深入解析FDD86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET
深入解析FDD86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET
一、引言
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET作為重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。今天我們要深入探討的是FDD86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生產(chǎn)，如今Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。這款MOSFET具有獨(dú)特的性能特點(diǎn)，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
文件下載：FDD86250-D.pdf
二、產(chǎn)品背景與變更說明
Fairchild Semiconductor被ON Semiconductor整合后，部分Fairchild可訂購(gòu)的產(chǎn)品編號(hào)需要更改，以滿足ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的部件命名，F(xiàn)airchild部件編號(hào)中的下劃線（）將更改為破折號(hào)（-）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗(yàn)證更新后的設(shè)備編號(hào)。
三、FDD86250 MOSFET的基本信息
3.1 產(chǎn)品特性
- Shielded Gate MOSFET技術(shù)：采用先進(jìn)的PowerTrench?工藝，結(jié)合Shielded Gate技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持了卓越的開關(guān)性能。
- 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10 V)，(I{D}=8 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 22 mΩ)；在(V{GS}=6 V)，(I{D}=6.5 A)時(shí)，最大(r{DS(on)} = 31 mΩ)。
- 100% UIL測(cè)試：確保產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。
- RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求。
- 封裝形式：采用TO - 252 D - PAK（TO - 252）封裝。
3.2 應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路中，為電路提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
四、產(chǎn)品參數(shù)詳解
4.1 最大額定值
| Symbol | Parameter | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源電壓 | 150 | V |
| (V_{GS}) | 柵源電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | 51 | A |
| (I_{D}) | 連續(xù)漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | 27 | A |
| (I_{D}) | 連續(xù)漏極電流（(T_{A}=25^{circ}C)） | 8 | A |
| (I_{D}) | 脈沖漏極電流 | 164 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 180 | mJ |
| (P_{D}) | 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | 132 | W |
| (P_{D}) | 功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)） | 3.1 | W |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 | - 55 to + 150 | °C |
4.2 電氣特性
4.2.1 關(guān)斷特性
| 特性 | 條件 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (BV_{DSS}) | (I{D}= 250 μA)，(V{GS} = 0V) | 150 | V |
| (Delta BV{DSS}/Delta T{J}) | (I_{D} = 250 μA)，參考(25^{circ}C) | 106 | mV/°C |
| (I_{DSS}) | (V{DS} = 120 V)，(V{GS} = 0V) | 1 | μA |
| (I_{GSS}) | (V{GS} = +20V)，(V{DS} = 0V) | ±100 | nA |
4.2.2 導(dǎo)通特性
| 特性 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| (V_{GS(th)}) | (V{GS} = V{DS})，(I_{D} = 250 μA) | 2.0 | 2.9 | 4.0 | V |
| (Delta V{GS(th)}/Delta T{J}) | (I_{D} = 250 μA)，參考(25^{circ}C) | - 10 | mV/°C | ||
| (r_{DS(on)}) | (V{GS} = 10 V)，(I{D} = 8 A) | 18.4 | 22 | mΩ | |
| (r_{DS(on)}) | (V{GS} = 6 V)，(I{D} = 6.5 A) | 21.4 | 31 | mΩ | |
| (r_{DS(on)}) | (V{GS} = 10 V)，(I{D} = 8 A)，(T_{J} = 125^{circ}C) | 35.8 | 45 | mΩ | |
| (g_{FS}) | (V{DS} = 10 V)，(I{D} = 8 A) | 28 | S |
4.2.3 動(dòng)態(tài)特性
| 特性 | 條件 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (C_{iss}) | 1585 | 2110 | pF | |
| (C_{oss}) | (V{DS} = 75V)，(V{GS} = 0V)，(f = 1 MHz) | 167 | 225 | pF |
| (C_{rss}) | 7 | 15 | pF | |
| (R_{G}) | 0.6 | Ω |
4.2.4 開關(guān)特性
| 特性 | 條件 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (t_{d(on)}) | (V{DD} = 75 V)，(I{D} = 8 A)，(V{GS} = 10 V)，(R{GEN} = 6 Ω) | 11.2 | 20 | ns |
| (t_{r}) | 3.7 | 10 | ns | |
| (t_{d(off)}) | 20 | 32 | ns | |
| (t_{f}) | 4 | 10 | ns | |
| (Q_{g}) | (V{GS} = 0 V) to 10 V，(V{DD} = 75 V)，(I_{D} = 8 A) | 23 | 33 | nC |
| (Q_{g}) | (V_{GS} = 0 V) to 5 V | 12.8 | 18 | nC |
| (Q_{gs}) | 6.7 | nC | ||
| (Q_{gd}) | 4.7 | nC |
4.2.5 漏源二極管特性
| 特性 | 條件 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (V_{SD}) | (V{GS} = 0 V)，(I{S} = 8 A) | 0.78 | 1.3 | V |
| (V_{SD}) | (V{GS} = 0 V)，(I{S} = 2.6 A) | 0.73 | 1.2 | V |
| (t_{rr}) | (I_{F} = 8 A)，(di/dt = 100 A/μs) | 71 | 113 | ns |
| (Q_{rr}) | 104 | 166 | nC |
五、典型特性曲線
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如：
- 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同(V{GS})下，漏極電流(I{D})與漏源電壓(V_{DS})的關(guān)系。
- 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線：幫助工程師了解在不同電流和電壓條件下的導(dǎo)通電阻變化情況。
- 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線：反映了結(jié)溫對(duì)導(dǎo)通電阻的影響。
這些曲線對(duì)于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)選擇合適的工作點(diǎn)和參數(shù)具有重要的參考價(jià)值。
六、注意事項(xiàng)
6.1 產(chǎn)品使用限制
ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國(guó)醫(yī)療設(shè)備，以及任何打算植入人體的設(shè)備。如果購(gòu)買者將產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
6.2 參數(shù)驗(yàn)證
“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能也可能隨時(shí)間變化。所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)客戶應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
七、總結(jié)
FDD86250 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、良好的開關(guān)性能和高可靠性，在DC - DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，應(yīng)充分考慮其各項(xiàng)參數(shù)和特性，結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求，合理選擇和使用該器件。同時(shí)，要嚴(yán)格遵守產(chǎn)品的使用限制和注意事項(xiàng)，確保電路的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。大家在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
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