美日聯(lián)手共同研發(fā)2納米半導體芯片
7月29日，美國和日本啟動了“2+2”部長級對話的新經濟版本。美國和日本宣布，他們將為新一代半導體研究成立一個“新的研發(fā)機構”。
雖然雙方在會談后通過官方聲明沒有透露太多關于半導體領域“新研發(fā)院”的細節(jié)，但據(jù)日本媒體報道，該研究院將于今年年底在日本成立，以研究2納米半導體芯片。該研究所還將包括一條原型生產線，并將于2025年開始大規(guī)模生產。
根據(jù)日本經濟產業(yè)省官方網站7月30日的公告，研發(fā)中心包括四所國立材料、新能源和工業(yè)技術研究院，以及東京大學和東北大學等日本頂尖大學。會談后，雙方發(fā)表聯(lián)合聲明，呼吁“維護印太地區(qū)的民主價值觀”，建立21世紀的國際秩序。聯(lián)合聲明沒有直接提到中國，但表示中國將“面對經濟脅迫和非市場政策”。
綜合觀察者網和第一財經整合
審核編輯：郭婷
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%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術
3、EUV光刻機與其他競爭技術
光刻技術是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導體芯片的關鍵技術。是將設計好的
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