EFC2K102ANUZ:用于單節(jié)鋰離子電池保護(hù)的雙N溝道功率MOSFET
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,特別是在電池保護(hù)和電源開關(guān)等應(yīng)用中。今天我們來詳細(xì)了解一下Semiconductor Components Industries推出的EFC2K102ANUZ這款雙N溝道功率MOSFET,它專為單節(jié)鋰離子電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。
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一、產(chǎn)品概述
EFC2K102ANUZ具有低導(dǎo)通電阻的特性,這使得它在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗較小,能夠有效提高能源效率。該器件適用于便攜式機(jī)器的電源開關(guān)等應(yīng)用,尤其適合單節(jié)鋰離子電池相關(guān)的應(yīng)用場景。
二、產(chǎn)品特性
- 低電壓驅(qū)動:支持2.5V驅(qū)動,這在一些對電源電壓要求較低的應(yīng)用中非常實(shí)用,能夠降低系統(tǒng)的功耗。
- 共漏極類型:這種類型的設(shè)計(jì)在電路中具有獨(dú)特的優(yōu)勢,能夠簡化電路布局,提高電路的穩(wěn)定性。
- ESD二極管保護(hù)柵極:為柵極提供靜電放電保護(hù),增強(qiáng)了器件的抗干擾能力,提高了產(chǎn)品的可靠性。
- 環(huán)保特性:符合Pb - Free(無鉛)、Halogen Free(無鹵)和RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于單節(jié)鋰離子電池的充電和放電開關(guān)。在鋰離子電池的使用過程中,需要精確控制充電和放電過程,以確保電池的安全和性能。EFC2K102ANUZ能夠很好地滿足這一需求,為電池提供可靠的保護(hù)。
四、規(guī)格參數(shù)
1. 絕對最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 源極到源極電壓 | VSSS | 12 | V |
| 柵極到源極電壓 | VGSS | ±8 | V |
| 源極電流(直流) | IS | 33 | A |
| 源極電流(脈沖) | ISP | 135 | A |
| 總功耗 | PT | 3.1 | W |
| 結(jié)溫 | Tj | 150 | °C |
| 存儲溫度 | Tstg | -55 到 +150 | °C |
需要注意的是,超過這些最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。
2. 熱阻額定值
結(jié)到環(huán)境的熱阻RJA為40.3 °C/W(在陶瓷基板上表面安裝,尺寸為5000 mm2 × 0.8 mm)。熱阻參數(shù)對于評估器件在工作過程中的散熱情況非常重要,合理的散熱設(shè)計(jì)能夠保證器件在正常溫度范圍內(nèi)工作。
五、電氣特性
1. 擊穿電壓和漏電流
- 源極到源極擊穿電壓V(BR)SSS在IS = 1 mA,VGS = 0 V的測試條件下為12V。
- 零柵極電壓源極電流ISSS在VSS = 10 V,VGS = 0 V時(shí)最大為1A。
- 柵極到源極泄漏電流IGSS在VGS = ±8 V,VSS = 0 V時(shí)最大為±1A。
2. 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻RSS(on)與柵源電壓VGS有關(guān),不同的VGS下有不同的阻值:
- 在IS = 5 A,VGS = 4.5 V時(shí),RSS(on)為1.55 - 2.75 mΩ。
- 在IS = 5 A,VGS = 3.8 V時(shí),RSS(on)為1.60 - 2.85 mΩ。
- 在IS = 5 A,VGS = 3.1 V時(shí),RSS(on)為1.65 - 3.95 mΩ。
- 在IS = 5 A,VGS = 2.5 V時(shí),RSS(on)為1.90 - 6.10 mΩ。
3. 開關(guān)時(shí)間
- 導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)在VSS = 6 V,VGS = 3.8 V,IS = 5 A,Rg = 10 k的測試條件下為20 μs。
- 上升時(shí)間tr為58 μs。
- 關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)為115 μs。
- 下降時(shí)間tf為94 μs。
4. 總柵極電荷
總柵極電荷Qg在VSS = 6 V,VGS = 3.8 V,IS = 5 A時(shí)為42 nC。
5. 正向源極到源極電壓
正向源極到源極電壓VF(S - S)在IS = 3 A,VGS = 0 V時(shí)為0.75 - 1.20 V。
六、典型特性
文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線,如(I{S}-V{SS})、(I{S}-V{GS})、(R{SS(on)}-V{GS})等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn),對于電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化具有重要的參考價(jià)值。
七、訂購信息
器件型號為EFC2K102ANUZTDG,采用WLCSP10封裝(2.98x1.49x0.1),每盤5000個(gè),以卷帶形式包裝。
八、注意事項(xiàng)
由于EFC2K102ANUZ是MOSFET產(chǎn)品,應(yīng)避免在高電荷物體附近使用。除指定應(yīng)用外,使用前請聯(lián)系銷售部門。同時(shí),該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵應(yīng)用。
在實(shí)際的電子設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求,綜合考慮器件的各項(xiàng)參數(shù)和特性,確保設(shè)計(jì)出的電路能夠穩(wěn)定、可靠地工作。你在使用類似的MOSFET器件時(shí),有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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