電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）日前，SK 海力士宣布正式量產(chǎn)基于第六代 10 納米級(jí)（1c）LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module）產(chǎn)品。這是低功耗內(nèi)存技術(shù)正式進(jìn)軍高性能 AI 服務(wù)器領(lǐng)域的又一標(biāo)志性事件。作為下一代 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的核心組件，SOCAMM2 不僅突破了傳統(tǒng)服務(wù)器內(nèi)存的帶寬與功耗瓶頸，更揭示了 AI 時(shí)代對(duì)內(nèi)存技術(shù)的全新需求。

SK 海力士表示，SOCAMM2 相比傳統(tǒng) RDIMM，在帶寬與功耗表現(xiàn)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升。

下一代 AI 服務(wù)器對(duì) DRAM 的核心需求

隨著 AI 發(fā)展從訓(xùn)練階段逐步轉(zhuǎn)向大規(guī)模推理階段，內(nèi)存子系統(tǒng)面臨的壓力正發(fā)生結(jié)構(gòu)性變化。傳統(tǒng)服務(wù)器 DRAM（如 RDIMM）側(cè)重高容量與長期運(yùn)行穩(wěn)定性，而 AI 服務(wù)器更需要解決三大核心矛盾：超大模型與內(nèi)存帶寬的瓶頸、高算力與功耗的沖突、高密度部署與散熱空間的限制。

AI 推理與訓(xùn)練需要海量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)吞吐，HBM 雖以超高帶寬見長，但成本居高不下。AI 服務(wù)器需要兼顧成本與性能，要求 DRAM 具備更高的帶寬密度，同時(shí)也需要更大容量以支撐大規(guī)模并行數(shù)據(jù)處理。在當(dāng)前千億級(jí)參數(shù)、數(shù)萬 token 長序列推理場景中，大模型的 KV 緩存容量呈線性增長，需求甚至遠(yuǎn)超模型參數(shù)本身。這種內(nèi)存瓶頸直接導(dǎo)致 GPU 計(jì)算單元頻繁等待數(shù)據(jù)，嚴(yán)重制約 AI 服務(wù)的響應(yīng)速度與并發(fā)處理能力。

除計(jì)算效率外，極低功耗與散熱效率同樣關(guān)鍵。AI 數(shù)據(jù)中心能耗在全球電力消耗中的占比持續(xù)攀升，內(nèi)存作為系統(tǒng)主要能耗來源之一，需要通過工藝優(yōu)化與架構(gòu)創(chuàng)新降低功耗，并改善散熱設(shè)計(jì)。同時(shí)，在機(jī)架功率密度不斷提升的趨勢下，內(nèi)存模塊物理尺寸也直接影響服務(wù)器部署密度。

SOCAMM2 的技術(shù)特性與創(chuàng)新突破

SK 海力士此次量產(chǎn)的 192GB SOCAMM2，精準(zhǔn)匹配了這一需求變化，實(shí)現(xiàn)了移動(dòng)內(nèi)存技術(shù)基因與服務(wù)器場景需求的深度融合。

SOCAMM2 基于 LPDDR5X 超高帶寬特性，采用第六代 LPDDR5X 標(biāo)準(zhǔn)，帶寬較傳統(tǒng) RDIMM 提升逾兩倍，可滿足 AI 推理中密集的數(shù)據(jù)訪問需求。LPDDR5X 是 JEDEC 于 2021 年 7 月發(fā)布的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，作為 LPDDR5 的增強(qiáng)版本，最高傳輸速率達(dá) 10.7Gbps，能效較前代提升約 25%，已廣泛應(yīng)用于旗艦智能手機(jī)、高性能 PC、服務(wù)器及汽車電子等領(lǐng)域。在 AI 服務(wù)器領(lǐng)域，SOCAMM2 的核心創(chuàng)新在于將移動(dòng)端低功耗優(yōu)勢與服務(wù)器性能需求相結(jié)合，為行業(yè)提供了更具性價(jià)比的內(nèi)存方案。

