深入解析CPH6350 P-Channel Power MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它們廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們來深入了解一下ON Semiconductor推出的CPH6350 P-Channel Power MOSFET。

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產(chǎn)品概述

CPH6350是一款-30V、-6A、43mΩ的單P溝道功率MOSFET。它具備4V驅(qū)動(dòng)能力，擁有低導(dǎo)通電阻，內(nèi)部還集成了保護(hù)二極管，這些特性使得它在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

產(chǎn)品特性

驅(qū)動(dòng)能力與低電阻

CPH6350支持4V驅(qū)動(dòng)，這意味著它可以在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下正常工作，降低了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)難度和功耗。同時(shí)，其低導(dǎo)通電阻特性能夠有效減少功率損耗，提高電路效率。

保護(hù)二極管

內(nèi)部集成的保護(hù)二極管可以為電路提供額外的保護(hù)，防止反向電壓對(duì)MOSFET造成損壞，增強(qiáng)了電路的穩(wěn)定性和可靠性。

規(guī)格參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

電氣特性

在Ta = 25°C的條件下，CPH6350的各項(xiàng)電氣特性如下：

• 擊穿電壓：漏源擊穿電壓V(BR)DSS在ID = -1mA，VGS = 0V時(shí)為 -30V。
• 漏極電流：零柵壓漏極電流IDSS在VDS = -30V，VGS = 0V時(shí)為 -1μA。
• 柵源泄漏電流：柵源泄漏電流IGSS在VGS = ±16V，VDS = 0V時(shí)為 ±10μA。
• 截止電壓：截止電壓VGS(off)在VDS = -10V，ID = -1mA時(shí)為 -1.2 至 -2.6V。
• 正向傳輸導(dǎo)納：正向傳輸導(dǎo)納|yfs|在VDS = -10V，ID = -3A時(shí)為 5.4S。
• 導(dǎo)通電阻：靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻RDS(on)在不同條件下有不同的值，如ID = -3A，VGS = -10V時(shí)為 33 至 43mΩ。
• 電容參數(shù)：輸入電容Ciss在VDS = -10V，f = 1MHz時(shí)為 600pF，輸出電容Coss為 145pF，反向傳輸電容Crss為 110pF。
• 開關(guān)時(shí)間：開啟延遲時(shí)間td(on)為 7.4ns，上升時(shí)間tr為 27ns，關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)為 62ns，下降時(shí)間tf為 45ns。
• 柵極電荷：總柵極電荷Qg在VDS = -15V，VGS = -10V，ID = -6A時(shí)為 13nC，柵源電荷Qgs為 1.8nC，柵漏“米勒”電荷Qgd為 3.2nC。
• 二極管正向電壓：二極管正向電壓VSD在IS = -6A，VGS = 0V時(shí)為 -0.87 至 -1.2V。

封裝與訂購信息

CPH6350有兩種型號(hào)可供選擇：CPH6350 - TL - E和CPH6350 - TL - W，它們都采用SC - 74、SOT - 26、SOT - 457封裝，每卷3000pcs，且均為無鉛產(chǎn)品，其中CPH6350 - TL - W還做到了無鉛和無鹵。

使用注意事項(xiàng)

由于CPH6350是MOSFET產(chǎn)品，在使用時(shí)應(yīng)避免將其放置在高電荷物體附近，以防止靜電對(duì)其造成損壞。

總結(jié)

CPH6350 P - Channel Power MOSFET憑借其出色的特性和豐富的規(guī)格參數(shù)，在電子設(shè)計(jì)中具有很大的應(yīng)用潛力。電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)具體需求合理選擇和使用這款MOSFET，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。你在使用功率MOSFET時(shí)遇到過哪些問題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。