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數(shù)字IC設(shè)計(jì)+EDA流程及專有名詞

電路和微電子考研 ? 來(lái)源:CSDN ? 作者:CSDN ? 2022-11-01 11:25 ? 次閱讀
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數(shù)字IC設(shè)計(jì)+EDA流程及專有名詞

1. 數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程相關(guān)名詞梳理

半定制設(shè)計(jì)(ASIC):

工藝廠商已經(jīng)把邏輯門(mén)設(shè)計(jì)好了,只需要搭建自己的電路,不用管邏輯門(mén)里面的晶體管

RTL ( Register Transfer Level)設(shè)計(jì):

利用硬件描述語(yǔ)言,如verilog對(duì)電路以寄存器之間的傳輸為基礎(chǔ)進(jìn)行描述;寄存器傳輸是時(shí)序電路,時(shí)鐘沿到來(lái)的時(shí)候才變化,寄存器可以統(tǒng)一受時(shí)鐘控制。

功能驗(yàn)證:

在功能上確保每一步設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)的流程轉(zhuǎn)換時(shí),能夠保證它的邏輯不要變形,在ASIC設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)各個(gè)階段都對(duì)應(yīng)有不同的驗(yàn)證手段和工作。

邏輯綜合:

將RTL級(jí)設(shè)計(jì)中所得的程序代碼翻譯成實(shí)際電路的各種元器件以及他們之間的連接關(guān)系,可以用一張表來(lái)表示,稱為門(mén)級(jí)網(wǎng)表( Netlist ),門(mén)級(jí)網(wǎng)表也是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的Verilog語(yǔ)言,他描述的層次比RTL層級(jí)更低。

門(mén)級(jí)網(wǎng)表:標(biāo)準(zhǔn)單元的門(mén)+連線。圖紙是半定制,不用細(xì)節(jié)到晶體管,只用到門(mén)和連線即可;

所需內(nèi)容:庫(kù)文件,RTL代碼,時(shí)序等約束文件(.sdc),綜合的腳本(即命令,可以提前寫(xiě)好);

生成內(nèi)容:門(mén)級(jí)網(wǎng)表(還是代碼 .gv gate verilog),SDC。

形式驗(yàn)證:

主要是檢查網(wǎng)表和和RTL是否等價(jià),不需要激勵(lì),是靜態(tài)仿真:通過(guò)數(shù)學(xué)模型的方法看是否滿足。做等價(jià)性檢查用到Synopsys的Formality工具。

STA ( Static Timing Analysis,靜態(tài)時(shí)序分析) :

套用特定的時(shí)序模型(Timing Model),針對(duì)特定電路分析其是否違反設(shè)計(jì)者給定的時(shí)序限制(Timing Constraint);靜態(tài)時(shí)序分析:通過(guò)數(shù)學(xué)的方法,來(lái)計(jì)算所有的路徑,有沒(méi)有滿足時(shí)序。

對(duì)布圖前后的門(mén)級(jí)網(wǎng)表進(jìn)行STA:在布圖前,PrimeTime使用由庫(kù)指定的線載模型估計(jì)線網(wǎng)延時(shí)。如果所有關(guān)鍵路徑的時(shí)序是可以接受的,則由PrimeTime或DC得到一個(gè)約束文件,目的是為了預(yù)標(biāo)注到布圖工具。在布圖后,實(shí)際提取的延遲被反標(biāo)注到PrimeTime以提供真實(shí)的延遲計(jì)算

時(shí)鐘樹(shù)綜合CTS(Clock Tree Synthesis):

簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)就是時(shí)鐘的布線。由于時(shí)鐘信號(hào)在數(shù)字芯片的全局指揮作用,它的分布應(yīng)該是對(duì)稱式的連到各個(gè)寄存器單元,從而使時(shí)鐘從同一個(gè)時(shí)鐘源到達(dá)各個(gè)寄存器時(shí),時(shí)鐘延遲差異最小。這也是為什么時(shí)鐘信號(hào)需要單獨(dú)布線的原因。CTS工具,Synopsys的Physical Compiler

布局布線:

布局規(guī)劃:就是放置芯片的宏單元模塊,在總體上確定各種功能電路的擺放位置,如IP模塊,RAM,I/O引腳等等。布局規(guī)劃能直接影響芯片最終的面積。

布線(CTS之后)就是普通信號(hào)布線了,包括各種標(biāo)準(zhǔn)單元(基本邏輯門(mén)電路)之間的走線。比如我們平常聽(tīng)到的0.13um工藝,或者說(shuō)90nm工藝,實(shí)際上就是這里金屬布線可以達(dá)到的最小寬度,從微觀上看就是MOS管的溝道長(zhǎng)度。工具Synopsys的Astro,或者Synopsys的IC Compiler (ICC)(ICC是Astro的下一代取代產(chǎn)品)

Extrat RC和STA:

前面邏輯綜合后STA的話,用的是一個(gè)理想的時(shí)序模型(Timing Model)去做的,這個(gè)實(shí)際上并沒(méi)有實(shí)際的時(shí)序信息,實(shí)際cell擺在哪里,兩個(gè)cell之間的走線延時(shí)等信息都是沒(méi)有的,因?yàn)檫@個(gè)時(shí)候還沒(méi)有布局布線,兩個(gè)的位置都是不確定的,自然沒(méi)有這些信息。當(dāng)位置確定之后,才會(huì)真正的去提取這些延時(shí)信息(Extrat RC),然后再做布局布線之后的STA,此時(shí)的STA相較于綜合時(shí)的STA,拿到的延時(shí)信息就是更真實(shí)的!包括時(shí)鐘,也是插了時(shí)鐘樹(shù)之后真正的時(shí)鐘走線,時(shí)鐘路徑的延時(shí)也是更真實(shí)的。如果布局布線之后還有不滿足時(shí)序的地方,也會(huì)退回去前面的階段進(jìn)行修改。

版圖物理驗(yàn)證:

對(duì)完成布線的物理版圖進(jìn)行功能和時(shí)序上的驗(yàn)證,驗(yàn)證項(xiàng)目很多,如:

LVS(Layout Vs Schematic)驗(yàn)證:簡(jiǎn)單說(shuō),就是版圖與邏輯綜合后的門(mén)級(jí)電路圖的對(duì)比驗(yàn)證;

DRC(Design Rule Checking):設(shè)計(jì)規(guī)則檢查,檢查連線間距,連線寬度等是否滿足工藝要求;

ERC(Electrical Rule Checking):電氣規(guī)則檢查,檢查短路和開(kāi)路等電氣 規(guī)則違例;等等。

工具為Synopsys的Hercules。

實(shí)際的后端流程還包括電路功耗分析,以及隨著制造工藝不斷進(jìn)步產(chǎn)生的DFM可制造性設(shè)計(jì))問(wèn)題。物理版圖驗(yàn)證完成也就是整個(gè)芯片設(shè)計(jì)階段完成,下面的就是芯片制造了。

GDSII文件:

物理版圖以GDSII的文件格式交給芯片代工廠(稱為Foundry)在晶圓硅片上做出實(shí)際的電路,再進(jìn)行封裝和測(cè)試,就得到了實(shí)際的芯片。

2. IC設(shè)計(jì)過(guò)程中用到的EDA工具總結(jié)

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審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程相關(guān)名詞梳理及各流程EDA工具總結(jié)

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