所示，三個(gè)高側(cè)IGBT分別使用三個(gè)隔離的+15V/-8V電源，三個(gè)低側(cè)IGBT一般共用一個(gè)電源。這四組電壓通常由反激電源實(shí)現(xiàn)，在變壓器的次級(jí)做四個(gè)繞組就形成了多路隔離輸出。

氮化鎵技術(shù)

作為III-V族化合物半導(dǎo)體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導(dǎo)通電阻小、結(jié)電容小和頻率高的優(yōu)點(diǎn)，因此GaN FET的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大約只有Si管的一半。圖2是GaN和Si晶體管在損耗方面的對(duì)比情況。在高速精密的工業(yè)機(jī)器人應(yīng)用場(chǎng)合，GaN具有效率高、功率密度大的優(yōu)勢(shì)，能極大縮小電路體積。GaN FET沒(méi)有寄生的體二極管，所以不存在反向恢復(fù)損耗，其開(kāi)關(guān)噪聲也比Si管小很多，這能減小失真和EMI。

圖2. GaN晶體管和Si管的損耗比較

圖3是常用功率器件的適用場(chǎng)合。目前GaN晶體管普遍電壓在600V以內(nèi)，適合做1kW級(jí)的伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)。同時(shí)，GaN的頻率能做到最高，雖然更高頻率會(huì)需要更強(qiáng)大的數(shù)字處理器，但是高頻率伺服驅(qū)動(dòng)也具有更好的控制精度。

另外，碳化硅(SiC)也是現(xiàn)在常用的寬禁帶半導(dǎo)體，它的散熱更好，目前SiC晶體管的耐壓也更高，適于用在更高功率場(chǎng)合。如今在600V以內(nèi)的場(chǎng)合，GaN比SiC具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。隨著以后GaN FET向高耐壓發(fā)展，兩者還會(huì)有更多的比較和競(jìng)爭(zhēng)。

圖3.常用功率器件的適用場(chǎng)合

電容隔離

目前主要的隔離方式分為光耦隔離，磁隔離和電容隔離。對(duì)于信號(hào)的隔離，光耦隔離是最常用的方案。近十年來(lái)，由于用半導(dǎo)體工藝制作電容技術(shù)的不斷發(fā)展，電容隔離的優(yōu)勢(shì)越發(fā)明顯，并成為隔離數(shù)字信號(hào)更好的方案。如圖4所示，使用半導(dǎo)體工藝中常用的隔離材料SiO2作為電容的電介質(zhì)，利用半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)加工出一定尺寸的SiO2層，在SiO2層兩端分別鍍上兩個(gè)金屬電極就形成了一個(gè)電容。為了提高隔離電壓，再制作出一個(gè)同樣的電容，兩個(gè)電容之間僅通過(guò)一根金屬線連接形成串聯(lián)的結(jié)構(gòu)。最后整個(gè)芯片外圍和兩個(gè)電容之間全部用耐壓塑料封裝形成一支具有高隔離電壓的雙電容串聯(lián)隔離器。

圖4.雙SiO2電容串聯(lián)隔離器

電容隔離需要對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，經(jīng)過(guò)雙電容隔離傳輸后，在次級(jí)解調(diào)還原信號(hào)。TI使用簡(jiǎn)單可靠的On-Off調(diào)制，將邏輯高電平調(diào)制為高頻信號(hào)，低電平不調(diào)制，原理由圖5所示。

圖5. On-Off調(diào)制

表1是三種隔離的對(duì)比。由于SiO2的電阻率/耐壓性較高，再加上雙電容串聯(lián)技術(shù)的應(yīng)用，使電容隔離技術(shù)成為現(xiàn)在隔離電壓最高的方案。同時(shí)，由于SiO2化學(xué)特性穩(wěn)定，不易受溫度、濕度、耐壓等環(huán)境的影響所以電容隔離的壽命能高達(dá)40年。

