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加速電容在電路中如何選型?

硬件花園 ? 來(lái)源:硬件花園 ? 作者:硬件花園 ? 2023-01-03 13:41 ? 次閱讀
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1 前言

加速電容一般應(yīng)用于高速場(chǎng)合,在相同容值的情況下優(yōu)先使用高頻特性好的瓷片電容,如果驅(qū)動(dòng)電路中要求加速電容承受負(fù)壓則必須選擇無(wú)極性電容如瓷片電容。下文主要從電容的大小來(lái)分析阻容負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路和晶體管驅(qū)動(dòng)電路中加速電容的選型。

2 加速電容選型

2.1 阻容負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路加速電容大小選擇

當(dāng)階躍開(kāi)始瞬間t=0時(shí)輸出電壓為:

wKgZomUzWYeAJpCCAAAHnkSKPMA186.png

當(dāng)負(fù)載電容充電完成,階躍穩(wěn)定t=∞時(shí)輸出電壓為:

wKgaomUzWZiAWS5pAAAH7OCjohA377.png

從上面的分析可以看出在整個(gè)階躍響應(yīng)過(guò)程中輸出電壓分為兩個(gè)階段,電壓突變開(kāi)始時(shí)輸出電壓值由電容分壓決定,當(dāng)負(fù)載電容完成充電后輸出電壓值由電阻分壓決定。所以如果

wKgZomUzWhKAOmniAAAJ_PEFfn8514.png

,輸出電壓會(huì)有拐點(diǎn)。

當(dāng)

wKgaomUzWgCAfHeuAAAIeyd1PkM109.png

時(shí),如圖3.1所示C1=50pF,C2=50pF,R1=1K,R2=10M,輸入5V階躍的輸出波形。

wKgaomUzWi2AU3JKAADkz9cyOS8939.png

上圖中,Vout1=2.50V,Vout2=4.99V,輸出電壓首先迅速上升到Vout1再緩慢上升到Vout2,出現(xiàn)了明顯的上升拐點(diǎn)。 當(dāng)

wKgaomUzWmiAClRaAAALlolMCfk438.png

時(shí),如圖3.2所示C1=10nF,C2=50pF,R1=1K,R2=5K。輸入5V階躍的輸出波形。

wKgaomUzWnqAW3V5AAEZhLWJM40224.png

上圖中,Vout1=4.97V,Vout2=4.17V,輸出波形電壓首先迅速上升到Vout1再緩慢下降到Vou2出現(xiàn)明顯的過(guò)沖現(xiàn)象。 為了取得理想的輸出波形,加速電容C1應(yīng)該滿足

wKgZomUzWpaAHVXUAAAL3enCbHo496.png

比例關(guān)系,但是電容取值有限,很難做到。 實(shí)際應(yīng)用中只要使得二者取值接近就可以了。 以圖3.2中的驅(qū)動(dòng)電路為例,負(fù)載電阻R2=5K,負(fù)載電容C2=50pF,驅(qū)動(dòng)電阻R1=1K,根據(jù)

wKgZomUzWpaAHVXUAAAL3enCbHo496.png

可以求得理想的加速電容值為250pF,但是250pF不是通用的電容取值,可以使用通用的270pF來(lái)代替,雖然

wKgaomUzWmiAClRaAAALlolMCfk438.png

但是二者取值已經(jīng)非常接近??梢詽M足一般的應(yīng)用要求。如圖3.3所示為加速電容C1=270pF時(shí)的輸出波形,Vout1=4.21V,Vout2=4.16V。

wKgaomUzWsWAdcuzAAEe6l0Sv3s787.png

2.2 晶體管驅(qū)動(dòng)電路加速電容大小選擇

將在《加速電容在電路中的妙用》中提到的圖2.4電路中的加速電容從1nF換成10pF,在相同的測(cè)試條件下使用Multisim仿真輸入和輸出波形如圖3.4所示。

wKgZomToG4aACqQuAAF2IIF7oLI311.png

從上圖看出,輸入和輸出波形仍然會(huì)有存儲(chǔ)時(shí)間ts=90ns,加速電容變小后其存儲(chǔ)的電荷減少了,不能完全中和掉基區(qū)的過(guò)量電荷,剩余的電荷通過(guò)電阻緩慢釋放,所以輸入輸出仍然存在延遲。通過(guò)實(shí)際測(cè)試,加速電容越大存儲(chǔ)時(shí)間越小,但并不是電容越大越好。將圖2.4電路中的加速電容從1nF換成1uF,在相同的測(cè)試條件下使用Multisim仿真輸入和輸出波形如圖3.5所示。

wKgZomToG4eAT-0bAAF2uROvQdc784.png

從上圖看出,電容加大后存儲(chǔ)時(shí)間基本消除了,但是輸出波形存在嚴(yán)重的下沖現(xiàn)象達(dá)到了-2.2V。三極管的集電極和基極之間存在一個(gè)寄生電容Cbc如圖3.6所示,不同的三極管Cbc大小存在差異,2N2222內(nèi)部的Cbc為10pF,輸入高電平時(shí)加速電容充電,最終在C1兩端產(chǎn)生(Vin-0.7)V的電壓差,當(dāng)從高電平降到低電平的瞬間,由于C1兩端電壓不能突變?cè)诨鶚O產(chǎn)生一個(gè)放電電壓,同時(shí)Cbc電容兩端電壓也不能突變,基極的放電電壓會(huì)通過(guò)Cbc影響集電極的輸出電壓。

wKgZomToG4eAS85fAACvnssqgBc068.png

C1電容大小會(huì)影響基極的放電電壓。如圖3.7所示,C1電容變小時(shí),其存儲(chǔ)的電荷減少了,在基極產(chǎn)生的放電電壓幅值變小,輸出電壓基本無(wú)過(guò)沖,C1電容變大后,存儲(chǔ)電荷增多了,在基極產(chǎn)生的放電電壓幅值變大,輸出電壓出現(xiàn)明顯過(guò)沖。

wKgZomToG4eAFHaUAAI_ney-G-s684.png

根據(jù)上述分析,在晶體管驅(qū)動(dòng)電路中,加速電容如果選擇過(guò)小仍然會(huì)有延遲時(shí)間,如果過(guò)大則會(huì)造成輸出波形出現(xiàn)過(guò)沖,所以電容值應(yīng)該通過(guò)實(shí)測(cè)具體電路的輸出波形來(lái)選擇。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:加速電容在電路中如何選型?

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