SGM42606:低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的卓越之選
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)關(guān)鍵的組件,它直接影響著電機(jī)的性能和穩(wěn)定性。今天,我們就來(lái)深入了解一下SGMICRO推出的SGM42606低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
文件下載:SGM42606.pdf
一、產(chǎn)品概述
SGM42606是一款集成了一個(gè)H橋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備,它的功能十分強(qiáng)大,可以驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)、螺線管、雙極步進(jìn)電機(jī)的一個(gè)繞組或其他設(shè)備。在消費(fèi)產(chǎn)品、玩具以及其他電池供電的運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用中,都能看到它的身影。
這款設(shè)備集成了四個(gè)N - MOSFET,工作電源電壓范圍為2V至12V。在適當(dāng)?shù)纳釛l件下,SGM42606能夠提供高達(dá)6A的峰值輸出電流和3A的連續(xù)輸出電流。其內(nèi)部電荷泵會(huì)生成所需的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,同時(shí)還具備過(guò)流、短路、過(guò)壓、欠壓鎖定和熱關(guān)斷等多種保護(hù)功能。它采用了綠色TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝。
二、產(chǎn)品特性
(一)電源電壓范圍廣
電源電壓范圍為2V至12V,這使得它能夠適應(yīng)多種不同的電源環(huán)境,在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中都能穩(wěn)定工作。
(二)低導(dǎo)通電阻
HS + LS的導(dǎo)通電阻低至72mΩ,低導(dǎo)通電阻可以有效降低功率損耗,提高能源效率,減少發(fā)熱,延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。
(三)高輸出電流能力
具備高達(dá)6A的峰值輸出電流和3A的連續(xù)輸出電流,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)需求。
(四)豐富的保護(hù)功能
- 過(guò)壓保護(hù):當(dāng)電源電壓超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),設(shè)備會(huì)自動(dòng)采取保護(hù)措施,防止因過(guò)壓對(duì)設(shè)備造成損壞。
- 欠壓鎖定:如果電源電壓低于欠壓鎖定閾值,設(shè)備將被禁用,內(nèi)部邏輯會(huì)被重置,直到電壓恢復(fù)正常才會(huì)重新啟動(dòng)。
- 過(guò)流保護(hù):當(dāng)檢測(cè)到過(guò)流時(shí),會(huì)及時(shí)切斷相應(yīng)的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),若過(guò)流情況持續(xù)超過(guò)一定時(shí)間,所有H橋MOSFET將被禁用,經(jīng)過(guò)重試時(shí)間后再重新啟用。
- 短路保護(hù):能有效防止因輸出短路到地、電源或電機(jī)繞組之間而引發(fā)的故障。
- 熱關(guān)斷:當(dāng)設(shè)備的結(jié)溫超過(guò)安全范圍時(shí),所有橋和驅(qū)動(dòng)器將被關(guān)閉,溫度恢復(fù)到安全水平后,設(shè)備會(huì)重新開(kāi)始工作。
(五)低功耗睡眠模式
通過(guò)nSLEEP引腳控制,當(dāng)該引腳為低電平時(shí),設(shè)備進(jìn)入低功耗睡眠模式,此時(shí)所有內(nèi)部邏輯、橋和電荷泵都將被禁用,可有效降低功耗。
(六)環(huán)保封裝
采用綠色TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鉛且無(wú)鹵化物。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
SGM42606的應(yīng)用范圍非常廣泛,包括但不限于以下幾個(gè)方面:
- 電動(dòng)牙刷:為電動(dòng)牙刷的電機(jī)提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng),確保牙刷的正常工作。
