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KEMET高壓U2J介質(zhì)SMD MLCCs:高效能電容解決方案

h1654155282.3538 ? 2025-12-15 14:10 ? 次閱讀
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KEMET高壓U2J介質(zhì)SMD MLCCs:高效能電容解決方案

引言

在當(dāng)今電子設(shè)備不斷向高性能、小型化發(fā)展的背景下,對(duì)于電子元件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在高AC電流諧振應(yīng)用,如電動(dòng)汽車(chē)的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和無(wú)線電力傳輸電路中,需要一款能夠滿足高效能轉(zhuǎn)換需求的電容產(chǎn)品。KEMET的Class I U2J高壓系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(SMD MLCCs)正是為此而生。

文件下載:KEMET U2J高壓I類(lèi)電介質(zhì)電容器.pdf

一、產(chǎn)品概述

KEMET的這款Class I U2J高壓系列SMD MLCCs,專(zhuān)為滿足高AC電流諧振應(yīng)用的不斷增長(zhǎng)需求而設(shè)計(jì)。像電動(dòng)汽車(chē)中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和無(wú)線電力傳輸電路這類(lèi)應(yīng)用,對(duì)電容的性能要求極高。該系列電容采用了KEMET專(zhuān)有的U2J介質(zhì),為設(shè)計(jì)者提供了一種表面貼裝解決方案,具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL),以及非常高的AC電流能力。這意味著在使用過(guò)程中,能夠?qū)2R熱損耗降至最低,從而實(shí)現(xiàn)更高效率的功率轉(zhuǎn)換。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

2.1 汽車(chē)級(jí)認(rèn)證

該電容通過(guò)了AEC - Q200汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,這表明它能夠滿足汽車(chē)電子領(lǐng)域?qū)α悴考?yán)格的質(zhì)量和可靠性要求,可應(yīng)用于汽車(chē)的各種關(guān)鍵系統(tǒng)中。

2.2 高紋波電流能力

具備非常高的紋波電流能力,能夠在復(fù)雜的電路環(huán)境中穩(wěn)定工作,承受較大的電流波動(dòng),保證電路的穩(wěn)定性。

2.3 低ESR和ESL

極低的ESR和ESL使得電容在高頻電路中具有出色的性能表現(xiàn),能夠有效降低能量損耗,提高電路的效率和響應(yīng)速度。

2.4 高電容穩(wěn)定性

在額定電壓下,能夠保留超過(guò)99%的標(biāo)稱(chēng)電容值。而且,其電容隨溫度的變化具有可預(yù)測(cè)性和線性,電容變化率在 - 750 ±120 ppm/°C 范圍內(nèi),工作溫度范圍為 - 55°C 至 +125°C,能適應(yīng)較為惡劣的工作環(huán)境。

2.5 環(huán)保合規(guī)

產(chǎn)品符合無(wú)鉛(Pb)、RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn),這不僅符合環(huán)保要求,也滿足了全球各地對(duì)電子產(chǎn)品環(huán)保法規(guī)的要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

3.1 寬禁帶(WBG)系統(tǒng)

在寬禁帶半導(dǎo)體(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN)系統(tǒng)中,該電容能夠發(fā)揮其高頻性能優(yōu)勢(shì),為系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電容支持。

3.2 電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域

無(wú)論是電動(dòng)汽車(chē)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)還是充電系統(tǒng),都對(duì)電容的性能和可靠性有很高的要求。這款電容的高電壓、高電流能力以及良好的溫度穩(wěn)定性,使其非常適合應(yīng)用于這些場(chǎng)景。

3.3 無(wú)線充電

在無(wú)線充電電路中,需要電容具備高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸能力。該電容的低損耗特性能夠提高無(wú)線充電的效率,減少能量損失。

3.4 電源轉(zhuǎn)換器逆變器

在電源轉(zhuǎn)換器和逆變器中,電容用于平滑電壓、濾波等功能。該電容的低ESR和ESL能夠有效提高這些電路的性能和效率。

四、訂購(gòu)信息

4.1 型號(hào)解讀

以“C3640C153JGJACAUTO”為例,各個(gè)字母和數(shù)字都有其特定的含義?!癈”代表陶瓷,“3640”是尺寸規(guī)格(L"xW"),“C”表示標(biāo)準(zhǔn)系列,“153”是電容代碼(對(duì)應(yīng)15,000 pF),“J”表示電容公差(±5%),“G”表示額定電壓為2,000 VDC,“J”表示U2J介質(zhì),“A”表示失效速率/設(shè)計(jì)相關(guān),“C”表示100% Matte Sn端接鍍層,“AUTO”表示汽車(chē)級(jí)7" 卷帶包裝。

