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具有定向增強(qiáng)SiOC基完美超材料吸波器自上而下的參數(shù)化設(shè)計(jì)

鴻之微 ? 來(lái)源:材料科學(xué)與工程 ? 2023-07-26 17:15 ? 次閱讀
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提高電磁波(EMW)利用效率,是科技進(jìn)步的不懈努力。無(wú)處不在的微波會(huì)干擾電子通信設(shè)備和醫(yī)療診斷系統(tǒng),危及智能汽車和飛機(jī)等交通工具的安全,危害人類健康。微波吸收 (MA) 材料的發(fā)展作為解決電磁污染問(wèn)題的建議,引起了全球的強(qiáng)烈興趣。然而,目前的微波吸收器研究往往依賴于對(duì)材料固有特性進(jìn)行復(fù)雜的物理化學(xué)修飾,這似乎既盲目又費(fèi)時(shí)。2011 年,材料基因組計(jì)劃 (MGI) 的成立開(kāi)創(chuàng)了材料研究和創(chuàng)新領(lǐng)域自上而下的新文化。其中,材料設(shè)計(jì)應(yīng)依賴于預(yù)先基于模擬的預(yù)測(cè),然后進(jìn)行關(guān)鍵驗(yàn)證實(shí)驗(yàn),而不是傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)迭代和經(jīng)驗(yàn)實(shí)踐。該倡議還為新型 MA 材料的開(kāi)發(fā)提出了新的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的受經(jīng)驗(yàn)主義和直覺(jué)啟發(fā)的微波吸收 (MA) 材料研究似乎缺乏效率。目前的工作旨在為多功能耦合 MA 超材料建立一種可擴(kuò)展的參數(shù)化設(shè)計(jì)方法,涉及前期理論計(jì)算和模擬預(yù)測(cè),然后進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。

來(lái)自西北工業(yè)大學(xué)的學(xué)者提出了一種自上而下的參數(shù)化設(shè)計(jì)方法,該方法依賴于利用具有柔性電磁可調(diào)性的聚合物衍生陶瓷 (PDC) 作為基板材料,并通過(guò)三重周期最小表面殼狀結(jié)構(gòu)的數(shù)學(xué)建模結(jié)合可調(diào)諧電磁響應(yīng)。在此過(guò)程中,根據(jù)實(shí)際需求篩選優(yōu)選的結(jié)構(gòu)配置和方向,并通過(guò) 3D 打印技術(shù)實(shí)現(xiàn)一步制造。研究了結(jié)構(gòu)配置和方向?qū)﹄姶彭憫?yīng)的影響,并提出了一種確定性高溫 MA 特性的新型優(yōu)化方法。制造的 [111] 取向 Gyroid 殼狀 MA 超材料在具有寬溫適應(yīng)性的 X-Ku 波段表現(xiàn)出優(yōu)異的整體性能。室溫下最小反射損耗(RLmin)值為–58.05 dB,有效吸收帶寬(EAB)RL≤–10 dB達(dá)到6.11 GHz,超低密度比強(qiáng)度達(dá)到65.20 MPa/(g/cm3) 0.550 克/立方厘米。RLmin在 100 ℃時(shí)提高到 –72.38 dB,而 EAB 在300 ℃ 時(shí)增加到 6.77 GHz,并在 600℃ 時(shí)保持 5.60 GHz。

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圖 1. (a) 四種典型 TPMS-shellular 配置的結(jié)構(gòu)配置;(b) 相對(duì)密度 (RD) 作為水平集常數(shù) (|c|) 絕對(duì)值的函數(shù)(實(shí)線)和 RD 關(guān)于 |c| 的相應(yīng)一階導(dǎo)數(shù)(虛線); (c) 在 c-4 的 RD 處,不同 TPMS-殼狀結(jié)構(gòu)垂直于 EMW 傳播方向的每個(gè)橫截面的固體面積分?jǐn)?shù) (SAF);(d) 具有不同 |c|的四個(gè) TPMS 的表面積;(e) c-4 RD 處四個(gè) TPMS 殼結(jié)構(gòu)的相對(duì)有效楊氏模量 (Ereff) 曲面圖。

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圖 2. (a) 從不同晶向 ([100]、[110] 和[111]) 觀察的 BCC 原子排列微晶格和 GS-4 配置;(b) 不同取向 GS-4 結(jié)構(gòu)的第一主應(yīng)力 (σsp1) 的 3D 體積分布。

