FGH50T65UPD 650V、50A 場截止溝道 IGBT：設計利器詳解
FGH50T65UPD 650V、50A 場截止溝道 IGBT：設計利器詳解
一、引言
在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為功率半導體器件，在眾多電力電子應用中扮演著至關重要的角色。今天，我們就來詳細探討飛兆半導體的 FGH50T65UPD 650V、50A 場截止溝道 IGBT，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
文件下載：FGH50T65UPDCN-D.pdf
二、產(chǎn)品背景與公司信息
飛兆半導體已成為安森美半導體（ON Semiconductor）的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號會有所改變，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（-），大家可在安森美官網(wǎng)核實更新后的器件編號。
安森美半導體擁有眾多專利、商標等知識產(chǎn)權(quán)，其產(chǎn)品廣泛應用于多個領域，但不建議將其產(chǎn)品用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設備等關鍵應用。
三、FGH50T65UPD IGBT 特性
3.1 基本特性
- 高結(jié)溫與并聯(lián)優(yōu)勢：最大結(jié)溫 (T_{J}=175^{circ}C)，且具有正溫度系數(shù)，這使得它易于并聯(lián)運行，能滿足高電流需求。
- 低飽和電壓：在 (I{C}=50A) 時，典型飽和電壓 (V{CE (sat) }=1.65V)，有助于降低導通損耗。
- 測試與標準：器件 100% 經(jīng)過 (LM(2)) 測試，具有高輸入阻抗、緊密的參數(shù)分布，并且符合 RoHS 標準，環(huán)保又可靠。
- 短路耐用性：在 25°C 時，短路耐受時間大于 5μs，為系統(tǒng)提供了一定的安全保障。
3.2 應用領域
該 IGBT 適用于光伏逆變器、UPS、焊機、數(shù)碼發(fā)電機、通信電源以及 ESS 等領域，這些領域?qū)Φ蛯ê烷_關損耗有較高要求，而 FGH50T65UPD 正好能滿足。
四、產(chǎn)品參數(shù)詳解
4.1 絕對最大額定值
| 符號 | 說明 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{CES}) | 集電極 - 發(fā)射極間電壓 | 650 | V |
| (V_{GES}) | 柵極 - 發(fā)射極間電壓 | ± 20 | V |
| 瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極間電壓 | ± 25 | V | |
| (I_{C}) | 集電極電流（(T_{C} = 25 °C)） | 100 | A |
| 集電極電流（(T_{C} = 100 °C)） | 50 | A | |
| (I_{CM (1)}) | 集電極脈沖電流 | 150 | A |
| (I_{LM (2)}) | 箝位感性負載電流（(T_{C} = 25 °C)） | 150 | A |
| (I_{F}) | 二極管正向電流（(T_{C} = 25 °C)） | 60 | A |
| 二極管正向電流（(T_{C} = 100 °C)） | 30 | A | |
| (I_{FM(1)}) | 二極管最大正向脈沖電流 | 15 |
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