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深入解析SN54ABT18640與SN74ABT18640掃描測試設(shè)備

chencui ? 2026-04-23 09:05 ? 次閱讀
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深入解析SN54ABT18640與SN74ABT18640掃描測試設(shè)備

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,測試設(shè)備對于確保電路的可靠性和性能至關(guān)重要。今天,我們將深入探討德州儀器Texas Instruments)的SN54ABT18640和SN74ABT18640掃描測試設(shè)備,這兩款設(shè)備帶有18位反相總線收發(fā)器,是德州儀器SCOPE?可測試性集成電路家族的成員。

文件下載:SN74ABT18640DGGR.pdf

產(chǎn)品概述

SN54ABT18640和SN74ABT18640支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990邊界掃描,有助于復(fù)雜電路板組件的測試。掃描訪問測試電路是通過4線測試訪問端口(TAP)接口實(shí)現(xiàn)的。在正常模式下,它們是18位反相總線收發(fā)器,可作為兩個(gè)9位收發(fā)器或一個(gè)18位收發(fā)器使用。測試電路可由TAP激活,以對設(shè)備引腳處的數(shù)據(jù)進(jìn)行快照采樣,或?qū)吔鐪y試單元進(jìn)行自檢。

產(chǎn)品特性

  • 符合IEEE標(biāo)準(zhǔn):兼容IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990(JTAG)測試訪問端口和邊界掃描架構(gòu)。
  • SCOPE?指令集:支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990所需的指令以及可選的CLAMP和HIGHZ指令,還具備并行簽名分析、偽隨機(jī)模式生成等功能。
  • 先進(jìn)的設(shè)計(jì):采用EPIC - ΙΙB? BiCMOS設(shè)計(jì),顯著降低功耗。
  • 多種封裝形式:提供塑料收縮小外形(DL)、薄收縮小外形(DGG)和380密耳細(xì)間距陶瓷扁平(WD)封裝。

工作模式

正常模式

在正常模式下,數(shù)據(jù)流向由方向控制(DIR)和輸出使能(OE)輸入控制。根據(jù)DIR的邏輯電平,數(shù)據(jù)可以從A總線傳輸?shù)紹總線,也可以從B總線傳輸?shù)紸總線。OE可用于禁用設(shè)備,使總線有效隔離。

測試模式

在測試模式下,SCOPE?總線收發(fā)器的正常操作被禁止,測試電路被啟用,以觀察和控制設(shè)備的I/O邊界。測試電路可根據(jù)IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990中描述的協(xié)議執(zhí)行邊界掃描測試操作。

引腳功能

引腳名稱 描述
1A1–1A9, 2A1–2A9 正常功能A總線I/O端口
1B1–1B9, 2B1–2B9 正常功能B總線I/O端口
1DIR, 2DIR 正常功能方向控制
GND 接地
1OE, 2OE 正常功能輸出使能
TCK 測試時(shí)鐘
TDI 測試數(shù)據(jù)輸入
TDO 測試數(shù)據(jù)輸出
TMS 測試模式選擇
VCC 電源電壓

測試架構(gòu)

串行測試信息通過符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990的4線測試總線或TAP傳輸。TAP控制器監(jiān)控測試總線上的TCK和TMS信號,提取同步和狀態(tài)控制信號,并為設(shè)備中的測試結(jié)構(gòu)生成適當(dāng)?shù)钠峡刂菩盘枴?/p>

TAP控制器狀態(tài)圖

TAP控制器是一個(gè)同步有限狀態(tài)機(jī),共有16個(gè)狀態(tài),其中6個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)和10個(gè)不穩(wěn)定狀態(tài)。主要有兩條路徑:一條用于訪問和控制所選數(shù)據(jù)寄存器,另一條用于訪問和控制指令寄存器。

狀態(tài)描述

  • Test - Logic - Reset:設(shè)備上電時(shí)處于此狀態(tài),測試邏輯被復(fù)位并禁用,設(shè)備執(zhí)行正常邏輯功能。
  • Run - Test/Idle:TAP控制器在執(zhí)行任何測試操作之前必須經(jīng)過此狀態(tài),測試邏輯可以處于活動測試狀態(tài)或空閑狀態(tài)。
  • Select - DR - Scan, Select - lR - Scan:用于選擇數(shù)據(jù)寄存器掃描或指令寄存器掃描。
  • Capture - DR:選擇數(shù)據(jù)寄存器掃描時(shí),所選數(shù)據(jù)寄存器在此狀態(tài)下捕獲數(shù)據(jù)值。
  • Shift - DR:數(shù)據(jù)寄存器置于TDI和TDO之間的掃描路徑,數(shù)據(jù)在每個(gè)TCK周期內(nèi)串行移位。
  • Exit1 - DR, Exit2 - DR:結(jié)束數(shù)據(jù)寄存器掃描的臨時(shí)狀態(tài)。
  • Pause - DR:暫停和恢復(fù)數(shù)據(jù)寄存器掃描操作,不丟失數(shù)據(jù)。
  • Update - DR:如果當(dāng)前指令要求更新所選數(shù)據(jù)寄存器,則在此狀態(tài)下進(jìn)行更新。
  • Capture - IR:選擇指令寄存器掃描時(shí),指令寄存器在此狀態(tài)下捕獲其當(dāng)前狀態(tài)值。
  • Shift - IR:指令寄存器置于TDI和TDO之間的掃描路徑,指令數(shù)據(jù)在每個(gè)TCK周期內(nèi)串行移位。
  • Exit1 - IR, Exit2 - IR:結(jié)束指令寄存器掃描的臨時(shí)狀態(tài)。
  • Pause - IR:暫停和恢復(fù)指令寄存器掃描操作,不丟失數(shù)據(jù)。
  • Update - IR:當(dāng)前指令在此狀態(tài)下更新并生效。

