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不同熱測試標準Rthjc測試的實驗設計及數(shù)據(jù)比較分析

潘艷艷 ? 來源:jf_20374031 ? 作者:jf_20374031 ? 2026-04-10 09:47 ? 次閱讀
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半導體的結(jié)溫,是電子產(chǎn)品熱設計繞不過去的關鍵點,大部分電子熱設計都是在成本限制的條件下,盡力去降低結(jié)溫,或者是保證結(jié)溫的同時,盡可能降低成本。然后實際芯片工作過程中,結(jié)溫測試是一個行業(yè)難題,業(yè)內(nèi)引入結(jié)殼熱阻的概念,用殼溫去估算結(jié)溫。

那么Rthjc的測量就相當重要了,為了工業(yè)能廣泛應用,行業(yè)也因此出現(xiàn)了很多測試標準,其中,美軍標(MIL-STD-883E),IEC 60749-34,及JEDEC的標準,應用比較廣泛。

從技術角度分析,美軍標、IEC 60749-34和JEDEC的JESD 51-1都是穩(wěn)態(tài)標準,測量方法都是用結(jié)溫減去殼溫再除以功率。

2010年JEDEC的瞬態(tài)熱測試標準JESD 51-14,提供精度更高,重復性更好的熱阻測試方法,即基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的雙界面分離法。以下是主要測試方式的對比。

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美軍的實驗設計,結(jié)溫是ETM計算,殼溫的測量,用熱電偶放在器件的正下方,對孔徑并沒有嚴格要求,熱電偶涂以導熱硅脂,但殼底并沒有涂抹。

由于汽車功率器件功率密度的提升,用美軍標的標準測量誤差變大,因此在IEC測量熱阻時做了一些改進,要求在殼底也要涂導熱硅脂,同時對于熱電偶的孔徑也做了規(guī)范化,要求在2.5mm。

wKgZPGnYVqGAYHs0AAFpuTt66Y4219.jpg

實驗重復了30次,記錄所有的測試數(shù)據(jù)。

美軍標熱阻最大值大概1.8,最小值大概是0.8,平均值在1.22,相對于1.22這個平均值,測量值有50%的散差,IEC在0.6-1.1之間,平均值0.81,散差為30%,51-14在0.45-0.6之間,平均值0.53,散差為5%。很明顯JESD 51-14的重復性遠遠高于其他的測試標準。

另外,美軍標的值是1.22,IEC的值是0.81,而JESD 51-14的值只有0.53,究竟哪一個才是真的結(jié)殼熱阻,不同標準下,測量值有這么大的偏差,行業(yè)該如何去應用?

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結(jié)殼熱阻的定義

僅僅從文字上理解,結(jié)殼熱阻的定義,應該是結(jié)溫減去A點的溫度,再除以功率得到的數(shù)值。

那么三個標準的測試值,哪個才是定義中的結(jié)殼熱阻呢?答案是:三個都不是。

美軍標的測量方式,由于殼底沒有涂抹導熱硅脂,溫度傳感器的溫度相對于A點的溫度有很大的差距。

如上圖所示,工業(yè)應用中,器件和散熱器之間,有一層薄薄的黃色材料,即導熱硅脂,導熱硅脂的目的是為了減小器件到散熱器之間的接觸熱阻。從瞬態(tài)熱測試的實驗數(shù)據(jù)上看這層接觸熱阻,大概占到結(jié)到環(huán)境總熱阻的40%左右,更大的可能會到60%。而結(jié)殼熱阻大概也就占到總熱阻的20%左右。

分析熱電偶到結(jié)溫之間的溫差,一部分是結(jié)殼熱阻造成的,另外一部分,是殼底到熱電偶之間的接觸熱阻造成的。我們可以認為結(jié)殼熱阻相對不變,而美軍標的測量值存在50%的波動,大概率主要是由于接觸熱阻的變化導致的。

而IEC中,測量值的波動減小到30%,是因為測量的實驗設計中,在殼底也涂了導熱硅脂,因此誤差相對較小,測量值也相對較小。

工程實踐中,我們無法在應用中重復測量過程中的接觸熱阻,因此,對于用穩(wěn)態(tài)標準的測試值去估算結(jié)溫,至少會存在30%以上的偏差。

盡管JESD 51-14的測試值也會受到不同介質(zhì)的影響,其數(shù)值要比實際的值也要大一些,然而因為其測試的重復性較好,實際應用中,如果我們通過一定的實驗設計,或者使用相應的降階模型,一定程度上,可以用來預測結(jié)溫。

特別是大功率器件,其熱阻可能更小,用熱電偶去測殼溫,因為殼溫測量誤差先天性比較大,殼溫是有分布的,即使測中間的溫度最高點(影響因素太多,特別是接觸熱阻的變化很大,實踐中無法去定義這個溫度),重復性也難以滿足目前工程應用的要求。行業(yè)上目前主流技術都是使用瞬態(tài)熱測試技術。瞬態(tài)熱測試技術,可以轉(zhuǎn)換成結(jié)構(gòu)函數(shù),如果散熱路徑不變,結(jié)構(gòu)函數(shù)也不會變,而如果散熱路徑變化,結(jié)構(gòu)函數(shù)會精確顯示其變化對應的材料(包含界面熱阻和接觸熱阻)和變化值,從而可以對散熱路徑做精確分析和定義。

結(jié)構(gòu)函數(shù)還可以定義VC,浸沒式,甚至將來的MLCP,芯片下面的微通道等等散熱方式。由于該領域數(shù)據(jù)相對較少,為了讓測試結(jié)果更合理,我們采用了測試和仿真相結(jié)合的方法,從仿真結(jié)果來看數(shù)據(jù)的合理性,從測試結(jié)果看方案的真實性能評價。

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使用均溫板優(yōu)化散熱路徑

上圖是在散熱器上使用VC的結(jié)構(gòu)函數(shù)測試結(jié)果,可見結(jié)到冷卻液的總熱阻由0.135K/W降低到0.09K/W,其散熱性能得到了很大的提升。

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浸沒式的結(jié)構(gòu)函數(shù)

在沒有測試之前,我一直以為浸沒式的散熱效果應該比VC更好,然而測試結(jié)果卻推翻了這個想當然,從結(jié)構(gòu)函數(shù)上看,在被冷卻對象和浸沒液之間,存在一條很長的界面熱阻,我分析大概是因為材料之間的浸潤關系導致的,由于這段熱阻的存在,導致浸沒式反而沒有VC的效果好。這個結(jié)果并不能說明VC比浸沒式更好,基于當前的兩個方案,VC要優(yōu)于浸沒式,其結(jié)果數(shù)據(jù)是非常直觀的,或許更換介質(zhì)可能會得到不同的結(jié)果,也用結(jié)構(gòu)函數(shù)這個工具去評價,簡單直觀,精確明了。

由于找不到MLCP和微通道的樣品,我們目前無法對這兩組方案做結(jié)構(gòu)函數(shù)的測試,希望未來有關廠家如果感興趣,我方可以免費為貴司進行相關的實驗設計并拿到相應的測試數(shù)據(jù),一定程度上可以對貴司散熱方案的性能和可靠性做精準的量化分析。

特別要強調(diào)的是,在功率密度越來越高的情況下,用典型測量點的數(shù)據(jù)來預測結(jié)溫,誤差是不可控的,只有基于結(jié)溫數(shù)據(jù)的結(jié)構(gòu)函數(shù),才是第一性原理(因為結(jié)構(gòu)函數(shù)直接測結(jié)溫),其數(shù)據(jù)和模型有很高的重用價值。

審核編輯 黃宇

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