為滿足汽車市場對產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低邊門極驅(qū)動(dòng)SiLM21814-AQ具有驅(qū)動(dòng)電流大、耐壓高、抗負(fù)壓能力強(qiáng)的優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于AC/DC、DC/DC電源、逆變器、變頻壓縮機(jī)等眾多領(lǐng)域。

SiLM21814-AQ提供獨(dú)立的高邊、低邊輸出驅(qū)動(dòng)信號。采用專有的高壓集成電路和鎖存免疫CMOS技術(shù)，提供可靠的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。邏輯輸入電平與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL兼容，最低支持3.3V邏輯輸入。輸出驅(qū)動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級，以減小驅(qū)動(dòng)器交叉導(dǎo)通。精確的匹配延遲適合高頻應(yīng)用。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高邊配置的N型溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓可高達(dá)600V。

產(chǎn)品特性

Key Features

支持600V高壓應(yīng)用

典型驅(qū)動(dòng)電流：2.5A/3.5A

寬VCC工作范圍：10V~20V

為自舉供電設(shè)計(jì)的浮動(dòng)通道

支持高低邊欠壓閉鎖功能

輸入信號兼容3.3V/5V

抗瞬態(tài)負(fù)壓能力：-40V/600ns

典型開通/關(guān)斷延遲：180ns/200ns

最大通道匹配延遲：35ns

符合車規(guī) AEC-Q100