onsemi FDMS86101 N溝道MOSFET：高效開(kāi)關(guān)的理想之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各類電源轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)電路中。今天，我們將深入探討onsemi的FDMS86101 N溝道MOSFET，這款產(chǎn)品采用先進(jìn)的POWERTRENCH?工藝，具備出色的性能和可靠性。

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產(chǎn)品概述

FDMS86101是一款N溝道MOSFET，通過(guò)onsemi先進(jìn)的POWERTRENCH?工藝制造。該工藝專門針對(duì)降低導(dǎo)通電阻進(jìn)行了優(yōu)化，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。其主要特點(diǎn)包括：

• 低導(dǎo)通電阻：在VGS = 10 V、ID = 13 A的條件下，最大RDS(on)僅為8 mΩ，有助于降低功耗，提高效率。
• 先進(jìn)的封裝與硅片組合：實(shí)現(xiàn)低RDS(on)和高效率，采用MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)。
• 嚴(yán)格測(cè)試：經(jīng)過(guò)100% UIL測(cè)試和100% Rg測(cè)試，確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。
• 環(huán)保合規(guī)：無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS86101適用于DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場(chǎng)景，為電源管理提供高效、可靠的解決方案。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

• 關(guān)斷特性：
  • BVDSS：漏源擊穿電壓，ID = 250 μA、VGS = 0 V時(shí)為100 V，溫度系數(shù)為66 mV/°C。
  • IDSS：零柵壓漏電流，VDS = 80 V、VGS = 0 V時(shí)為800 nA。
  • IGSS：柵源泄漏電流，VGS = ±20 V、VDS = 0 V時(shí)為 - 100 nA。
• 導(dǎo)通特性：
  • VGS(th)：柵源閾值電壓，VGS = VDS、ID = 250 μA時(shí)，典型值為2.9 V，溫度系數(shù)為 - 9 mV/°C。
  • RDS(on)：靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻，VGS = 10 V、ID = 13 A時(shí)，典型值為6.3 mΩ；VGS = 6 V、ID = 9.5 A時(shí)，典型值為8.4 mΩ。
  • gFS：正向跨導(dǎo)，VDS = 10 V、ID = 13 A時(shí)，典型值為45 S。
• 動(dòng)態(tài)特性：
  • Ciss：輸入電容，VDS = 50 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz時(shí)，典型值為2255 pF。
  • Coss：輸出電容，典型值為460 pF。
  • Crss：反向傳輸電容，典型值為30 pF。
  • Rg：柵極電阻，典型值為1.0 Ω。
• 開(kāi)關(guān)特性：
  • td(on)：開(kāi)啟延遲時(shí)間，典型值為15 ns。
  • tr：上升時(shí)間，典型值為11 ns。
  • td(off)：關(guān)斷延遲時(shí)間，典型值為27 ns。
  • tf：下降時(shí)間，典型值為7 ns。
  • Qg：總柵極電荷，VGS = 0 V to 10 V、VDD = 50 V、ID = 13 A時(shí)，典型值為39 nC。
• 漏源二極管特性：
  • VSD：源漏二極管正向電壓，VGS = 0 V、IS = 2.1 A時(shí)，典型值為0.7 V；IS = 13 A時(shí)，典型值為0.8 V。
  • trr：反向恢復(fù)時(shí)間，IF = 13 A、di/dt = 100 A/μs時(shí)，典型值為56 ns。
  • Qrr：反向恢復(fù)電荷，典型值為61 nC。

典型特性曲線

文檔中提供了多個(gè)典型特性曲線，直觀展示了FDMS86101在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線：幫助工程師了解導(dǎo)通電阻隨電流和電壓的變化情況。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線：體現(xiàn)了導(dǎo)通電阻隨溫度的變化趨勢(shì)。

這些曲線為工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)中提供了重要的參考依據(jù)，有助于優(yōu)化電路性能。

封裝與訂購(gòu)信息

FDMS86101采用Power 56 (PQFN8)封裝，標(biāo)記為“$Y&Z&3&K FDMS 86101”，每盤3000個(gè)。詳細(xì)的訂購(gòu)和運(yùn)輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)第5頁(yè)。

總結(jié)

onsemi的FDMS86101 N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、出色的開(kāi)關(guān)性能和嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，成為DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用的理想選擇。工程師在設(shè)計(jì)電源電路時(shí)，可以充分利用其特性，提高電路的效率和可靠性。同時(shí)，通過(guò)參考文檔中的典型特性曲線和參數(shù)，能夠更好地進(jìn)行電路優(yōu)化和性能評(píng)估。你在使用類似MOSFET時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。