威兆半導體推出的VS3620GEMC是一款面向 30V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，基于 FastMOS II 技術實現低導通電阻與高效能，適配低壓 DC/DC 轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值4.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值6.0mΩ，低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：60A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為40A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：24A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為20A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：240A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• FastMOS II 技術：實現快速開關特性與高能量轉換效率，提升系統(tǒng)功率密度；
• 超低導通電阻：4.0~6.0mΩ 低阻設計，大幅降低低壓大電流場景下的傳導損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 27mJ，感性負載開關場景下穩(wěn)定性強；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無鉛引腳鍍層，滿足無鹵要求且符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 5000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設計；
• 典型應用：
  • 低壓大電流 DC/DC 轉換器：在 30V 級降壓拓撲中作為開關管，低阻特性降低傳導損耗；
  • 同步整流電路：適配低壓電源的同步整流回路，提升電源轉換效率；
  • 中功率負載開關：用于消費電子、工業(yè)設備的大電流負載通斷管理。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）