寄存器概述

指令寄存器(IR)

指令寄存器為8位,用于告訴設(shè)備要執(zhí)行的指令,包括操作模式、測試操作、要選擇的數(shù)據(jù)寄存器以及在Capture - DR期間要捕獲到所選數(shù)據(jù)寄存器的數(shù)據(jù)來源。

數(shù)據(jù)寄存器

  • 邊界掃描寄存器(BSR):44位,用于存儲要應(yīng)用到設(shè)備輸出引腳的測試數(shù)據(jù),或捕獲正常片上邏輯輸出和設(shè)備輸入引腳處的數(shù)據(jù)。
  • 邊界控制寄存器(BCR):3位,用于實(shí)現(xiàn)基本SCOPE?指令集未包含的額外測試操作,如PRPG、PSA和二進(jìn)制計(jì)數(shù)。
  • 旁路寄存器:1位掃描路徑,可縮短系統(tǒng)掃描路徑的長度。
  • 設(shè)備識別寄存器(IDR):32位,可用于識別設(shè)備的制造商、部件號和版本。

指令操作

邊界掃描(EXTEST)

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990的EXTEST指令,選擇BSR進(jìn)行掃描,捕獲設(shè)備輸入和I/O引腳處的數(shù)據(jù),并將掃描到的數(shù)據(jù)應(yīng)用到相應(yīng)的引腳。

識別讀?。?a target="_blank">IDCODE)

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990的IDCODE指令,選擇IDR進(jìn)行掃描,設(shè)備處于正常模式。

采樣邊界(SAMPLE/PRELOAD

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990的SAMPLE/PRELOAD指令,選擇BSR進(jìn)行掃描,捕獲設(shè)備輸入引腳和輸入模式下I/O引腳處的數(shù)據(jù),以及正常片上邏輯輸出的數(shù)據(jù)。

旁路掃描(BYPASS)

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1 - 1990的BYPASS指令,選擇旁路寄存器進(jìn)行掃描,在Capture - DR期間捕獲邏輯0值。

控制邊界到高阻抗(HIGHZ)

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1a - 1993的HIGHZ指令,選擇旁路寄存器進(jìn)行掃描,設(shè)備處于修改后的測試模式,所有設(shè)備I/O引腳置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。

控制邊界到1/0(CLAMP)

符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1a - 1993的CLAMP指令,選擇旁路寄存器進(jìn)行掃描,將輸入BSC中的數(shù)據(jù)應(yīng)用到正常片上邏輯的輸入,將輸出模式下I/O BSC中的數(shù)據(jù)應(yīng)用到設(shè)備I/O引腳。

邊界運(yùn)行測試(RUNT)

選擇旁路寄存器進(jìn)行掃描,在Run - Test/Idle期間執(zhí)行BCR中指定的測試操作,包括采樣輸入/切換輸出(TOPSIP)、PRPG、PSA、同時(shí)進(jìn)行PSA和PRPG(PSA/PRPG)以及同時(shí)進(jìn)行PSA和二進(jìn)制計(jì)數(shù)(PSA/COUNT)。

邊界讀?。≧EADBN, READBT)

選擇BSR進(jìn)行掃描,在Capture - DR期間BSR中的值保持不變,用于檢查PSA操作后的數(shù)據(jù)。

邊界自檢(CELLTST)

選擇BSR進(jìn)行掃描,所有BSC在Capture - DR期間捕獲其當(dāng)前值的反值,以驗(yàn)證BSR的移位寄存器和影子鎖存器元素的完整性。

邊界切換輸出(TOPHIP)

選擇旁路寄存器進(jìn)行掃描,在Run - Test/Idle期間,所選輸出模式BSC的移位寄存器元素中的數(shù)據(jù)在每個(gè)TCK上升沿切換,更新到影子鎖存器,并在每個(gè)TCK下降沿應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備I/O引腳。

邊界控制寄存器掃描(SCANCN, SCANCT)

選擇BCR進(jìn)行掃描,在Capture - DR期間BCR中的值保持不變,必須在邊界運(yùn)行測試操作之前執(zhí)行此操作,以指定要執(zhí)行的測試操作。

邊界控制寄存器操作

采樣輸入/切換輸出(TOPSIP)

