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R課堂 | 有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:未知 ? 2023-11-15 16:05 ? 次閱讀
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本文的關(guān)鍵要點(diǎn)

?要想實(shí)現(xiàn)碳中和,就需要進(jìn)一步提高DC-DC轉(zhuǎn)換器等功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率。

?IGBT和SiC肖特基勢(shì)壘二極管于一身的“Hybrid IGBT”,可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低成本,有助于實(shí)現(xiàn)適用于更多應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

隨著無(wú)碳社會(huì)進(jìn)程的加速,

對(duì)進(jìn)一步降低功耗的需求不斷增長(zhǎng)

在現(xiàn)代社會(huì),工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動(dòng)和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會(huì)消耗大量的能源。然而,近年來(lái),全球眾多國(guó)家和地區(qū)加快了實(shí)現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超出以往任的努力來(lái)應(yīng)對(duì)去碳化。

2021年末召開(kāi)的“聯(lián)合國(guó)氣候變化框架公約第26次締約方大會(huì)(COP26)”達(dá)成了“努力將全球平均氣溫升幅限制在工業(yè)革命前水平的1.5℃以內(nèi)”的決議文件(圖1)。決議文件將6年前《巴黎協(xié)定》中1.5℃的“努力目標(biāo)”升級(jí)為“必達(dá)目標(biāo)”,“我們國(guó)家很難從化石燃料轉(zhuǎn)向可再生能源,希望延緩實(shí)現(xiàn)目標(biāo)”之類的借口不再適用。未來(lái),各國(guó)政府應(yīng)該會(huì)陸續(xù)出臺(tái)減少溫室氣體(GHG)排放的具體政策和法規(guī)。特別是目前排放大量二氧化碳的汽車和工廠的生產(chǎn)活動(dòng),很可能成為需要減排的主要目標(biāo)。

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圖1 COP26將1.5℃目標(biāo)從“努力目標(biāo)”升級(jí)為“必達(dá)目標(biāo)”

將這種情況反映在具體行動(dòng)中的表現(xiàn)是全球已經(jīng)有很多國(guó)家和地區(qū)開(kāi)始執(zhí)行碳稅等“碳定價(jià)機(jī)制”,即將企業(yè)的二氧化碳排放量轉(zhuǎn)嫁到企業(yè)成本中的機(jī)制。根據(jù)世界銀行的數(shù)據(jù),截至2021年4月10日,全球已經(jīng)有46個(gè)國(guó)家和35個(gè)地區(qū)推行這種機(jī)制。特別是對(duì)于從事跨國(guó)業(yè)務(wù)的企業(yè)而言,已經(jīng)進(jìn)入了去碳化努力與公司產(chǎn)品的成本競(jìng)爭(zhēng)力直接相關(guān)的時(shí)代。

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用電力驅(qū)動(dòng)的設(shè)備和設(shè)施劇增,

當(dāng)務(wù)之急是提升效率

在去碳化的努力中,經(jīng)常被提及的是以所謂的“EV轉(zhuǎn)型”為中心的汽車電動(dòng)化、以及使用由可再生能源產(chǎn)生的電能。但是,僅靠這些還不足以實(shí)現(xiàn)1.5℃的目標(biāo),而且去碳化努力也不止這些。

根據(jù)《2021年全球可再生能源現(xiàn)狀報(bào)告》的記載,全球能源消耗總量的32%與汽車等發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)輸設(shè)備有關(guān),17%為家庭和工廠等使用的電能(圖2)。實(shí)際上,從百分比來(lái)看,可以說(shuō)目前因電力消耗而產(chǎn)生的二氧化碳排放量占比較少。剩下的51%則是讓工廠運(yùn)轉(zhuǎn)的渦輪機(jī)、熱處理等所用的鍋爐等設(shè)備,通過(guò)燃燒化石燃料來(lái)使用熱能的。這部分也是去碳化難度較大的部分。

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圖2 全球能源消耗總量的17%為電能 資料來(lái)源:REN21,《Renewables 2021 Global Status Report (GSR)》