4.2 包裝選項(xiàng)

不同的包裝類(lèi)型和等級(jí)有相應(yīng)的訂購(gòu)代碼(C - Spec)。例如,商業(yè)級(jí)有7" 卷帶/無(wú)標(biāo)記(TU)、13" 卷帶/無(wú)標(biāo)記(7210)等選項(xiàng);汽車(chē)級(jí)有7" 卷帶(AUTO)、13" 卷帶/無(wú)標(biāo)記(AUT7210)等選項(xiàng)。需要注意的是,汽車(chē)級(jí)包裝不支持激光標(biāo)記,如果有此需求,需聯(lián)系KEMET獲取詳細(xì)信息。

五、產(chǎn)品性能與可靠性測(cè)試

5.1 各項(xiàng)測(cè)試條件

產(chǎn)品經(jīng)過(guò)了一系列嚴(yán)格的性能和可靠性測(cè)試,如板彎曲測(cè)試(Board Flex)、可焊性測(cè)試(Solderability)、溫度循環(huán)測(cè)試(Temperature Cycling)、偏壓濕度測(cè)試(Biased Humidity)、高溫壽命測(cè)試(High Temperature Life)、存儲(chǔ)壽命測(cè)試(Storage Life)、振動(dòng)測(cè)試(Vibration)、機(jī)械沖擊測(cè)試(Mechanical Shock)和耐溶劑測(cè)試(Resistance to Solvents)等。

5.2 測(cè)試結(jié)果要求

在各項(xiàng)測(cè)試中,都有明確的測(cè)試條件和結(jié)果要求。例如,板彎曲測(cè)試要求無(wú)機(jī)械損傷跡象;可焊性測(cè)試要求端接處95%覆蓋且無(wú)浸出;溫度循環(huán)測(cè)試后電容、損耗因數(shù)(DF)和絕緣電阻(IR)需保持初始極限等。這些測(cè)試確保了產(chǎn)品在不同環(huán)境和工況下都能保持穩(wěn)定可靠的性能。

六、焊接與存儲(chǔ)建議

6.1 焊接工藝

推薦采用回流焊工藝,且建議對(duì)元件進(jìn)行預(yù)熱以避免極端熱應(yīng)力。KEMET針對(duì)不同的端接鍍層(SnPb和100% Matte Sn)給出了具體的回流焊推薦參數(shù),包括預(yù)熱/浸泡溫度、升溫速率、液相溫度、高于液相時(shí)間等。這些參數(shù)是基于IPC/JSTD - 020標(biāo)準(zhǔn)制定的,在這些條件下,元件最多可承受三次回流焊。

6.2 存儲(chǔ)條件

陶瓷片式電容器應(yīng)存儲(chǔ)在正常工作環(huán)境中。高溫、高濕度、腐蝕性氣氛和長(zhǎng)期存儲(chǔ)會(huì)降低其可焊性,同時(shí)高溫還可能導(dǎo)致包裝材料損壞。KEMET建議最大存儲(chǔ)溫度不超過(guò)40°C,最大存儲(chǔ)濕度不超過(guò)70%相對(duì)濕度,并盡量減少溫度波動(dòng)以避免部件上出現(xiàn)冷凝現(xiàn)象,存儲(chǔ)環(huán)境應(yīng)無(wú)含氯和含硫化合物。為保證最佳可焊性,芯片庫(kù)存應(yīng)在收到后1.5年內(nèi)使用。

七、總結(jié)

KEMET的Class I U2J高壓系列SMD MLCCs憑借其卓越的性能、廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證,為電子工程師在設(shè)計(jì)高AC電流諧振應(yīng)用電路時(shí)提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體的電路需求,合理選擇電容的型號(hào)和包裝,同時(shí)嚴(yán)格遵循焊接和存儲(chǔ)建議,以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。大家在使用過(guò)程中遇到任何問(wèn)題,歡迎一起交流探討。

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