onsemi EFC6611R功率MOSFET：1節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選

在電子設(shè)備的設(shè)計中，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，特別是在電池保護(hù)和電源開關(guān)等應(yīng)用中。今天我們要介紹的是安森美（onsemi）的EFC6611R功率MOSFET，它專為1節(jié)鋰離子電池保護(hù)而設(shè)計，具有諸多出色的特性。

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產(chǎn)品概述

EFC6611R是一款雙N溝道功率MOSFET，適用于1節(jié)鋰離子電池應(yīng)用，如便攜式設(shè)備的電源開關(guān)。它的顯著特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功耗，提高能源效率。該器件采用2.5V驅(qū)動，具備2kV ESD HBM（人體模型靜電放電）保護(hù)，采用共漏極類型，柵極有ESD二極管保護(hù)，并且符合無鉛、無鹵素和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值表中列出的應(yīng)力可能會損壞器件。如果超過這些限制，不能保證器件的功能，可能會發(fā)生損壞并影響可靠性。

熱阻額定值

表面安裝在陶瓷基板（5000 (mm^2) x 0.8 mm）上時，熱阻相關(guān)參數(shù)也有明確規(guī)定。

電氣特性

在 (T_{A}=25^{circ}C) 時，其電氣特性涵蓋多個方面：

• 源極間擊穿電壓：(V{(BR)SSS}) 在 (I{S}=1 mA)，(V_{GS}=0 V) 條件下為12V。
• 零柵壓源極電流：(I{SSS}) 在 (V{SS}=10 V)，(V_{GS}=0 V) 時最大為1A。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS}) 在 (V{GS}=pm8 V)，(V_{SS}=0 V) 時最大為 (pm1A)。
• 柵極閾值電壓：(V{GS(th)}) 在 (V{SS}=6 V)，(I_{S}=1 mA) 時，范圍為0.5 - 1.3V。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS}) 在 (V{SS}=6 V)，(I_{S}=3 A) 時典型值為19S。
• 靜態(tài)源極間導(dǎo)通電阻：在不同的 (V{GS}) 和 (I{S}) 條件下有不同的值，例如在 (I{S}=5 A)，(V{GS}=4.5 V) 時，(R_{SS(on)1}) 為1.8 - 3.2 mΩ。

開關(guān)特性

其開關(guān)特性也十分重要，包括開啟延遲時間 (t{d(on)})、上升時間 (t{r})、關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)}) 和下降時間 (t{f}) 等。例如，在 (V{SS}=6 V)，(V{GS}=4.5 V)，(I{S}=3 A) 條件下，(t{d(on)}) 典型值為80ns。

總柵極電荷

在 (V{SS}=6 V)，(V{GS}=4.5 V)，(I{S}=27 A) 時，總柵極電荷 (Q{g}) 典型值為100nC。

正向源極間電壓

在 (I{S}=3 A)，(V{GS}=0 V) 時，正向源極間電壓 (V_{F(S - S)}) 典型值為0.75V，最大值為1.2V。

典型特性

文檔中給出了多個典型特性曲線，包括 (I{S}-V{SS})、(I{S}-V{GS}(th))、(R{SS(on)}-V{GS})、(R{SS(on)}-T{A})、(g{FS}-I{S})、(I{S}-V{F(S - S)}) 等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)，對于電路設(shè)計和優(yōu)化具有重要意義。

封裝與訂購信息

EFC6611R采用CSP6（1.77x3.54）封裝，型號為EFCP3517 - 6DGH - 020，為無鉛/無鹵素封裝。每盤有5000個，采用卷帶包裝。如果需要了解卷帶規(guī)格，包括零件方向和卷帶尺寸等信息，可以參考安森美的卷帶包裝規(guī)格手冊BRD8011/D。

測試電路

文檔中還給出了多個測試電路，用于測量器件的各項參數(shù)。例如，測試源極間擊穿電壓 (V{SSS}) 和零柵壓源極電流 (I{SSS}) 的測試電路1，測試柵源泄漏電流 (I_{GSS}) 的測試電路2等。需要注意的是，當(dāng)測量FET2時，F(xiàn)ET1和FET2的位置需要切換。

總結(jié)

EFC6611R功率MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、良好的電氣特性和開關(guān)特性，以及符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)等優(yōu)點(diǎn)，非常適合1節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)應(yīng)用。對于電子工程師來說，在設(shè)計相關(guān)電路時，需要充分考慮其各項參數(shù)和特性，以確保電路的性能和可靠性。你在使用類似的MOSFET時，有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。

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