據(jù)路透報(bào)導(dǎo)，有消息人士透露，臺(tái)積電對(duì)在日本九州島建立晶圓制造中心充滿信心，可望如期于2024年開始生產(chǎn)成熟制程的芯片。并且，臺(tái)積電正考慮增加產(chǎn)能并在日本建造第二座晶圓廠，生產(chǎn)更先進(jìn)的芯片。而在美國(guó)亞利桑那州，臺(tái)積電計(jì)劃在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)先進(jìn)芯片，但因缺乏專業(yè)工人，不得不將投產(chǎn)的時(shí)程延后一年至2025年。

對(duì)于該報(bào)道，臺(tái)積電13日回應(yīng)，強(qiáng)調(diào)臺(tái)積亞利桑那州晶圓廠、在熊本興建中的晶圓廠，以及將在德國(guó)建造的晶圓廠三者在廠區(qū)地理位置、建置規(guī)劃和規(guī)模均不一樣，就本質(zhì)而言無(wú)法相比。

臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積拓展全球制造版圖是基于客戶需求、市場(chǎng)商機(jī)、營(yíng)運(yùn)效率、和成本經(jīng)濟(jì)等多方面之考慮，目前臺(tái)積電投資的地區(qū)都是為支持客戶需求，并應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)長(zhǎng)期需求的結(jié)構(gòu)性成長(zhǎng)。

日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省相關(guān)人士表示：「在我們看來(lái)，臺(tái)積電對(duì)在日本投資相當(dāng)樂(lè)觀。我們非常歡迎增設(shè)第二座晶圓廠的計(jì)劃，但需要先了解詳情。」經(jīng)產(chǎn)省已提供臺(tái)積電第一座晶圓廠高達(dá)4,760億日元（32.3億美元）補(bǔ)貼。

除了建廠傳言以外，臺(tái)積電近期的兩筆投資也頗受關(guān)注。

一筆是以不超過(guò)4.328億美元（約新臺(tái)幣138.5億元）額度內(nèi)，從英特爾手中取得奧地利半導(dǎo)體設(shè)備商IMS的10%股權(quán)。第二筆是以不超過(guò)1億美元（約新臺(tái)幣31.95億元）的額度，認(rèn)購(gòu)日本軟銀集團(tuán)旗下的半導(dǎo)體IP大廠Arm 的普通股股票。

分析師郭明錤指出，臺(tái)積電這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力，以確保從目前3nm的FinFET技術(shù)能順利轉(zhuǎn)換到2nm的GAA技術(shù)。其中，投資IMS可確保關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)開發(fā)與供應(yīng)能滿足2nm商用化的需求。

IMS Nanofabrication于1985年在維也納成立，是一家多電子束直寫光刻設(shè)備廠商，產(chǎn)品主要應(yīng)用于先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)光刻掩模制造。在芯片制造的過(guò)程中，IMS提供的多光束掩模寫入機(jī)也尤為重要。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，如果沒(méi)有IMS Nanofabrication的掩模寫入器，所有EUV工藝技術(shù)都將陷入停頓。EUV工藝技術(shù)被用于7nm以來(lái)的所有臺(tái)積電、英特爾的工藝節(jié)點(diǎn)。另外，三星的所有邏輯工藝技術(shù)都使用了EUV。

而對(duì)于臺(tái)積電入股ARM，分析郭明錤認(rèn)為，臺(tái)積電可通過(guò)投資Arm，與后者進(jìn)行更緊密的合作，有助于在臺(tái)積電的先進(jìn)制程與封裝技術(shù)上針對(duì) Arm IP 進(jìn)行優(yōu)化。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音就曾說(shuō)：“Arm是我們生態(tài)系統(tǒng)、技術(shù)和客戶生態(tài)系統(tǒng)的重要組成部分。我們希望它取得成功，并保持健康?！?/p>

此外，最快在 2026 年，2納米技術(shù)將分別用于蘋果iPhone處理器和英偉達(dá)B100 AI芯片的生產(chǎn)上。蘋果和英偉達(dá)也都是Arm本次IPO的基石投資者。故臺(tái)積電投資Arm有利強(qiáng)化與蘋果、英偉達(dá)的合作并爭(zhēng)取 2nm 訂單。