SK海力士 SOCAMM2 單條 192GB 容量已經(jīng)突破了傳統(tǒng)移動(dòng)端內(nèi)存上限，10 納米級(jí)（1c）工藝大幅提升存儲(chǔ)密度，降低單位容量成本。同時(shí)，先進(jìn)制程有效減少漏電流，進(jìn)一步優(yōu)化功耗。該工藝技術(shù)早已完成驗(yàn)證：2024 年，SK 海力士已宣布成功開發(fā)全球首款第六代 10 納米級(jí) DDR5 DRAM。據(jù)當(dāng)時(shí)官方信息，SK 海力士在高性能 1b 工藝平臺(tái)基礎(chǔ)上，高效開發(fā)出 1c 工藝，通過新材料應(yīng)用與 EUV 工藝優(yōu)化保障成本競爭力，能效提升可幫助數(shù)據(jù)中心節(jié)省 30% 以上電費(fèi)。

SK 海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，1c 工藝不僅可減少先進(jìn)工藝開發(fā)中的試錯(cuò)成本，還能高效繼承其 1b 工藝在高性能 DRAM 領(lǐng)域的既有優(yōu)勢。SK 海力士 DRAM 開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥當(dāng)時(shí)表示：“1c 工藝技術(shù)兼?zhèn)渥罡咝阅芎统杀靖偁幜Γ緦⑵鋺?yīng)用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進(jìn) DRAM 主力產(chǎn)品群，為客戶提供差異化價(jià)值。未來公司也將堅(jiān)守 DRAM 市場領(lǐng)導(dǎo)力，鞏固作為 AI 存儲(chǔ)解決方案最受信賴企業(yè)的地位?！?br />
SOCAMM2 另一大創(chuàng)新在于模塊設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn) 192GB 容量與 “薄型可擴(kuò)展” 架構(gòu)的融合。傳統(tǒng) RDIMM 通過在內(nèi)存控制器與 DRAM 芯片之間增加寄存器（Register）或時(shí)鐘緩沖器（Buffer）提升穩(wěn)定性，多用于通用服務(wù)器與工作站。而 SOCAMM2 是專為 AI 數(shù)據(jù)中心與高性能計(jì)算設(shè)計(jì)的新型內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)，由 NVIDIA 主導(dǎo)定義，聯(lián)合美光、三星、SK 海力士等存儲(chǔ)廠商共同推進(jìn)。

SOCAMM2 結(jié)合了 LPDDR 技術(shù)優(yōu)勢與模塊化、可插拔設(shè)計(jì)，可提供更高帶寬、更佳能效和更靈活的系統(tǒng)集成，助力 AI 服務(wù)器實(shí)現(xiàn)更高效率與可擴(kuò)展性。該方案提供可更換的模塊化內(nèi)存形態(tài)，同時(shí)兼顧 LPDDR 能效優(yōu)勢與傳統(tǒng)內(nèi)存模塊的可維護(hù)性。

與傳統(tǒng)板載焊接 LPDDR 方案不同，SOCAMM2 允許 AI 服務(wù)器在不修改主板的情況下，通過升級(jí)或更換模塊擴(kuò)展內(nèi)存容量與性能，簡化服務(wù)器生命周期管理與日常維護(hù)。通過降低內(nèi)存運(yùn)維復(fù)雜度與系統(tǒng)中斷風(fēng)險(xiǎn)，SOCAMM2 有助于減少服務(wù)器停機(jī)時(shí)間，延長現(xiàn)有平臺(tái)使用壽命，讓 LPDDR 級(jí)高能效進(jìn)入緊湊模塊化形態(tài)，更好地適配持續(xù)演進(jìn)的 AI 負(fù)載。

目前，三星、SK 海力士、美光均在積極布局 SOCAMM2。三星方面正擴(kuò)大與全球 AI 廠商的合作，加速基于 LPDDR 的服務(wù)器解決方案普及，以應(yīng)對(duì)服務(wù)器市場日益增長的低功耗內(nèi)存需求。三星尤其與 NVIDIA 緊密協(xié)作，通過持續(xù)技術(shù)優(yōu)化，使 SOCAMM2 更好適配 NVIDIA 加速計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施，滿足下一代推理平臺(tái)對(duì)高響應(yīng)速度與高能效的要求。