未來(lái),全球的去碳化大致會(huì)按照如下戰(zhàn)略推進(jìn):首先,盡可能將能源消耗量大、燃燒化石燃料的相關(guān)運(yùn)輸設(shè)備和利用熱能的領(lǐng)域轉(zhuǎn)為利用電能,并進(jìn)行精細(xì)控制。該策略是將能源利用形態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐子诳刂频碾娔?。一般而言,比起一旦啟?dòng)就很難停止的發(fā)動(dòng)機(jī)、渦輪機(jī)和鍋爐,用電能驅(qū)動(dòng)的電機(jī)和加熱器更容易根據(jù)需求停止和運(yùn)轉(zhuǎn)。除此之外,還會(huì)通過(guò)利用可再生能源發(fā)電、僅在必要時(shí)在最高效的條件下運(yùn)行設(shè)備,來(lái)推動(dòng)節(jié)電。也就是說(shuō),未來(lái)由電力驅(qū)動(dòng)的設(shè)備、設(shè)施和工廠的數(shù)量將會(huì)急劇增加,這意味著希望以優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換效率運(yùn)行的電氣設(shè)備和機(jī)電設(shè)備的數(shù)量將急劇增加。

在電動(dòng)車輛(xEV)、工業(yè)用電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置、太陽(yáng)能發(fā)電廠的功率調(diào)節(jié)器、乃至工業(yè)設(shè)備和各種工廠的控制設(shè)備等應(yīng)用中,會(huì)配備有車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等各種功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而,在功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中總是存在著功率損耗。比如DC-DC轉(zhuǎn)換器,其轉(zhuǎn)換效率通常在80~95%左右。即使單次功率轉(zhuǎn)換時(shí)的效率較低,發(fā)電廠產(chǎn)生的電力通過(guò)傳輸和分配,到使用之前會(huì)經(jīng)歷幾次功率轉(zhuǎn)換,最終有約1/3變?yōu)闊崃炕螂姶挪ǘ鴵p耗掉。從這個(gè)損耗量要通過(guò)增設(shè)發(fā)電廠數(shù)量來(lái)補(bǔ)償?shù)慕嵌瓤?,可以知道這個(gè)浪費(fèi)有多么大。更大程度地減少損耗是推動(dòng)去碳化的關(guān)鍵要點(diǎn)。

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而且,重要的是,提高電能利用率的解決方案,不僅需要更加高效的相關(guān)產(chǎn)品,還需要能夠適用于更多應(yīng)用。這是因?yàn)?,即使是可以大幅提高效率的技術(shù),如果引進(jìn)該技術(shù)所需的成本過(guò)高,其應(yīng)用范圍就會(huì)受到限制,從而無(wú)法全面降低功耗。

利用SiC器件降低損耗,

利用混合器件提供優(yōu)質(zhì)解決方案

降低功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)損耗的方法包括改進(jìn)轉(zhuǎn)換電路的配置,以及采用工作時(shí)損耗低的功率器件。

近年來(lái),IGBT等傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件已經(jīng)開(kāi)始逐漸被碳化硅(SiC)基的功率器件取代。與Si器件相比,SiC器件的導(dǎo)通電阻更低,在高溫、高頻、高電壓環(huán)境下的性能更出色。由于具備這些特點(diǎn),SiC器件有望成為適用于多在嚴(yán)苛環(huán)境下使用的汽車和工業(yè)用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的下一代低損耗器件。

SiC器件在太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電設(shè)備中的DC-AC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的車載充電器和功率轉(zhuǎn)換器、工業(yè)設(shè)備等的功率逆變器電源、以及蓄電設(shè)備等中的應(yīng)用正在不斷增加。在這種背景下,ROHM量產(chǎn)并供應(yīng)650V/1200V耐壓的SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)、650V/750V/1200V/1700V耐壓的SiC MOSFET

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目前很多功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)使用的是硅基IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)或SJ-MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為開(kāi)關(guān)器件。其中,IGBT具有生產(chǎn)成本低廉的優(yōu)點(diǎn),但當(dāng)其用于電機(jī)和線圈等感性負(fù)載時(shí),需要續(xù)流二極管才能工作。另外,IGBT通常存在關(guān)斷損耗問(wèn)題。SJ-MOSFET具有關(guān)斷損耗低的優(yōu)點(diǎn),但其存在難以支持大功率的問(wèn)題。而SiC MOSFET和SiC SBD組合使用,可以大幅提高功率轉(zhuǎn)換效率。但是,目前由于用來(lái)形成元件的襯底—SiC晶圓極其昂貴,因此現(xiàn)狀是其應(yīng)用范圍受到限制。

