11月8日，以“存儲(chǔ)趨勢(shì) 智創(chuàng)芯生”為主題的2024存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì) (MTS 2024) 在深圳隆重舉辦。

西安紫光國(guó)芯攜專(zhuān)業(yè)DRAM KGD解決方案、DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品等前沿存儲(chǔ)技術(shù)成果亮相，與行業(yè)伙伴共同探討未來(lái)存儲(chǔ)新趨勢(shì)。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品為首次亮相。

西安紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的專(zhuān)業(yè)DRAM KGD解決方案提供商，產(chǎn)品應(yīng)用在通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、安防等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域。

本次展出的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品在進(jìn)一步優(yōu)化芯片尺寸的同時(shí)提升了主要性能指標(biāo)，可廣泛應(yīng)用于IPC、STB和汽車(chē)電子等市場(chǎng)，并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

512Mb DDR2是采用先進(jìn)工藝的第二代標(biāo)準(zhǔn)DDR KGD芯片，在工作電壓1.5V時(shí)可同步支持1333Mbps，能夠充分滿(mǎn)足視頻監(jiān)控芯片的功耗和帶寬需求。

該款產(chǎn)品可助力IPC SoC客戶(hù)進(jìn)一步提升其整體性能，完善國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈布局。

1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品最高速度可達(dá)2133Mbps，在可靠性和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)更優(yōu)，將為消費(fèi)類(lèi)、車(chē)規(guī)和工控市場(chǎng)帶來(lái)更具性?xún)r(jià)比的選擇。

依托近20年DRAM芯片研發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及模組產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn), 西安紫光國(guó)芯開(kāi)發(fā)的新一代DDR5 RDIMM產(chǎn)品在各項(xiàng)性能上得到了全面優(yōu)化。

通過(guò)新一代內(nèi)存技術(shù)，本款產(chǎn)品在容量、功耗、總線效率等方面有顯著提升，速度可達(dá)5600Mbps，滿(mǎn)足了企業(yè)級(jí)應(yīng)用在性能和質(zhì)量方面的更高要求，可為國(guó)產(chǎn)CPU平臺(tái)以及英特爾第5代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器Emerald Rapids等平臺(tái)提供內(nèi)存解決方案。

本次亮相的還有采用新一代工藝開(kāi)發(fā)的1Gb DDR3顆粒產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，芯片尺寸減少，最高速率提升至2133Mbps，工作電壓降低，支持DDR3L，產(chǎn)品力得到大幅提升。

該款產(chǎn)品還通過(guò)了包括JEDEC Timing、Qualification等多項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試，擁有更完善的量產(chǎn)測(cè)試覆蓋率，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品性能并增強(qiáng)了可靠性，可滿(mǎn)足工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車(chē)電子等高端應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)總是挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存，作為以存儲(chǔ)技術(shù)為核心的產(chǎn)品和服務(wù)提供商，西安紫光國(guó)芯將繼續(xù)以科技創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，持續(xù)精耕細(xì)作，推出具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品和服務(wù)。


同時(shí)，在紫光集團(tuán)“大研發(fā)、大制造、大市場(chǎng)”戰(zhàn)略部署下，期待與產(chǎn)業(yè)伙伴攜手推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)，賦能產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

審核編輯：劉清