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圖 3. (a) X-Ku 波段的介電測(cè)試樣品模型(上)、3D 打印生坯樣品(橙色,左下)和相應(yīng)的熱解樣品(黑色,右下);(b) 在 1300℃下熱解的固體 SiOC 陶瓷的 XRD 圖;(c) SiOC 襯底的橫截面微形態(tài)和相應(yīng)的 EDS 圖;(d-f) GS111-4 MAMM 的多尺度微觀形態(tài);(g) HRTEM 圖像和 (h) SiOC 陶瓷的相應(yīng) SAED 圖案

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圖 4. 實(shí)驗(yàn)確定的頻率相關(guān)的 (a) εreff’;、(b) εreff”; 和 (c) GS111 結(jié)構(gòu)的介電 Cole-Cole 曲線,在 c-3 到 8 范圍內(nèi)具有不同的 RD;c中的虛線對(duì)應(yīng)第一條和第二條理論最優(yōu)介電曲線。(d) GS111-5 MAMM 的計(jì)算 RL 與厚度和頻率的 3D 圖和(e) 2D 圖。(f) 特定厚度下相應(yīng)的 RL 曲線。GS111–3 到?8 結(jié)構(gòu)化 MAMM 的頻率相關(guān)RL 曲線,特定厚度對(duì)應(yīng)于它們的 (g) RLmin和 (h) 最寬 EAB。(i) GS111–4 和?5 結(jié)構(gòu)化 MAMM 的壓縮應(yīng)力-應(yīng)變曲線。

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圖 5. 對(duì)于 GS11–4 結(jié)構(gòu)化 MAMM:實(shí)驗(yàn)確定的頻率相關(guān)的 (a) εreff’;、(b) εreff”; 和 (c) 溫度范圍為 100 至 600℃的介電 Cole-Cole 曲線;(d-f) 在 100 至 300℃ 范圍內(nèi)計(jì)算出的RL 的二維圖,涉及頻率和厚度;特定厚度處的頻率相關(guān) RL 曲線對(duì)應(yīng)于 (g) RLmin和 (h) 從 RT 到 600 ℃的最寬 EAB;(i) 固定厚度為 2.54 mm 時(shí)與溫度相關(guān)的 RL 曲線。

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圖 6. GS111 結(jié)構(gòu)化 MAMMs 在寬溫度范圍內(nèi)的 MA 機(jī)制示意圖。

本研究關(guān)注了結(jié)構(gòu)配置和方向?qū)蓞?shù)化 TPMS-殼結(jié)構(gòu)的 MA 和力學(xué)性能的影響,可以得出以下結(jié)論。對(duì)于 NRAD MAMM,電磁響應(yīng)僅由基體材料特性和結(jié)構(gòu)相對(duì)密度決定;響應(yīng)與特定的結(jié)構(gòu)配置和方向無(wú)關(guān),它們僅對(duì)機(jī)械性能有深遠(yuǎn)影響。通過(guò)將宏觀 3D 打印結(jié)構(gòu)與 PDC-SiOC 陶瓷的固有損耗特性相結(jié)合,強(qiáng)輕質(zhì) [111] 取向 GS 結(jié)構(gòu)耐火MAMM,具有出色的 MA 性能和從 RT 到 600 ℃ 的寬溫度范圍自適應(yīng)性,被設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)制造。室溫下,MAMM的RLmin在17.83 GHz & 1.93 mm時(shí)為–58.05 dB,EAB在2.78 mm時(shí)達(dá)到6.11 GHz,在0.550 g超低密度下比強(qiáng)度達(dá)到65.20 MPa/(g/cm3)。在高溫下,還實(shí)現(xiàn)了出色的 MA特性,RLmin在 10.34 GHz時(shí)為 –72.38 dB,在 100 ℃ 時(shí)為 3.57 mm,最寬的 EAB 在300 ℃ 時(shí)為 6.77 GHz,即使在 600 ℃ 時(shí)在 2.21 mm 時(shí)仍保持 5.60 GHz。通過(guò)控制 Cole-Cole 曲線與理論最優(yōu)介電曲線之間的相對(duì)位置,本研究成功實(shí)現(xiàn)了自適應(yīng)寬溫度范圍的 MA 性能,同時(shí)通過(guò)定向增強(qiáng)的 TPMS 殼結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)輕量化的機(jī)械性能。本研究通過(guò)初步模擬和預(yù)測(cè)以及關(guān)鍵驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的無(wú)縫集成,提出了一種新的自上而下的參數(shù)化設(shè)計(jì)方法,用于強(qiáng)輕型和自適應(yīng)寬溫度范圍 MA 超材料的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和實(shí)際制造。(文:SSC)





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:文章轉(zhuǎn)載丨西工大《Acta Materialia》:具有寬溫適應(yīng)性的定向增強(qiáng)SiOC基完美超材料吸波器自上而下的參數(shù)化設(shè)計(jì)

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