摘要
本文聚焦半導體晶圓研磨工藝,介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法,深入探究其對晶圓總厚度變化(TTV)均勻性的提升作用,為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技術(shù)思路與理論依據(jù)。
引言
在半導體制造過程中,晶圓的總厚度變化(TTV)均勻性是影響芯片性能和良率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)聚氨酯研磨墊在研磨過程中,因結(jié)構(gòu)均一,難以滿足復雜研磨工況下對晶圓 TTV 均勻性的高精度要求。梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊通過設(shè)計不同區(qū)域的物理化學性能,有望實現(xiàn)對晶圓研磨壓力、磨粒分布等的精準調(diào)控,從而有效提升晶圓 TTV 均勻性,成為當前研究熱點。
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備采用分步聚合與分層復合工藝。首先,根據(jù)不同性能需求,調(diào)配具有不同硬度、彈性模量和磨粒負載能力的聚氨酯預聚體。例如,靠近晶圓一側(cè)的預聚體可添加更多細粒徑磨粒,增強切削能力;而外層預聚體則注重彈性與緩沖性能,減少研磨過程中的應(yīng)力集中。然后,利用多層涂布或模壓成型技術(shù),將不同性能的聚氨酯材料逐層復合,通過精確控制各層的厚度與界面結(jié)合強度,形成具有梯度結(jié)構(gòu)的研磨墊。此外,還可通過改變反應(yīng)條件,如溫度、催化劑濃度等,進一步優(yōu)化梯度結(jié)構(gòu)的性能參數(shù)。
對晶圓 TTV 均勻性的提升機制
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊對晶圓 TTV 均勻性的提升主要通過壓力均勻分布和磨粒動態(tài)調(diào)控實現(xiàn)。在研磨過程中,其梯度彈性結(jié)構(gòu)能夠自適應(yīng)地調(diào)節(jié)與晶圓表面的接觸壓力,避免局部壓力過大導致的過度研磨。同時,不同區(qū)域的磨粒濃度梯度,使得研磨初期由高濃度磨粒快速去除材料,研磨后期低濃度磨粒進行精細拋光,有效減少了研磨缺陷。而且,梯度結(jié)構(gòu)還能改善研磨液在研磨墊與晶圓間的流動特性,及時帶走研磨碎屑,降低二次劃傷風險,從而全方位提升晶圓 TTV 均勻性。
實驗驗證
為驗證梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊對晶圓 TTV 均勻性的提升效果,設(shè)計對比實驗。對照組采用傳統(tǒng)均一結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊,實驗組使用新制備的梯度結(jié)構(gòu)研磨墊,在相同研磨工藝參數(shù)下對晶圓進行研磨。實驗過程中,利用高精度檢測設(shè)備實時監(jiān)測晶圓 TTV 值。初步實驗數(shù)據(jù)表明,實驗組晶圓的 TTV 波動范圍較對照組縮小約 30%,平均 TTV 值降低 25%,顯示出梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊在提升晶圓 TTV 均勻性方面的顯著優(yōu)勢。
高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術(shù),精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題,重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點,經(jīng)不同時段測量驗證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性:

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重摻P型硅,到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?
對重摻型硅,可精準探測強吸收晶圓前后表面;?
點掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串擾,勝任粗糙晶圓表面測量;?
通過偏振效應(yīng)補償,增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強,顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

(以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)
系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計,還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。
-
半導體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31160瀏覽量
266109 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5442瀏覽量
132696 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3532瀏覽量
52632
發(fā)布評論請先 登錄
優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機制與參數(shù)設(shè)計
超薄晶圓切割液性能優(yōu)化與 TTV 均勻性保障技術(shù)探究
梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對晶圓 TTV 均勻性的提升
評論