FDP047N08 N溝道PowerTrench? MOSFET：性能與應(yīng)用解析

飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）的一部分。在半導(dǎo)體整合過(guò)程中，部分飛兆可訂購(gòu)的零件編號(hào)可能需要更改，以滿(mǎn)足安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求，例如飛兆零件編號(hào)中的下劃線(xiàn)（_）將改為破折號(hào)（-）。今天，我們就來(lái)詳細(xì)了解一款飛兆的經(jīng)典產(chǎn)品——FDP047N08 N溝道PowerTrench? MOSFET。

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一、產(chǎn)品概述

FDP047N08是一款N溝道MOSFET，采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)。該工藝專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越開(kāi)關(guān)性能而定制。其主要參數(shù)為75V、164A、4.7mΩ，具有快速開(kāi)關(guān)速度、低柵極電荷、高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 (R_{DS(on) })、高功率和高電流處理能力，并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

二、產(chǎn)品特性

電氣特性

1. 關(guān)斷特性
   • 漏極 - 源極擊穿電壓 (BV{DSS})：在 (I{D}= 250 mu A)，(V{GS} = 0 V)，(T{C} = 25°C) 條件下為75V。擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BV{DSS} / Delta T{J}) 為0.02V/°C。
   • 零柵極電壓漏極電流 (I{DSS})：當(dāng) (V{DS} = 75 V)，(V{GS} = 0 V) 時(shí)，常溫下極小，在 (T{C} = 150°C) 時(shí)為500 (mu A)。
   • 柵極 - 體漏電流 (I{GSS})：在 (V{GS} = ±20 V)，(V_{DS} = 0 V) 時(shí)為 ±100 nA。
2. 導(dǎo)通特性
   • 柵極閾值電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 mu A) 時(shí)，范圍為2.5 - 4.5V。
   • 漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10 V)，(I_{D} = 80 A) 時(shí)，典型值為3.7 - 4.7 mΩ。
   • 正向跨導(dǎo) (g{FS})：在 (V{DS} = 10 V)，(I_{D} = 80 A) 時(shí)為150S。
3. 動(dòng)態(tài)特性
   • 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS} = 25 V)，(V_{GS} = 0 V)，(f = 1 MHz) 時(shí)，范圍為7080 - 9415 pF。
   • 輸出電容 (C_{oss})：范圍為870 - 1155 pF。
   • 反向傳輸電容 (C_{rss})：范圍為410 - 615 pF。
4. 開(kāi)關(guān)特性
   • 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t{d(on)})：在 (V{DD} = 37.5 V)，(I{D} = 80 A)，(R{G} = 25 Omega)，(V_{GS} = 10 V) 時(shí)，范圍為100 - 210 ns。
   • 開(kāi)通上升時(shí)間 (t_{r})：范圍為147 - 304 ns。
   • 關(guān)斷延遲時(shí)間 (t_{d(off)})：范圍為220 - 450 ns。
   • 關(guān)斷下降時(shí)間 (t_{f})：范圍為114 - 238 ns。
   • 10V的柵極電荷總量 (Q{g(tot)})：在 (V{DS} = 60 V)，(I_{D} = 80 A) 時(shí)，范圍為117 - 152 nC。
   • 柵極 - 源極柵極電荷 (Q_{gs})：為37 nC。
   • 柵漏極 “米勒” 電荷 (Q_{gd})：為32 nC。
5. 漏源極二極管特性
   • 漏源極二極管最大正向連續(xù)電流和最大正向脈沖電流分別為164A和656A。
   • 漏源極二極管正向電壓 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_{SD} = 80 A) 時(shí)為1.25V。
   • 反向恢復(fù)時(shí)間 (t_{rr})：為45 ns。
   • 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：為66 nC。

熱性能

結(jié)至外殼熱阻最大值 (R{theta JC}) 為0.56 °C/W，結(jié)至環(huán)境熱阻最大值 (R{theta JA}) 為62.5。

三、產(chǎn)品應(yīng)用

1. 同步整流：可用于ATX/服務(wù)器/通信PSU的同步整流，利用其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度，提高電源效率。
2. 電池保護(hù)電路：憑借其高功率和高電流處理能力，為電池提供可靠的保護(hù)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和不間斷電源：在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，能夠快速響應(yīng)控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制；在不間斷電源中，確保電源的穩(wěn)定輸出。

四、典型性能特征

文檔中給出了多個(gè)典型性能特征圖，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、體二極管正向電壓變化與源極電流的關(guān)系和溫度、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓變化與溫度的關(guān)系、導(dǎo)通電阻變化與溫度的關(guān)系、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流與殼體溫度的關(guān)系、瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線(xiàn)等。這些特性圖有助于工程師更直觀(guān)地了解該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，從而更好地進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。

五、封裝與定購(gòu)信息

該器件采用TO - 220封裝，頂標(biāo)為FDP047N08，包裝方法為塑料管，每管50個(gè)。

六、注意事項(xiàng)

1. 由于安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理使用下劃線(xiàn)（_）的零件命名法，飛兆零件編號(hào)中的下劃線(xiàn)將改為破折號(hào)（-），使用時(shí)需在安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站核實(shí)更新后的器件編號(hào)。
2. 安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類(lèi)似分類(lèi)的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。如果購(gòu)買(mǎi)或使用安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買(mǎi)方需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
3. 文檔中的 “典型” 參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能也可能隨時(shí)間變化，所有工作參數(shù)都需要客戶(hù)的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。

FDP047N08 N溝道PowerTrench? MOSFET以其優(yōu)異的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，為電子工程師在電路設(shè)計(jì)中提供了一個(gè)可靠的選擇。在使用過(guò)程中，工程師需要充分了解其特性和注意事項(xiàng)，以確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行。你在使用類(lèi)似MOSFET時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。