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onsemi FDD18N20LZ N溝道MOSFET:高效開關(guān)的理想之選

lhl545545 ? 2026-04-17 16:25 ? 次閱讀
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onsemi FDD18N20LZ N溝道MOSFET:高效開關(guān)的理想之選

電子工程師的日常設(shè)計工作中,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來深入探討onsemi公司的FDD18N20LZ N溝道MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢,以及適用于哪些應(yīng)用場景。

文件下載:FDD18N20LZ-D.PDF

產(chǎn)品概述

FDD18N20LZ屬于onsemi的UniFET MOSFET家族,該家族基于平面條紋和DMOS技術(shù),專為降低導(dǎo)通電阻、提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度而設(shè)計。這款MOSFET適用于多種開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,如功率因數(shù)校正(PFC)、平板顯示(FPD)電視電源、ATX電源和電子燈鎮(zhèn)流器等。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在(V{GS}=10V)、(I{D}=8A)的典型條件下,(R_{DS(on)} = 125mOmega),低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,提高電源效率。

低柵極電荷和電容

典型柵極電荷為30nC,(C_{RSS})典型值為25pF,這使得MOSFET在開關(guān)過程中能夠更快地響應(yīng),減少開關(guān)時間和損耗。

雪崩測試和增強(qiáng)能力

經(jīng)過100%雪崩測試,具有改進(jìn)的(dv/dt)能力和ESD改進(jìn)能力,能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作,提高系統(tǒng)的可靠性。

環(huán)保合規(guī)

該器件為無鉛產(chǎn)品,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

FDD18N20LZ適用于多種應(yīng)用場景,包括:

  • LED TV:為LED電視的電源模塊提供高效的開關(guān)性能,確保穩(wěn)定的電源供應(yīng)。
  • 消費(fèi)電器:如冰箱、洗衣機(jī)等家電設(shè)備中的電源管理模塊。
  • 不間斷電源(UPS):在UPS系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和管理。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 數(shù)值 單位
漏源電壓(V_{DSS}) 200 V
柵源電壓(V_{GSS}) ±20 V
連續(xù)漏極電流(I{D})((T{C}=25^{circ}C)) 16 A
連續(xù)漏極電流(I{D})((T{C}=100^{circ}C)) 9.6 A
脈沖漏極電流(I_{DM}) 64 A
單脈沖雪崩能量(E_{AS}) 320 mJ
雪崩電流(I_{AR}) 16 A
重復(fù)雪崩能量(E_{AR}) 8.9 mJ
峰值二極管恢復(fù)(dv/dt) 10 V/ns
功率耗散(P{D})((T{C}=25^{circ}C)) 89 W
25°C以上降額 0.7 W/°C
工作和存儲溫度范圍(T{J},T{STG}) -55 to +150 °C
焊接最大引線溫度(距外殼1/8”,5秒)(T_{L}) 300 °C

電氣特性

  • 關(guān)斷特性:漏源擊穿電壓(B{V DSS})為200V,擊穿電壓溫度系數(shù)為0.2V/°C,零柵壓漏極電流(I{DSS})在不同條件下有不同值。
  • 導(dǎo)通特性:跨導(dǎo)(g_{FS})等參數(shù)體現(xiàn)了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的性能。
  • 動態(tài)特性:輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C{rss})以及總柵極電荷(Q{g(tot)})等參數(shù)影響著開關(guān)速度和效率。
  • 開關(guān)特性:包括導(dǎo)通上升時間(t{r})、關(guān)斷下降時間(t{f})等,這些參數(shù)對于高速開關(guān)應(yīng)用至關(guān)重要。
  • 漏源二極管特性:最大脈沖漏源二極管正向電流(I{S})和正向電壓(V{SD}),以及反向恢復(fù)時間和電荷等參數(shù)。

典型性能曲線

文檔中提供了多個典型性能曲線,直觀地展示了MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn),如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化、體二極管正向電壓變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓變化、導(dǎo)通電阻隨溫度變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流與外殼溫度關(guān)系以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師在設(shè)計過程中更好地了解器件的性能,優(yōu)化電路設(shè)計。

封裝和訂購信息

FDD18N20LZ采用DPAK3(TO - 252 3 LD)封裝,為無鉛封裝。其卷盤尺寸為330mm,膠帶寬度為16mm,每盤2500個。具體的訂購和運(yùn)輸信息可參考數(shù)據(jù)手冊第6頁。

總結(jié)

onsemi的FDD18N20LZ N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和電容、良好的雪崩性能以及環(huán)保合規(guī)等特性,成為開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的理想選擇。在實(shí)際設(shè)計中,工程師可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合器件的參數(shù)和性能曲線,合理選擇和使用該MOSFET,以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計。你在使用MOSFET的過程中遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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