深入解析FDN028N20 N溝道MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的FDN028N20 N溝道POWERTRENCH MOSFET，詳細(xì)解析其特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。

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一、產(chǎn)品概述

FDN028N20是一款采用安森美先進(jìn)POWERTRENCH工藝生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該工藝經(jīng)過特別優(yōu)化，能夠有效降低導(dǎo)通電阻（rDS(on)），同時(shí)保持較低的柵極電荷，從而實(shí)現(xiàn)卓越的開關(guān)性能。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

• 在VGS = 4.5 V、ID = 5.2 A的條件下，最大rDS(on)為28 mΩ。
• 在VGS = 2.5 V、ID = 4.4 A的條件下，最大rDS(on)為45 mΩ。

高性能溝槽技術(shù)

采用高性能溝槽技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻，提高功率轉(zhuǎn)換效率。

高功率和電流處理能力

能夠在廣泛使用的表面貼裝封裝中處理高功率和大電流，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

快速開關(guān)速度

具備快速的開關(guān)速度，可減少開關(guān)損耗，提高電路的工作效率。

100% UIL測(cè)試

經(jīng)過100%的非鉗位電感負(fù)載（UIL）測(cè)試，確保產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。

環(huán)保特性

該器件無鉛、無鹵，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。

三、應(yīng)用場(chǎng)景

初級(jí)DC - DC開關(guān)

在DC - DC轉(zhuǎn)換器中，F(xiàn)DN028N20可作為初級(jí)開關(guān)，實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換。

負(fù)載開關(guān)

用于控制負(fù)載的通斷，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的靈活控制。

四、關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（BVDSS）：ID = 250 μA、VGS = 0 V時(shí)，最小值為20 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)（BVDSS TJ）：ID = 250 μA，參考溫度為25°C時(shí)，為15 mV/°C。
• 零柵壓漏電流（IDSS）：VDS = 16 V、VGS = 0 V時(shí)，最大值為1 μA。
• 柵源泄漏電流（IGSS）：VGS = 12 V、VDS = 0 V時(shí)，最大值為100 nA。

導(dǎo)通特性

• 柵源閾值電壓（VGS(th)）：VGS = VDS、ID = 250 μA時(shí)，典型值為0.9 V，范圍為0.5 - 1.5 V。
• 柵源閾值電壓溫度系數(shù)（VGS(th) TJ）：ID = 250 μA，參考溫度為25°C時(shí)，為 -3 mV/°C。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（rDS(on)）：在不同的VGS和ID條件下有不同的值，如VGS = 4.5 V、ID = 5.2 A時(shí)，典型值為23 mΩ，最大值為28 mΩ。
• 正向跨導(dǎo)（gFS）：VDS = 5 V、ID = 5.2 A時(shí)，典型值為28 S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容（Ciss）：VDS = 10 V、VGS = 0 V、f = 1 MHz時(shí)，典型值為399 pF，最大值為600 pF。
• 輸出電容（Coss）：典型值為91 pF，最大值為140 pF。
• 反向傳輸電容（Crss）：典型值為87 pF，最大值為130 pF。

開關(guān)特性

• 開啟延遲時(shí)間（td(on)）：VDD = 10 V、ID = 5.2 A、VGS = 10 V、RGEN = 6 Ω時(shí)，典型值為5 ns，最大值為10 ns。
• 上升時(shí)間（tr）：典型值為2 ns，最大值為10 ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(off)）：典型值為15 ns，最大值為29 ns。
• 下降時(shí)間（tf）：典型值為2 ns，最大值為10 ns。
• 總柵極電荷（Qg(TOT)）：在不同的VGS條件下有不同的值，如VGS從0 V到4.5 V時(shí)，典型值為4.3 nC，最大值為6.0 nC。
• 柵源電荷（Qgs）：VDD = 10 V、ID = 5.2 A時(shí)，典型值為0.7 nC。
• 柵漏“米勒”電荷（Qgd）：典型值為1.6 nC。

漏源二極管特性

• 源漏二極管正向電壓（VSD）：VGS = 0 V、IS = 5.2 A（注2）時(shí)，典型值為0.85 V，最大值為1.2 V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：IF = 5.2 A、di/dt = 100 A/μs時(shí)，典型值為13 ns，最大值為27 ns。
• 反向恢復(fù)電荷（Qrr）：典型值為3 nC，最大值為10 nC。

五、熱特性

六、封裝與訂購信息

FDN028N20采用SOT - 23/SUPERSOT - 23 3引腳封裝，尺寸為1.4x2.9。其器件標(biāo)記為28N，包裝規(guī)格為7”卷軸，膠帶寬度為8 mm，每卷3000個(gè)。

七、總結(jié)

FDN028N20 N溝道MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度、高功率和電流處理能力等特性，在DC - DC開關(guān)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中具有出色的表現(xiàn)。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以根據(jù)其詳細(xì)的參數(shù)和特性，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。你在使用MOSFET時(shí)，是否遇到過一些特殊的問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。