一、測(cè)試背景

氮化鋁（AlN）基板因其高導(dǎo)熱性與良好的電絕緣性能，被廣泛應(yīng)用于高功率電子器件封裝與散熱結(jié)構(gòu)中，典型應(yīng)用包括 CPU、GPU、功率模塊及射頻器件等。相比傳統(tǒng)氧化鋁陶瓷，氮化鋁基板在滿足電氣絕緣要求的同時(shí)，可顯著提升器件的散熱能力，是高功率密度電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵熱管理材料。

在實(shí)際工程中，氮化鋁基板通常以覆銅或金屬化電路形式使用，材料厚度較薄，對(duì)測(cè)試方法在樣品適應(yīng)性與熱損傷控制方面提出了更高要求。瞬態(tài)平面熱源法在較小溫升條件下即可完成測(cè)試，適合用于氮化鋁基板等高導(dǎo)熱陶瓷材料的無(wú)損測(cè)量。

二、樣品信息

1. 樣品類型：AlN基板；

2. 樣品厚度：1.5 mm；

3. 典型用途：高功率芯片電路承載與散熱基板。

樣品與傳感器

三、測(cè)試方法與裝置

1. 測(cè)試儀器：TPS-YH98；

2. 測(cè)量模式：平板 @ 單面；

3. 測(cè)試目的：獲取AlN基板的本征導(dǎo)熱系數(shù)。

樣品裝夾

四、測(cè)試參數(shù)

1. 測(cè)試時(shí)間：4 s；

2. 加熱功率：2 W；

3. 測(cè)試環(huán)境：室溫條件。

五、測(cè)試結(jié)果與分析

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

測(cè)試過(guò)程中溫升曲線快速建立并保持良好線性特征，曲線平滑穩(wěn)定，未出現(xiàn)異常波動(dòng)，表明傳感器與樣品接觸狀態(tài)良好。對(duì)有效時(shí)間區(qū)間內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合計(jì)算，得到該氮化鋁基板樣品的導(dǎo)熱系數(shù)為：

213 W/(m·K)

該結(jié)果處于氮化鋁陶瓷材料的典型導(dǎo)熱范圍內(nèi)，驗(yàn)證了測(cè)試參數(shù)與測(cè)量模式的合理性，也體現(xiàn)了TPS方法在高導(dǎo)熱陶瓷基板測(cè)試中的適用性。