電容隔離器的調(diào)制解調(diào)電路和晶圓/封裝技術(shù)都是常用的半導(dǎo)體技術(shù)，和其它半導(dǎo)體芯片一樣，它的輸入到輸出的延時(shí)(propagation delay)很小。半導(dǎo)體制造技術(shù)的高一致性和可靠性也給電容隔離芯片帶來(lái)了高成品率，使其成本有競(jìng)爭(zhēng)力。

在伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，高側(cè)功率管相對(duì)于隔離器初級(jí)輸入有幾百伏的電壓階躍，所以還要求隔離器在這種情況下不能有誤碼。德州儀器使用的On-Off調(diào)制技術(shù)能提高共模電壓抑制(CMTI)，保證100V/ns的共模電壓階躍不會(huì)產(chǎn)生誤碼。TI還對(duì)調(diào)制頻率做了抖頻處理以分散電磁輻射。

表1.電容、光電和磁隔離的性能比較

Fly-Buck隔離電源

Fly-Buck從同步降壓(synchronous buck)轉(zhuǎn)換器演變而來(lái)，將耦合繞組添加到電感上形成一個(gè)變壓器，這樣就實(shí)現(xiàn)了隔離輸出。

圖6. Fly-Buck隔離電源結(jié)構(gòu)

Fly-Buck電源中變壓器的工作模式和狀態(tài)與目前常用的反激電源(Fly-Back)一樣，所以設(shè)計(jì)方法相同。Fly-Buck利用了高集成度Buck芯片的優(yōu)勢(shì)，減少了電路體積和外圍元器件數(shù)量，使隔離電源總體積縮小。圖7是相同功率和電壓的Fly-Buck和反激電源的元器件數(shù)量和電路面積比較。Fly-Buck電源還有一個(gè)初級(jí)電壓Vpri，它可以給隔離器初級(jí)供電，這樣又節(jié)省了一個(gè)電源的空間。和反激電源一樣，F(xiàn)ly-Buck也可以增加繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)多路隔離輸出。

圖7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較

高功率密度GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)

采用TI氮化鎵和電容隔離方案設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器如圖8所示。LMG3410是集成了驅(qū)動(dòng)的GaN FET功率級(jí)芯片。由于GaN FET的開(kāi)關(guān)速度很快，集成FET驅(qū)動(dòng)能最小化線路面積，進(jìn)一步減小開(kāi)關(guān)噪聲。LMG3410同時(shí)集成了一個(gè)5V穩(wěn)壓器，可以給ISO7831隔離芯片的次級(jí)供電。LMG3410還帶過(guò)流，過(guò)溫和欠壓保護(hù)功能。這種高集成度的GaN FET功率級(jí)使用起來(lái)非常簡(jiǎn)單方便。詳細(xì)的方案可以參考TI設(shè)計(jì)TIDA-00915：http://www.ti.com.cn/tool/cn/TIDA-00915

圖8.用LMG3410和ISO7831設(shè)計(jì)的伺服驅(qū)動(dòng)器

這個(gè)系統(tǒng)的隔離電源可以采用LM5160A芯片設(shè)計(jì)Fly-Buck電源，從而產(chǎn)生四路隔離的12V輸出，高側(cè)的三顆LMG3410分別使用三個(gè)隔離12V，低側(cè)的三顆LMG3410使用同一個(gè)隔離電壓。Fly-Buck初級(jí)的電源還可以給ISO7831初級(jí)電源供電。關(guān)于該多路隔離電源可以參考設(shè)計(jì)PMP10531：http://www.ti.com.cn/tool/cn/PMP10531

這個(gè)系統(tǒng)的主要規(guī)格如下表所示。相比于IGBT系統(tǒng)，它的體積小、效率好、頻率高非常適合多軸機(jī)器人的伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

表2. GaN伺服驅(qū)動(dòng)器的規(guī)格

審核編輯：何安