要想積極推動(dòng)去碳化,能夠適用于更廣泛的應(yīng)用、并同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率和低成本的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)解決方案是不可或缺的。針對(duì)這種需求,ROHM將適合降低成本的IGBT和能夠提高效率的SiC器件的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合起來(lái),打造出突破性的解決方案“Hybrid IGBT”。該解決方案使用SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管,可以大幅降低導(dǎo)通損耗。通過(guò)改善半橋配置中續(xù)流側(cè)器件(Low side)的關(guān)斷特性,改善了開(kāi)關(guān)側(cè)器件(High side)的導(dǎo)通損耗。此外,開(kāi)關(guān)器件元件本身采用了比SiC MOSFET更便宜的IGBT,因此可以降低成本,從而支持更廣泛的應(yīng)用。

ROHMHybrid IGBT的性能和優(yōu)勢(shì)

IGBT的續(xù)流二極管需要選用適合IGBT特性的產(chǎn)品。只是用碳化硅基二極管取代現(xiàn)有的硅基二極管,效率改善效果并不能達(dá)到預(yù)期。ROHM的650V耐壓Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的優(yōu)點(diǎn),并實(shí)現(xiàn)了一體化封裝。由于已經(jīng)在元器件層面優(yōu)化了需要進(jìn)行精密電路設(shè)計(jì)的部分,因此用戶使用該系列產(chǎn)品可以輕松構(gòu)建性價(jià)比高的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

將RGWxx65C系列應(yīng)用于車載充電器時(shí),與以往的IGBT相比,損耗可降低67%;與SJ-MOSFET相比,損耗可降低24%(圖3)。在轉(zhuǎn)換效率方面,可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,而且,只需替換當(dāng)前所用的配有IGBT的電路,即可實(shí)現(xiàn)這種效率提升效果。本系列產(chǎn)品還符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101”,即使在車載和工業(yè)設(shè)備等的嚴(yán)苛環(huán)境下也可以安心使用。

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可以說(shuō)ROHM的Hybrid IGBT是有助于更多汽車和工廠的去碳化、應(yīng)用效果非常出色的器件。

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圖3

與本文相關(guān)的ROHM產(chǎn)品介紹

?wKgaomVUfNyAU8sXAAHWVA-hQ9g083.png?

☆:開(kāi)發(fā)中 封裝采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。( )內(nèi)表示ROHM封裝。

點(diǎn)擊查看產(chǎn)品詳情:RGW60TS65CHR、

RGW80TS65CHRRGW00TS65CHR

※除了本系列Hybrid IGBT外,產(chǎn)品陣容中還包括使用Si-FRD作為續(xù)流二極管的產(chǎn)品和無(wú)續(xù)流二極管的產(chǎn)品。了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):場(chǎng)截止溝槽型IGBT

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    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>二極管</b>相比普通<b class='flag-5'>二極管</b>有哪些優(yōu)勢(shì)呢?

    你知道什么是“二極管發(fā)言”嗎?

    。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),“二極管發(fā)言”就是指那些、“非此即彼”、“走極端”、“非黑即白”、“認(rèn)死理”、“容不得半點(diǎn)不同意見(jiàn)”的言論。 理解“二極管發(fā)言”有助于我們?cè)诰W(wǎng)絡(luò)交流和現(xiàn)實(shí)生活中識(shí)別這種思維模式,我們應(yīng)該努力進(jìn)行更全面、辯證、理性的
    發(fā)表于 06-11 09:47

    MDD高壓二極管在電力設(shè)備中的應(yīng)用:絕緣與可靠性的平衡

    環(huán)境下,高壓二極管的工作點(diǎn)應(yīng)留出充分裕量,不能讓器件長(zhǎng)期工作在極限條件。良好的散熱器、導(dǎo)熱膠、強(qiáng)制風(fēng)冷等方案,有助于降低結(jié)溫、延長(zhǎng)壽命。 MDD高壓二極管在電力
    發(fā)表于 06-09 13:55

    從耐壓到漏電流:MDD高壓整流二極管的關(guān)鍵參數(shù)選擇指南

    在高壓應(yīng)用場(chǎng)景中,例如脈沖電源、X射線設(shè)備工業(yè)高壓模塊、激光驅(qū)動(dòng)、高壓電源等,MDD高壓整流二極管是系統(tǒng)中至關(guān)重要的元件。相比低壓二極管,高壓整流
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:57 ?1069次閱讀
    從耐壓到漏電流:MDD高壓整流<b class='flag-5'>二極管</b>的關(guān)鍵參數(shù)選擇指南
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