在每個(gè)TCK上升沿,捕獲所選設(shè)備輸入模式I/O引腳處的數(shù)據(jù)到相關(guān)BSC的移位寄存器元素中,所選輸出模式BSC的移位寄存器元素中的數(shù)據(jù)在每個(gè)TCK上升沿切換,更新到影子鎖存器,并在每個(gè)TCK下降沿應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備I/O引腳。

偽隨機(jī)模式生成(PRPG)

在每個(gè)TCK上升沿,在所選BSC的移位寄存器元素中生成偽隨機(jī)模式,更新到影子鎖存器,并在每個(gè)TCK下降沿應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備輸出模式I/O引腳。

并行簽名分析(PSA)

在每個(gè)TCK上升沿,將所選設(shè)備輸入模式I/O引腳處的數(shù)據(jù)壓縮成36位并行簽名到所選BSC的移位寄存器元素中,所選輸出模式BSC的影子鎖存器中的數(shù)據(jù)保持不變并應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備I/O引腳。

同時(shí)進(jìn)行PSA和PRPG(PSA/PRPG)

在每個(gè)TCK上升沿,將所選設(shè)備輸入模式I/O引腳處的數(shù)據(jù)壓縮成18位并行簽名到所選輸入模式BSC的移位寄存器元素中,同時(shí)在所選輸出模式BSC的移位寄存器元素中生成18位偽隨機(jī)模式,更新到影子鎖存器,并在每個(gè)TCK下降沿應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備I/O引腳。

同時(shí)進(jìn)行PSA和二進(jìn)制計(jì)數(shù)(PSA/COUNT)

在每個(gè)TCK上升沿,將所選設(shè)備輸入模式I/O引腳處的數(shù)據(jù)壓縮成18位并行簽名到所選輸入模式BSC的移位寄存器元素中,同時(shí)在所選輸出模式BSC的移位寄存器元素中生成18位二進(jìn)制計(jì)數(shù)模式,更新到影子鎖存器,并在每個(gè)TCK下降沿應(yīng)用到相關(guān)設(shè)備I/O引腳。

時(shí)序描述

所有測試操作都與TCK同步,TDI、TMS和正常功能輸入的數(shù)據(jù)在TCK上升沿捕獲,TDO和正常功能輸出引腳的數(shù)據(jù)在TCK下降沿出現(xiàn)。

電氣特性和參數(shù)

絕對最大額定值

  • 電源電壓范圍:-0.5 V至7 V
  • 輸入電壓范圍:除I/O端口外為-0.5 V至7 V,I/O端口為-0.5 V至5.5 V
  • 輸出高電平或斷電狀態(tài)下的電壓范圍:-0.5 V至5.5 V
  • 低電平輸出電流:SN54ABT18640為96 mA,SN74ABT18640為128 mA

推薦工作條件

  • 電源電壓:4.5 V至5.5 V
  • 高電平輸入電壓:≥2 V
  • 低電平輸入電壓:≤0.8 V
  • 輸入電壓:0至VCC
  • 高電平輸出電流:SN54ABT18640≤ - 24 mA,SN74ABT18640≤ - 32 mA
  • 低電平輸出電流:SN54ABT18640≤48 mA,SN74ABT18640≤64 mA
  • 輸入轉(zhuǎn)換上升或下降速率:≤10 ns/V
  • 工作自由空氣溫度:SN54ABT18640為 - 55°C至125°C,SN74ABT18640為 - 40°C至85°C

電氣特性

包括輸入鉗位電流、輸出高電平電壓、輸出低電平電壓、輸入電流、輸出高阻態(tài)電流等參數(shù)。

時(shí)序要求

  • 時(shí)鐘頻率:0至50 MHz
  • 脈沖持續(xù)時(shí)間:TCK高或低≥8.1 ns
  • 建立時(shí)間:A、B、DIR或OE在TCK上升沿之前≥9.5 ns(SN54ABT18640),≥7 ns(SN74ABT18640);TDI在TCK上升沿之前≥4.5 ns;TMS在TCK上升沿之前≥3.6 ns
  • 保持時(shí)間:A、B、DIR或OE在TCK上升沿之后≥0.7 ns(SN54ABT18640),≥0 ns(SN74ABT18640);TDI在TCK上升沿之后≥0 ns;TMS在TCK上升沿之后≥0.5 ns
  • 延遲時(shí)間:上電到TCK上升沿≥50 ns
  • 上升時(shí)間:VCC上電≥1 μs

開關(guān)特性

包括正常模式和測試模式下的傳播延遲、上升時(shí)間、下降時(shí)間等參數(shù)。

總結(jié)

SN54ABT18640和SN74ABT18640掃描測試設(shè)備為電子工程師提供了強(qiáng)大的測試功能,其支持的IEEE標(biāo)準(zhǔn)邊界掃描和豐富的指令集使得復(fù)雜電路板的測試變得更加高效和可靠。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師可以根據(jù)具體需求選擇合適的指令和操作模式,同時(shí)要注意設(shè)備的電氣特性和時(shí)序要求,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行。你在使用這類測試設(shè)備時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

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