CellularRAM PSRAM是一種兼具SRAM與DRAM特點的隨機存取存儲器。它采用單晶體管（1T）的DRAM存儲單元結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)六晶體管（6T）或四晶體管加負載電阻的SRAM單元相比，在工藝上更接近DRAM，卻在接口與使用體驗上類似于SRAM。由于DRAM架構(gòu)的單元面積更小，PSRAM在相同芯片尺寸下能實現(xiàn)更大存儲容量，成本也更具優(yōu)勢。

PSRAM也叫“偽靜態(tài)隨機存儲器”，“偽靜態(tài)”（Pseudo Static）的得名，正是因為它保留了類似SRAM的簡易接口：直接通過地址、讀寫命令即可存取數(shù)據(jù)，無需像傳統(tǒng)DRAM那樣依賴內(nèi)存控制器進行定期刷新。然而其內(nèi)核仍是基于DRAM的1T1C（一個晶體管加一個電容）存儲單元，這與SRAM常用的6T結(jié)構(gòu)形成鮮明對比。正是這種“SRAM接口+DRAM內(nèi)核”的融合，使CellularRAM PSRAM既能實現(xiàn)高密度存儲，又保持了接口的簡潔性。

CellularRAM PSRAM的主要應(yīng)用場景與優(yōu)勢

1、適用于便攜與嵌入式設(shè)備

CellularRAM PSRAM特別適合需要中等緩存容量且對功耗和成本敏感的場景，例如智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、便攜式醫(yī)療儀器等。它在數(shù)據(jù)密集、突發(fā)讀寫頻繁、以及涉及實時算法處理（如FFT、DFT）的應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

2、接口簡單、容量大、集成度高

CellularRAM PSRAM存儲器既具備SRAM接口的易用性，又擁有DRAM的高存儲密度，同時將刷新電路內(nèi)置，無需外部刷新控制。CellularRAM PSRAM這一設(shè)計大大降低了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度，因此受到眾多工程師與終端產(chǎn)品的青睞。

3、從并行到串行的接口演進

傳統(tǒng)PSRAM多采用并行接口，會占用大量MCU或SoC的I/O引腳。如今，以IPUS為代表的廠商已推出支持SPI或QSPI等串行接口的PSRAM產(chǎn)品，極大減少了引腳占用，為不具備并行內(nèi)存擴展接口的嵌入式系統(tǒng)提供了靈活的外擴存儲方案。

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審核編輯 黃宇