隨著科技的發(fā)展,電子產(chǎn)品的設計越來越精致，電源體積要求越來越小，為滿足其更高的功率密度，各種轉(zhuǎn)換器拓撲的選擇與電源轉(zhuǎn)換技術都是提高工作頻率，減小磁性器件體積，來滿足整個方案的要求。但是為了提高工作頻率對MOS管有哪些要求呢?

1重點關注參數(shù)

01電壓參數(shù)

漏源擊穿電壓(VDS)：需大于電源輸入電壓峰值，通常留1.5-2倍余量。例如，若輸入電壓為24V，VDS應選48V及以上，以應對電壓尖峰和波動。

柵源電壓(VGS)：確保驅(qū)動電路輸出電壓與MOS管閾值電壓(VGS(th))匹配，一般VGS(th)需低于驅(qū)動電壓，且留一定余量(如驅(qū)動電壓為5V，VGS(th)選2-3V)

02電流參數(shù)

最大漏極電流(ID)：根據(jù)負載電流選型，ID應大于負載峰值電流，建議留1.5-2倍余量。例如，負載電流為3A，ID選5A及以上。

脈沖電流(IDM)：考慮負載啟動或瞬態(tài)電流沖擊，IDM需大于峰值脈沖電流。

03導通電阻RDS(on)

RDS(on)越小，導通損耗越低，效率越高。高頻下，RDS(on)的溫度系數(shù)需穩(wěn)定，避免高溫時電阻大幅增加。建議選擇RDS(on)在mΩ級別的MOS管，并注意其在最高工作溫度(如125℃)下的阻值變化。

04輸入電容(Ciss)

定義關系：Ciss = Cgs+Cgd(柵源電容+柵漏密勒電容)，直接決定柵極電荷(Qg)的充放電時間。

高頻開關損耗：高頻下，Ciss越大，柵極驅(qū)動電路需要更大的電流(I = C·dV/dt)才能快速充放電。若驅(qū)動能力不足，會導致：

導通/關斷延遲：延長開關過渡時間，增加開關損耗(如交叉導通損耗)。

開關頻率上限：Ciss過高會限制電源的最高工作頻率(例如>1MHz的LLC諧振拓撲)。

結(jié)電容Ciss在高頻電源中直接影響效率、可靠性和成本，是選型時需優(yōu)先評估的參數(shù)之一，需結(jié)合開關頻率、驅(qū)動能力及拓撲結(jié)構綜合考量。

05開關性能

柵極電荷(Qg)：Qg越小，開關速度越快，開關損耗越低。高頻應用中，優(yōu)先選擇Qg小于50nC的MOS管。

米勒電容(CGD)：CGD影響開關速度和米勒平臺損耗，應選CGD較小的MOS管，以減少開關時間。

開關延遲時間(td(on)/td(off))：td(on)和td(off)應小于10ns，確?？焖夙憫?/p>

06熱性能

熱阻(RθJA/RθJC)：選擇熱阻低的封裝，如TO-220、TO-247等，或帶有散熱片的封裝。若空間受限，可選DFN等小封裝，但需注意散熱設計。

最大功率耗散(PD)：根據(jù)電源功率和散熱條件選型，PD應大于實際功耗，避免過熱。

07封裝與可靠性

封裝類型：優(yōu)先選低寄生電感的封裝(如SO-8FL)，減少高頻下的寄生參數(shù)影響。若空間緊張，可選DFN封裝，但需注意爬電距離和散熱。

可靠性：選擇知名廠商的產(chǎn)品，確保長期穩(wěn)定性和抗干擾能力。

2電路圖

升降壓DC/DC

升壓DC/DC 、降壓DC/DC

3應用場景

MOSFET在高頻場景中的應用非常廣泛，主要應用于以下產(chǎn)品：

戶外儲能、充電寶、點煙器、筆記本、POS機、無人機等

4推薦選型

MDD的高頻功率MOS導通內(nèi)阻低，散熱好，可靠性高。MDD有完整的器件生產(chǎn)線，從材料輸入，到成品輸出，有完善的質(zhì)量體系，全程可控。

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深圳辰達半導體有限公司(簡稱MDD辰達半導體)是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。

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