珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司，作為國內(nèi)領先的一站式存儲NVM IP供應商，近日宣布其基于55納米高壓（55HV 1.2V/6V/32V Process）工藝制程的OTP IP(一次性可編程存儲IP核）已在國內(nèi)排名前三的晶圓代工廠實現(xiàn)IP上架。該OTP IP嚴格通過了非易失性存儲考核標準的三個批次可靠性測試驗證，滿足了晶圓代工廠的上架標準，最終成功實現(xiàn)上架。這一重要里程碑標志著創(chuàng)飛芯在為客戶提供安全、可靠的55HV工藝制程OTP IP解決方案上邁出了堅實的一步。

“我們很高興看到55HV工藝OTP IP在晶圓代工廠的成功上架，這不僅證明了創(chuàng)飛芯在非易失性存儲IP的技術(shù)實力，也為我們的合作伙伴和客戶帶來了實實在在的價值?！眲?chuàng)飛芯的首席執(zhí)行官George Wang表示，“這一里程碑進一步完善了我們OTP IP產(chǎn)品在各個重要工藝節(jié)點的布局，能夠為客戶提供更高可靠性、低成本、小面積的OTP IP解決方案。”

OTP IP在LCD顯示驅(qū)動應用

OTP(One-Time Programmable)IP ，一次可編程知識產(chǎn)權(quán)核，燒入后可使得數(shù)據(jù)不能被再次更改和清除。隨著嵌入式應用越來越廣泛，OTP 可起到保護硬件設計的作用，同時能夠保護產(chǎn)品安全，防止被非法侵入，被廣泛應用于顯示驅(qū)動、圖像傳感器、電源管理芯片、MCU、藍牙芯片等領域。

基于55HV（55HV 1.2V/6V/32V Process）工藝制程的OTP IP被廣泛應用于LCD顯示驅(qū)動領域，OTP在該領域中發(fā)揮著畫面校正、確保顯示效果穩(wěn)定的重要作用。由于畫面閃爍或抖動是因為IC中的V-Common 電壓偏移所造成的，IC在通過光傳感器檢測不同V-Common電壓下面板閃爍模式的亮度表現(xiàn)，尋找在不同V-Common電壓下面板的最小交流波形幅度后，通過OTP記錄此時的最佳值，燒錄于IC中，從而實現(xiàn)消除畫面閃爍的目的。

創(chuàng)飛芯55HV工藝OTP IP具備高良率及支持寬壓供電等優(yōu)勢

高可靠性及高良率：創(chuàng)飛芯核心團隊于2013年已成功獲得OTP相關(guān)專利，在反熔絲OTP IP技術(shù)上積累了深厚的基礎，反熔絲 OTP IP的底層技術(shù)是通過氧化層擊穿編程，并且由于制造工藝不需要進行任何更改，因此反熔絲 OTP IP可以獲得與標準 CMOS 工藝相同的良率和高可靠性。同時，創(chuàng)飛芯在設計中加入了冗余，可使OTP獲得更高可靠性及良率。

支持寬壓供電：該IP支持寬壓供電，能夠適應不同電壓等級的電源，兼容性更強，適用的工作應用場景更廣泛，并且能夠提供更高的穩(wěn)定性。

豐富量產(chǎn)驗證：創(chuàng)飛芯HV平臺的OTP在2015年已經(jīng)有第一家顯示驅(qū)動行業(yè)龍頭客戶量產(chǎn)，并持續(xù)穩(wěn)定供貨至今，已量產(chǎn)累計超過10萬片以上晶圓，得到了廣泛的市場驗證及客戶認可，安全可靠。

關(guān)于創(chuàng)飛芯科技

創(chuàng)飛芯目前與國內(nèi)外多家先進晶圓制造廠商都建立了深度戰(zhàn)略合作關(guān)系，工藝節(jié)點已驗證覆蓋包括180/130/110/90/55/40/28/22納米等，并且能夠根據(jù)不同工藝節(jié)點和不同技術(shù)路線的特點，幫助客戶采用能滿足其應用場景和特定需求，在功耗、尺寸、性能、成本等各方面指標達到需求的OTP IP最優(yōu)方案。

創(chuàng)飛芯作為大陸領先的一站式NVM IP供應商，能夠提供OTP/MTP/eFlash/Nor/Nand/EEPROM等覆蓋一次、多次到100萬次可編程的全站式NVM IP，目前已累計服務客戶超過50家，超10億顆芯片使用創(chuàng)飛芯的NVM IP產(chǎn)品。創(chuàng)飛芯以其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越的服務，期待持續(xù)為全球半導體市場提供領先的NVM IP解決方案。

審核編輯 黃宇