CSTIC 2024聚焦半導(dǎo)體技術(shù)，紫光國芯展示SeDRAM突破存儲(chǔ)墻方案
2024年，備受矚目的集成電路科學(xué)技術(shù)大會(huì)（CSTIC 2024）在上海國際會(huì)議中心盛大召開。此次大會(huì)由SEMI和IEEE-EDS聯(lián)合主辦，吸引了眾多半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的專家學(xué)者和企業(yè)代表。
在會(huì)議中，西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司副總裁左豐國發(fā)表了一場關(guān)于SeDRAM?技術(shù)的精彩演講。他詳細(xì)介紹了紫光國芯如何利用這一創(chuàng)新技術(shù)，在芯片級別上突破了“存儲(chǔ)墻”的難題。
SeDRAM?技術(shù)憑借其獨(dú)特的堆疊嵌入式DRAM設(shè)計(jì)，能夠?yàn)樗懔π酒峁@人的內(nèi)存訪問帶寬，高達(dá)每秒數(shù)十TB，同時(shí)保持高達(dá)數(shù)十GB的存儲(chǔ)容量。這一技術(shù)的核心在于利用異質(zhì)集成工藝，將DRAM存儲(chǔ)陣列晶圓和邏輯晶圓進(jìn)行3D堆疊，實(shí)現(xiàn)金屬層的直接互連。與傳統(tǒng)HBM或DDR內(nèi)存方案相比，SeDRAM?技術(shù)省去了PHY-PHY互連結(jié)構(gòu)，從而實(shí)現(xiàn)了超大帶寬、超低功耗和低延遲的數(shù)據(jù)互連。
此次演講不僅展示了紫光國芯在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力，也為整個(gè)行業(yè)提供了全新的思考角度和解決方案。
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