- 剃須刀:能夠精確控制剃須刀電機(jī)的轉(zhuǎn)速和扭矩,提供更好的剃須體驗(yàn)。
- 機(jī)器人:在機(jī)器人的運(yùn)動(dòng)控制中發(fā)揮重要作用,使機(jī)器人能夠靈活地移動(dòng)和操作。
- 玩具:為玩具提供動(dòng)力,讓玩具更加生動(dòng)有趣。
- 遙控直升機(jī)和汽車(chē):實(shí)現(xiàn)對(duì)遙控設(shè)備電機(jī)的精確控制,提高操控性能。
四、引腳配置與功能
(一)引腳配置
| SGM42606采用TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,其引腳配置如下: | PIN | NAME | TYPE | FUNCTION |
|---|---|---|---|---|
| 1, 24 | ISEN | I/O | 橋接地或電流檢測(cè)。當(dāng)nCLIP_EN啟用時(shí),連接到電流檢測(cè)電阻以進(jìn)行橋電流控制;若不需要電流控制,則直接連接到GND。 | |
| 2, 3, 4 | OUT1 | O | 設(shè)備的輸出1。 | |
| 5 | IN1H | I | 輸入信號(hào),用于輸出1的高端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。 | |
| 6 | IN1L | I | 輸入信號(hào),用于輸出1的低端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。 | |
| 7 | IN2H | I | 輸入信號(hào),用于輸出2的高端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。 | |
| 8 | IN2L | I | 輸入信號(hào),用于輸出2的低端MOSFET,高電平有效,內(nèi)部下拉。 | |
| 9 | nSLEEP | I | 睡眠模式輸入,低電平有效,弱內(nèi)部下拉。高電平使能設(shè)備,低電平進(jìn)入低功耗睡眠模式。 | |
| 10 | nCLIP_EN | I | 電流限制保護(hù)功能使能。邏輯低電平啟用電流限制保護(hù)功能,邏輯高電平禁用該功能。若該引腳浮空,內(nèi)部下拉電阻將啟用此功能。 | |
| 11 | VINT | - | 內(nèi)部電源旁路,在VINT和GND引腳之間使用一個(gè)2.2μF(> 6V)的旁路電容。 | |
| 12, 13, 14, 15 | NC | - | 無(wú)連接,內(nèi)部未連接。 | |
| 16 | GND | - | 設(shè)備接地。 | |
| 17 | VCP | - | 柵極驅(qū)動(dòng)電壓,在VCP和VCC引腳之間放置一個(gè)0.1μF(> 19.2V)的陶瓷電容。 | |
| 18, 19, 20 | VCC | - | 設(shè)備電源,在VCC和GND引腳之間連接一個(gè)0.1μF的旁路電容和一個(gè)10μF或更大(> 13.2V)的陶瓷電容。 | |
| 21, 22, 23 | OUT2 | O | 設(shè)備的輸出2。 | |
| Exposed Pad | GND | - | 接地。 |
(二)引腳功能說(shuō)明
這些引腳各自承擔(dān)著不同的功能,通過(guò)合理的連接和控制,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。例如,通過(guò)IN1H、IN1L、IN2H、IN2L引腳可以控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)和速度;nSLEEP引腳可以控制設(shè)備的睡眠和喚醒狀態(tài);nCLIP_EN引腳可以啟用或禁用電流限制保護(hù)功能。
五、電氣特性
(一)電源相關(guān)特性
- 電源電壓范圍為2V至12V,能夠適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
- 電源電流在不同條件下有所不同,例如在VCC = 12V,nSLEEP = 3.3V,INxH = INxL = 0V,TJ = +25℃時(shí),典型值為1.6mA;在睡眠模式下,VCC = 12V,nSLEEP = 0V,INxH = INxL = 0V,TJ = +25℃時(shí),典型值為1.5μA。
(二)邏輯輸入特性
- 輸入邏輯低電壓范圍為0V至0.4V,輸入邏輯高電壓范圍為1.5V至5.5V。
- 輸入邏輯低電流和高電流也有相應(yīng)的規(guī)定,確保輸入信號(hào)的穩(wěn)定性。
(三)H橋FET特性
- HS FET和LS FET的導(dǎo)通電阻在不同溫度和電流條件下有所變化,例如在TJ = +25℃,IOUT = 2A時(shí),HS FET導(dǎo)通電阻典型值為40mΩ;在TJ = -40℃至 +85℃,IOUT = -2A時(shí),LS FET導(dǎo)通電阻最大值為65mΩ。
