新型鍵合材料對于在高級半導體制造工藝中保持超薄晶圓的完整性至關(guān)重要。有了新型材料的配合，臨時鍵合在晶圓減薄工藝中愈發(fā)成為可能。

隨著半導體晶圓制程對縮小特征尺寸和引入全尺寸3D集成需求高漲，晶圓越來越薄。雖然現(xiàn)在已經(jīng)有了將晶圓減薄至低于100微米的工藝，但獲得更薄晶圓（<50 μm）的代價卻是令它們變得極度脆弱，因為深度的減薄工藝和后端的金屬化工藝會給超薄晶圓施加額外應力，從而導致翹曲或斷裂。

晶圓減薄工藝包括用聚合物鍵合材料，將器件晶圓暫時接合到承載晶圓上，并通過苛刻的后端穩(wěn)定晶圓工藝來支撐超薄的器件襯底。至于剝離技術(shù)，三種主流的剝離晶片襯底的方法有：熱滑動剝離、機械剝離和激光剝離，其中發(fā)展最迅速的為后兩種剝離技術(shù)。

下表整理了三種剝離方法的主要特性：

熱滑動剝離、機械剝離和激光剝離法正成為下一代超薄半導體晶圓的關(guān)鍵推動力。三種方法各有優(yōu)勢，技術(shù)工藝也在不斷取得進步，為先進封裝應用領(lǐng)域帶來創(chuàng)新推動力。下一代超薄晶圓制造業(yè)中，臨時鍵合正在飛速發(fā)展，這些剝離方法也將在半導體行業(yè)得到更多的應用。