美光方面，根據(jù)其官方發(fā)布，美光 SOCAMM2 是較早采用 LPDDR5X 的數(shù)據(jù)中心級(jí)模塊化產(chǎn)品。2026 年 3 月 3 日，美光宣布向客戶送樣業(yè)界容量最高的 LPDRAM 模塊 ——256GB SOCAMM2，容量較此前 192GB 規(guī)格提升三分之一，可為單顆 8 通道 CPU 提供 2TB LPDRAM，支撐更大上下文窗口與復(fù)雜推理負(fù)載。相較同級(jí)別 RDIMM，美光 SOCAMM2 功耗僅約其三分之一，占用空間更小，可提升機(jī)架密度并降低總體擁有成本（TCO）。在統(tǒng)一內(nèi)存架構(gòu)下，用于 KV 緩存卸載時(shí)，256GB SOCAMMM2 可將長上下文實(shí)時(shí) LLM 推理的首 token 時(shí)延提升 2.3 倍以上。

AI 服務(wù)器低功耗 DRAM 的發(fā)展趨勢

將移動(dòng)端 LPDDR 技術(shù)遷移至服務(wù)器環(huán)境，并非簡單移植，而是需要克服一系列嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。SK 海力士通過系統(tǒng)性方案創(chuàng)新，才最終實(shí)現(xiàn) SOCAMM2 量產(chǎn)。其中最突出的是翹曲控制問題：SOCAMM2 采用多芯片堆疊（MCP）封裝，硅、PCB、封裝樹脂等不同材料熱膨脹系數(shù)差異較大，高溫焊接時(shí)易出現(xiàn)翹曲變形，直接影響良率與長期可靠性。此外，在信號(hào)完整性方面，9.6Gbps~10.7Gbps 的高速傳輸會(huì)加劇信號(hào)衰減與串?dāng)_，壓縮式連接器的接觸穩(wěn)定性也成為關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。

SOCAMM2 的量產(chǎn)，只是 AI 服務(wù)器低功耗 DRAM 發(fā)展的起點(diǎn)，未來該領(lǐng)域?qū)⒊尸F(xiàn)清晰的技術(shù)演進(jìn)趨勢。容量與帶寬競爭已全面展開：美光已推出 256GB SOCAMM2，容量較 SK 海力士當(dāng)前量產(chǎn)產(chǎn)品提升 33%；同時(shí) LPDDR6 技術(shù)加速成熟，傳輸速率預(yù)計(jì)可達(dá) 14.4Gbps，相較 LPDDR5X 提升約 50%。

除技術(shù)競爭外，市場影響也已顯現(xiàn)。市場研究機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 曾在報(bào)告中指出，英偉達(dá)在 AI 服務(wù)器中采用智能手機(jī)領(lǐng)域低功耗內(nèi)存的做法，或推動(dòng)服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格在 2026 年底前大幅上漲。這一趨勢已逐步兌現(xiàn)：目前大量 LPDDR5X 產(chǎn)能向 AI 領(lǐng)域傾斜，已對(duì)智能手機(jī)端內(nèi)存供應(yīng)造成明顯影響。

結(jié)語

總而言之，SK 海力士 192GB SOCAMM2 的量產(chǎn)，本質(zhì)上反映了 AI 基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)思路的轉(zhuǎn)變 —— 從單純追求算力密度，轉(zhuǎn)向算力與能效的平衡優(yōu)化。未來，低功耗內(nèi)存將與 HBM 形成互補(bǔ)格局：HBM 聚焦極致帶寬的 AI 訓(xùn)練場景，SOCAMM2 則主導(dǎo)高能效比的推理市場，二者共同構(gòu)建大模型時(shí)代的內(nèi)存基石，推動(dòng) AI 技術(shù)更廣泛地融入產(chǎn)業(yè)與日常生活。