(四)電流控制特性
- ISEN跳閘電壓典型值為200mV,電流檢測(cè)消隱時(shí)間固定為2.5μs,電流控制PWM頻率為33kHz。
(五)保護(hù)電路特性
- 過(guò)流保護(hù)跳閘電平為6A,過(guò)流保護(hù)消隱時(shí)間為1.8μs,過(guò)流重試時(shí)間為7.5ms。
- 熱關(guān)斷溫度為165℃,熱關(guān)斷溫度遲滯為50℃。
六、詳細(xì)工作原理
(一)橋控制和衰減模式
| SGM42606的橋控制和衰減模式通過(guò)輸入控制邏輯實(shí)現(xiàn)。當(dāng)INxL和INxH都為高電平時(shí),輸出的高端和低端N - MOSFET都將關(guān)閉,防止出現(xiàn)直通現(xiàn)象。具體的邏輯關(guān)系如下: | INxL | INxH | OUTx |
|---|---|---|---|
| 0 | 0 | Z | |
| 0 | 1 | H | |
| 1 | 0 | L | |
| 1 | 1 | Z |
(二)電流限制保護(hù)
電流限制保護(hù)通過(guò)固定頻率的PWM電流調(diào)節(jié)或電流斬波來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)電流達(dá)到斬波閾值時(shí),橋會(huì)禁用電流,直到下一個(gè)PWM周期開(kāi)始。斬波電流由比較器根據(jù)連接到ISEN引腳的電流檢測(cè)電阻兩端的電壓與參考電壓(200mV)進(jìn)行比較來(lái)設(shè)置,計(jì)算公式為(I{CHOP }=frac{200 mV}{R{ISENSE }})。當(dāng)nCLIP_EN為低電平時(shí),電流限制保護(hù)功能啟用;為高電平時(shí),功能禁用。
(三)死區(qū)時(shí)間
死區(qū)時(shí)間用于防止高端和低端MOSFET切換時(shí)的交叉導(dǎo)通。SGM42606的死區(qū)時(shí)間約為220ns(低端關(guān)斷到高端導(dǎo)通)/170ns(高端關(guān)斷到低端導(dǎo)通)。
(四)電源和輸入引腳
電荷泵用于生成大于VCC的柵極電源,以開(kāi)啟內(nèi)部N - MOSFET。在VCP和VCC引腳之間需要一個(gè)0.1μF的陶瓷電容,在VCC和GND引腳之間應(yīng)盡可能靠近設(shè)備連接一個(gè)0.1μF的電容和一個(gè)10μF或更大的陶瓷電容。
(五)設(shè)備功能模式
nSLEEP引腳為低電平時(shí),設(shè)備進(jìn)入低功耗睡眠模式,此時(shí)所有內(nèi)部邏輯、橋和電荷泵都將被禁用。
七、封裝與訂購(gòu)信息
(一)封裝信息
SGM42606采用TQFN - 5.5×3.5 - 24L封裝,其封裝外形尺寸和推薦焊盤(pán)尺寸都有詳細(xì)的規(guī)定,方便工程師進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)。
(二)訂購(gòu)信息
| MODEL | PACKAGE DESCRIPTION | SPECIFIED TEMPERATURE RANGE | ORDERING NUMBER | PACKAGE MARKING | PACKING OPTION |
|---|---|---|---|---|---|
| SGM42606 | TQFN - 5.5×3.5 - 24L | -40℃ to +85℃ | SGM42606YTQQ24G/TR | SGM42606 YTQQ XXXXX | Tape and Reel, 3000 |
其中,XXXXX為日期代碼、跟蹤代碼和供應(yīng)商代碼。
八、總結(jié)
SGM42606作為一款低導(dǎo)通電阻單H橋直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有電源電壓范圍廣、輸出電流能力強(qiáng)、保護(hù)功能豐富等優(yōu)點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。電子工程師在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),可以考慮使用SGM42606,以提高電路的性能和穩(wěn)定性。同時(shí),在使用過(guò)程中,要注意按照推薦的工作條件進(jìn)行操作,避免超過(guò)絕對(duì)最大額定值,以確保設(shè)備的可靠性。你在實(shí)際應(yīng)用中是否使用過(guò)類(lèi)似的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器呢?遇到過(guò)哪些問(wèn)題?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。
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