5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽(yáng)區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽(yáng)區(qū)工業(yè)與信息化局領(lǐng)導(dǎo)以及青島膠州灣綜合保稅區(qū)管委共同見(jiàn)證了這一歷史時(shí)刻。西安電子科技大學(xué)毛教授與青島佳恩半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理王丕龍先生在戰(zhàn)略合作協(xié)議上簽字，標(biāo)志雙方的合作全面進(jìn)入一個(gè)新的階段，對(duì)雙方來(lái)說(shuō)，這都是具有里程碑意義的一件大事。

青島佳恩半導(dǎo)體有限公司一直致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造及銷(xiāo)售，作為新一代的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和自主品牌。此次簽約儀式雙方就共同研究開(kāi)展GAN（氮化鎵）功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺(tái)開(kāi)展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)氮化鎵功率器件特點(diǎn)，開(kāi)展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開(kāi)展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，是佳恩半導(dǎo)體開(kāi)展功率器件研發(fā)的關(guān)鍵一步。

佳恩半導(dǎo)體將繼續(xù)以“中國(guó)芯”的社會(huì)責(zé)任為己任，不斷變革創(chuàng)新，為節(jié)能減排、推動(dòng)新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化做出貢獻(xiàn)，同時(shí)進(jìn)一步推動(dòng)“中國(guó)芯”的發(fā)展進(jìn)程，努力創(chuàng)建并成為中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)尤其是IGBT芯片行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。