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onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN:高性能電源解決方案

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-05 10:52 ? 次閱讀
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onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN:高性能電源解決方案

引言

在當(dāng)今電子設(shè)備對電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下,碳化硅(SiC)肖特基二極管憑借其卓越的性能,逐漸成為電源設(shè)計領(lǐng)域的熱門選擇。本文將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)的一款40 A、1200 V的碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN,包括其技術(shù)特點、性能參數(shù)、典型特性以及封裝尺寸等方面,為電子工程師在電源設(shè)計中提供有價值的參考。

文件下載:onsemi NDSH40120CDN碳化硅 (SiC) 肖特基二極管.pdf

碳化硅肖特基二極管技術(shù)優(yōu)勢

碳化硅肖特基二極管采用了全新的技術(shù),與傳統(tǒng)的硅二極管相比,具有顯著的優(yōu)勢。它沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點使得碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的代表。在系統(tǒng)應(yīng)用中,使用碳化硅肖特基二極管可以帶來諸多好處,如實現(xiàn)最高效率、支持更快的工作頻率、提高功率密度、降低電磁干擾(EMI)以及減小系統(tǒng)尺寸和成本。

NDSH40120CDN特點

卓越的性能參數(shù)

  • 高結(jié)溫能力:最大結(jié)溫可達(dá)175°C,這使得該二極管能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于各種惡劣的工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。
  • 雪崩額定能量:單脈沖雪崩能量(EAS)為166 mJ,這表明它在承受瞬間高能量沖擊時具有較好的可靠性。
  • 高浪涌電流容量:非重復(fù)性峰值正向浪涌電流(IF.Max)在不同溫度條件下表現(xiàn)出色,如在Tc = 25°C、10 μs時可達(dá)907 A,Tc = 150°C、10 μs時為838 A,能夠有效應(yīng)對瞬間大電流沖擊。
  • 正溫度系數(shù):正溫度系數(shù)特性使得該二極管易于并聯(lián)使用,方便工程師根據(jù)實際需求擴(kuò)展電流容量。
  • 無反向恢復(fù)和正向恢復(fù):這一特性減少了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。
  • 環(huán)保合規(guī):該器件無鹵化物,符合RoHS指令豁免條款7a,并且在二級互連(2LI)上為無鉛設(shè)計,符合環(huán)保要求。

豐富的應(yīng)用場景

NDSH40120CDN適用于多種通用應(yīng)用,包括開關(guān)電源(SMPS)、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及各種功率開關(guān)電路。

絕對最大額定值

Symbol Parameter Value Unit
VRRM 峰值重復(fù)反向電壓 1200 V
EAS 單脈沖雪崩能量(Note 1) 166 mJ
IF 連續(xù)整流正向電流@Tc < 149°C 20*/40** A
連續(xù)整流正向電流@Tc < 135°C 26*/52** A
IF.Max 非重復(fù)性峰值正向浪涌電流(Tc = 25°C, 10 μs) 907 A
非重復(fù)性峰值正向浪涌電流(Tc = 150°C, 10 μs) 838 A
IF.SM 非重復(fù)性正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) 123 A
IF.RM 重復(fù)性正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) 49 A
Ptot 功率耗散(Tc = 25°C) 217 W
功率耗散(Tc = 150°C) 36 W
TJ, TSTG 工作和存儲溫度范圍 -55 至 +175 °C

需要注意的是,應(yīng)力超過最大額定值表中列出的值可能會損壞器件。如果超過這些限制,不能保證器件的功能正常,可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱特性

Symbol Parameter Value Unit
RaUC 熱阻,結(jié)到外殼,最大 0.69*/0.39** °C/W
RBJA 熱阻,結(jié)到環(huán)境,最大 40 °C/W

良好的熱特性確保了二極管在工作過程中能夠有效地散熱,維持穩(wěn)定的性能。

電氣特性

Symbol Parameter Test Condition Min Typ Max Unit
VF 正向電壓(IF = 20 A, TJ = 25°C) 1.36 1.75 V
正向電壓(IF = 20 A, TJ = 125°C) 1.60 V
正向電壓(IF = 20 A, TJ = 175°C) 1.81 V
IR 反向電流(VR = 1200 V, TJ = 25°C) 2.39 200 μA
反向電流(VR = 1200 V, TJ = 125°C) 6.91 200 μA
反向電流(VR = 1200 V, TJ = 175°C) 16.6 200 μA
Qc 總電容電荷(V = 800 V) 95 nC
C 總電容(VR = 1 V, f = 100 kHz) 1494 pF
總電容(VR = 400 V, f = 100 kHz) 80 pF
總電容(VR = 800 V, f = 100 kHz) 60 pF

這些電氣特性為工程師在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù),幫助他們優(yōu)化電路性能。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,包括正向特性、反向特性、電流降額、功率降額、電容電荷與反向電壓關(guān)系、電容與反向電壓關(guān)系、電容存儲能量以及結(jié)到外殼瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線直觀地展示了二極管在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)實際應(yīng)用需求進(jìn)行參考和分析。

封裝尺寸

NDSH40120CDN采用TO - 247 - 3LD CASE 340CX封裝,詳細(xì)的封裝尺寸信息如下:

DIM MILLIMETERS
MIN NOM MAX
A 4.58 4.70 4.82
A1 2.20 2.40 2.60
A2 1.40 1.50 1.60
D 20.32 20.57 20.82
E 15.37 15.62 15.87
E2 4.96 5.08 5.20
e 5.56
L 19.75 20.00 20.25
L1 3.69 3.81 3.93
P 3.51 3.58 3.65
Q 5.34 5.46 5.58
S 5.34 5.46 5.58
b 1.17 1.26 1.35
b2 1.53 1.65 1.77
b4 2.42 2.54 2.66
C 0.51 0.61 0.71
D1 13.08
D2 0.51 0.93 1.35
E1 12.81
P1 6.60 6.80 7.00

合適的封裝尺寸對于電路板布局和散熱設(shè)計至關(guān)重要,工程師在設(shè)計時需要充分考慮這些因素。

訂購信息

Part Number Top Marking Package Shipping
NDSH40120CDN DSH40120CDN TO - 247 - 3LD (Pb - Free / Halogen Free) 30 Units/Tube

工程師可以根據(jù)實際需求進(jìn)行訂購,確保器件的及時供應(yīng)。

總結(jié)

安森美(onsemi)的NDSH40120CDN碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能、豐富的特點以及良好的熱特性和電氣特性,為電子工程師在電源設(shè)計中提供了一個可靠的解決方案。無論是在開關(guān)電源、太陽能逆變器還是其他功率開關(guān)電路中,該二極管都能夠發(fā)揮重要作用,幫助工程師實現(xiàn)高效、可靠的電源系統(tǒng)設(shè)計。在實際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計要求,結(jié)合二極管的各項參數(shù)和特性,進(jìn)行合理的電路設(shè)計和布局,以充分發(fā)揮其優(yōu)勢。同時,也要注意遵循器件的使用規(guī)范,避免超過其最大額定值,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在使用這款二極管的過程中,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。

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