臺(tái)積電高級(jí)副總裁兼聯(lián)席COO張曉強(qiáng)在2024技術(shù)論壇上透露，該公司已成功整合了多種晶體管設(shè)計(jì)，并在實(shí)驗(yàn)室中制造出CFET（互補(bǔ)式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。他進(jìn)一步指出，CFET有望應(yīng)用于先進(jìn)邏輯工藝和下一代邏輯工藝，臺(tái)積電研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于引入新型材料，以實(shí)現(xiàn)在單個(gè)邏輯芯片中容納超過2000億個(gè)晶體管，從而推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步。

張曉強(qiáng)強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體行業(yè)的黃金時(shí)代已然來臨，未來AI芯片的發(fā)展幾乎99%都依賴于臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯技術(shù)與先進(jìn)封裝技術(shù)。臺(tái)積電憑借其技術(shù)創(chuàng)新，將使芯片性能提升，能耗降低。

關(guān)于2nm的進(jìn)展，張曉強(qiáng)表示，采用納米片技術(shù)的2nm進(jìn)展順利，目前納米片轉(zhuǎn)換效率已達(dá)目標(biāo)的90%，良品率超過80%，預(yù)計(jì)將于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

張曉強(qiáng)還提到，基于2nm技術(shù)，臺(tái)積電全球首發(fā)的A16制程技術(shù)結(jié)合獨(dú)特的背面供電技術(shù)，可使芯片性能較2nm提高8%-10%，同時(shí)能耗降低15%-20%。臺(tái)積電計(jì)劃于2026年將A16投入量產(chǎn)，首款芯片將用于數(shù)據(jù)中心高性能計(jì)算領(lǐng)域。

此外，臺(tái)積電成功在實(shí)驗(yàn)室中集成了P-FET和N-FET兩種不同類型的晶體管，制成了CFET架構(gòu)的芯片，這是2nm采用納米片架構(gòu)創(chuàng)新之后的又一次全新晶體管架構(gòu)創(chuàng)新。

張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電研發(fā)團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)探索新的集成晶體管材料和創(chuàng)新架構(gòu)，如Ws2或WoS2等無機(jī)納米管或納米碳管，這意味著除了將CFET引入更先進(jìn)的埃米級(jí)制程之外，臺(tái)積電還將持續(xù)推動(dòng)更先進(jìn)的晶體管架構(gòu)創(chuàng)新。

另一方面，臺(tái)積電3nm量產(chǎn)廠長(zhǎng)黃遠(yuǎn)國(guó)表示，盡管臺(tái)積電今年將把3nm產(chǎn)能擴(kuò)大三倍，但仍然無法滿足市場(chǎng)需求。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電今年將在國(guó)內(nèi)外新建七座工廠，涵蓋先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝和成熟制程。

黃遠(yuǎn)國(guó)指出，自2020年至2024年，臺(tái)積電3nm、5nm、7nm制程產(chǎn)能的復(fù)合年均增長(zhǎng)率高達(dá)25%，特殊制程則為10%，車用芯片出貨量的復(fù)合年均增長(zhǎng)率約為50%。

黃遠(yuǎn)國(guó)還表示，臺(tái)積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的占比正在逐步上升，預(yù)計(jì)到2024年將達(dá)到67%。在2022至2023年間，臺(tái)積電平均每年建設(shè)五個(gè)工廠，而今年計(jì)劃建設(shè)的工廠數(shù)量增加至七個(gè)，包括在中國(guó)臺(tái)灣建設(shè)三個(gè)晶圓廠、兩個(gè)封裝廠以及在海外建設(shè)兩個(gè)工廠。