MOSFET 電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器必須受到電池反接連接保護(hù)。小型整流二極管可以防止電池反接，但對(duì)于電池壽命至關(guān)重要的系統(tǒng)，這種方法通常是不可接受的。對(duì)于6V電池，二極管的正向壓降（典型值為0.6V至0.7V）會(huì)產(chǎn)生約10%的恒定功率損耗，該損耗隨著電池電壓的降低而增加。圖中顯示了對(duì)單二極管保護(hù)的改進(jìn)。

MOSFET 電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器必須受到電池反接連接保護(hù)。小型整流二極管可以防止電池反接，但對(duì)于電池壽命至關(guān)重要的系統(tǒng)，這種方法通常是不可接受的。對(duì)于6V電池，二極管的正向壓降（典型值為0.6V至0.7V）會(huì)產(chǎn)生約10%的恒定功率損耗，該損耗隨著電池電壓的降低而增加。

圖1顯示了對(duì)單二極管保護(hù)的改進(jìn)。一個(gè)p溝道MOSFET （Q1）可保護(hù)驅(qū)動(dòng)器（U1）免受電池反接插入的影響。Q1 的 10mΩ 或更低低導(dǎo)通電阻可產(chǎn)生僅幾毫伏的正向壓降（而二極管則為數(shù)百毫伏）。因此，用MOSFET代替二極管可立即提高效率。

圖1.一個(gè)外部 p 溝道 MOSFET （Q1） 可輕松保護(hù)該 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 （U1） 免受電池反接和負(fù)載電流反接的影響。

將電池正電壓連接到Q1漏極時(shí)，其體二極管中產(chǎn)生正向偏置，使源極電壓比漏極電壓低一個(gè)二極管。當(dāng)源電壓超過(guò)Q1的閾值電壓時(shí)，Q1導(dǎo)通。FET導(dǎo)通后，電池將完全連接到系統(tǒng)，并可為U1和負(fù)載供電。

錯(cuò)誤插入的電池會(huì)使體二極管反向偏置。電源保持地電位，柵極接地，因此Q1保持關(guān)斷狀態(tài)，斷開(kāi)反接電池與系統(tǒng)的連接。當(dāng)您向后插入電池時(shí)，VDS 等于電池全負(fù)電壓，在某些應(yīng)用中，Q1 可能必須承受電池電壓的許多倍的瞬態(tài)水平。Q1必須能夠承受V一般事務(wù)人員和 VDS電壓至少等于最大電池電壓。

除了電池反接保護(hù)外，圖1電路還可防止啟動(dòng)時(shí)的反向負(fù)載電流。Q3 確保在 U1 使能兩個(gè) n 溝道 MOSFET（Q2 和 Q3）之前沒(méi)有負(fù)載電流流動(dòng)。反向負(fù)載電流可能導(dǎo)致Q1意外導(dǎo)通，使電路不受電池反接保護(hù)。

審核編輯：郭婷