包括IC和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均已歷經(jīng)好一陣子景氣正循環(huán)，進(jìn)入2018年下半及2019年后恐將減速，甚至是遇上亂流。盡管2018年下半對(duì)于許多芯片的市場(chǎng)需求，依舊維持健全水準(zhǔn)，但已有部分警訊浮現(xiàn)，首先是NAND Flash市場(chǎng)預(yù)期將從產(chǎn)能短缺，逐漸進(jìn)入產(chǎn)能過剩的潛在期，時(shí)間點(diǎn)落在2018年下半或2019年，至于DRAM價(jià)格預(yù)期將會(huì)逐漸受到侵蝕。

其次，8吋晶圓廠產(chǎn)能依舊維持相當(dāng)吃緊的水準(zhǔn)，然晶圓代工廠商將逐漸從16／14納米制程，轉(zhuǎn)移到10／7納米制程，隨著客戶群紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)到22納米制程之后，占晶圓廠營(yíng)收大宗的28納米制程，將出現(xiàn)增長(zhǎng)減緩的態(tài)勢(shì)。

再者，大陸與美國(guó)之間的貿(mào)易沖突已升級(jí)到貿(mào)易戰(zhàn)爭(zhēng)層次，此一態(tài)勢(shì)先前已影響到美光(Micron)、高通(Qualcomm)等廠商營(yíng)運(yùn)與合并案審查，此一對(duì)立局面短時(shí)間內(nèi)恐將繼續(xù)沖擊包括半導(dǎo)體及其他領(lǐng)域的相關(guān)廠商。

以2018年上半來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)受惠于2017年以來的景氣好轉(zhuǎn)帶動(dòng)，DRAM價(jià)格維持相對(duì)高檔，貢獻(xiàn)整體IC產(chǎn)業(yè)營(yíng)收大幅攀升。在此同時(shí)，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)也受到NAND Flash、DRAM和晶圓代工廠商等需求而帶動(dòng)。

目前看來半導(dǎo)體市場(chǎng)并非全都是偏向失望與前景黯淡的訊號(hào)，智能型手機(jī)市場(chǎng)似乎呈現(xiàn)微幅上揚(yáng)態(tài)勢(shì)，而5G、人工智能(AI)、機(jī)器學(xué)習(xí)、車用電子及工業(yè)領(lǐng)域等市場(chǎng)，均持續(xù)成為推動(dòng)芯片需求增長(zhǎng)的動(dòng)能。

根據(jù)SemiconductorEngineering引述IHS分析師表示，估計(jì)2018年全球IC市場(chǎng)可望健全增長(zhǎng)14.9%，最大的增長(zhǎng)動(dòng)能主要由存儲(chǔ)器領(lǐng)軍，存儲(chǔ)器市場(chǎng)預(yù)期年增率可望上看30.8%，值得注意的是，若將存儲(chǔ)器排除計(jì)算，半導(dǎo)體其他領(lǐng)域的增長(zhǎng)幅度僅有7.8%，比起前一年的10%稍微下滑。

展望2019年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣持續(xù)冷卻，預(yù)期年增率僅有4%，且2019年的微冷景氣，恐怕是來自于存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)收增長(zhǎng)減緩所致，2019年NAND Flash最有可能出現(xiàn)產(chǎn)能過剩情況，而DRAM也開始出現(xiàn)價(jià)格遭受侵蝕的情況。

廠商認(rèn)為關(guān)鍵問題在于終端市場(chǎng)，受困于市場(chǎng)飽和沖擊，智能型手機(jī)市場(chǎng)需求持續(xù)減緩，然而無(wú)論是物聯(lián)網(wǎng)、5G或自駕車等全新的終端市場(chǎng)動(dòng)能，都還未能成熟到足以驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)，取代手機(jī)和PC所帶來的營(yíng)收效能，這亦是2019年半導(dǎo)體景氣恐將面臨的困境。