派恩杰半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)推出多款模塊產(chǎn)品，助力新能源！
審核編輯：劉清
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
新能源
+關(guān)注
關(guān)注
27文章
6862瀏覽量
114639 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31208瀏覽量
266382
原文標(biāo)題：派恩杰半導(dǎo)體強(qiáng)勢(shì)推出多款模塊產(chǎn)品，助力新能源！
文章出處：【微信號(hào)：派恩杰半導(dǎo)體，微信公眾號(hào)：派恩杰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者：BASiC基本半導(dǎo)體
。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率
1400V碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣在光伏MPPT、儲(chǔ)能PCS及充電樁電源模塊中的應(yīng)用
專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本
派恩杰SiC DCM半橋模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)介紹
派恩杰DCM模塊的底層優(yōu)勢(shì)在于芯片設(shè)計(jì)與封裝工藝的深度協(xié)同，作為國(guó)內(nèi)少數(shù)擁有全套“銀燒結(jié)+DTS雙面散熱”技術(shù)的公司，其自主設(shè)計(jì)的超低寄生電感架構(gòu)，將雜散電感降低至行業(yè)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，確保
破局SiC高頻寄生電感難題，派恩杰推出嵌入式封裝方案
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 嵌入式封裝，在當(dāng)前功率模塊正在往更高功率密度，更高效率的趨勢(shì)下，成為了行業(yè)內(nèi)一個(gè)重要的技術(shù)趨勢(shì)。近期國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商派恩杰
派恩杰Easy 3B碳化硅模塊的應(yīng)用場(chǎng)景
派恩杰 Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度，在高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南
汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅
派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單
近日，派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩
TGV視覺(jué)檢測(cè) 助力半導(dǎo)體封裝行業(yè)# TGV檢測(cè)# 自動(dòng)聚焦系統(tǒng)# 半導(dǎo)體封裝
新能源半導(dǎo)體封裝
志強(qiáng)視覺(jué)科技
發(fā)布于 :2025年09月10日 16:43:33
派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOS
第三代半導(dǎo)體功率器件企業(yè)派恩杰獲“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)!
，最終評(píng)選出四大領(lǐng)域榮譽(yù)。憑借深厚的技術(shù)積累、巨大的市場(chǎng)潛力以及卓越的創(chuàng)新實(shí)力，派恩杰半導(dǎo)體在本次評(píng)選中榮幸獲得“2025尋找寧波最具投資價(jià)值企業(yè)”最具潛力獎(jiǎng)。 于2024年落戶寧波·
派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用
在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行，派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺(tái)下，5mm × 5mm芯片尺寸
派恩杰3300V MOSFET晶圓的應(yīng)用場(chǎng)景
派恩杰3300V MOSFET晶圓，專為高耐壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)的第三代半導(dǎo)體功率器件核心材料，基于4H-SiC晶圓，擊穿電壓達(dá)3300V以上，相比于傳統(tǒng)硅基器件(如IGBT)，它在高壓、高溫、
派恩杰半導(dǎo)體SNEC 2025圓滿收官
近日，全球最具影響力的國(guó)際化、專業(yè)化、規(guī)?；夥?huì)“SNEC第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)”圓滿閉幕。派恩杰半導(dǎo)體在【6.1
比亞迪半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025
近日，全球功率電子行業(yè)盛會(huì)PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡開幕。作為中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，比亞迪半導(dǎo)體攜多款功率半導(dǎo)體元件及模塊
評(píng)論