序言：大模型時(shí)代的物理極限與共封裝光學(xué)（CPO）的選擇

針對(duì)大模型訓(xùn)練及AI推理對(duì)互聯(lián)帶寬的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)需求，共封裝光學(xué)（Co-Packaged Optics, CPO）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。CPO 通過(guò)將高密度的光引擎（Optical Engine, OE）與核心交換芯片（ASIC）或計(jì)算單元（XPU）在同一個(gè) 2.5D/3D 先進(jìn)封裝基板上進(jìn)行極近距離的異構(gòu)集成，徹底摒棄長(zhǎng)距離銅互聯(lián)走線，極大降低了寄生電容，顯著提升了高速信號(hào)的完整性。CPO這一革命性轉(zhuǎn)變，憑借其低功耗、高帶寬、高密度的顛覆性優(yōu)勢(shì)，將成為下一代數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)的核心方案。隨著英偉達(dá)、博通等國(guó)際頭部廠商加速推進(jìn)CPO產(chǎn)業(yè)化，據(jù)Light Counting權(quán)威預(yù)測(cè)，全球CPO端口數(shù)量將在2026–2030年逐步上量，AI數(shù)據(jù)中心對(duì)3.2T/6.4T快速迭代的迫切需求，將驅(qū)動(dòng)CPO整體市場(chǎng)規(guī)模迎來(lái)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。

然而，CPO高度集成的背后面臨的是呈幾何級(jí)數(shù)增長(zhǎng)的容錯(cuò)風(fēng)險(xiǎn)。在CPO時(shí)代，先進(jìn)制程/先進(jìn)封裝的成本越來(lái)越高，任何一個(gè)微小芯粒（Chiplet）及光電器件的失效，都將導(dǎo)致與之共封裝的、價(jià)值數(shù)萬(wàn)美元的頂級(jí)算力芯片整顆報(bào)廢。因此，在組件進(jìn)入最終封裝前，確保每一個(gè)裸芯片（Die）都是100%完美（Known Good Die, KGD），這更需要測(cè)試左移，嚴(yán)控良率以避免封裝后整體報(bào)廢，這成為了決定CPO產(chǎn)業(yè)能否實(shí)現(xiàn)高良率量產(chǎn)（HVM）的“生死命門”。

作為全球光通信測(cè)試解決方案的領(lǐng)軍者，聯(lián)訊儀器很早就敏銳地洞察到了這一產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)，憑借深耕光通信與半導(dǎo)體測(cè)試的深厚積淀，我們依托底層測(cè)試儀器自主研發(fā)能力，結(jié)合半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提前布局完整CPO測(cè)試解決方案，目前已經(jīng)形成了針對(duì)CPO產(chǎn)業(yè)鏈的核心部件——CW高功率激光器、PIC硅光晶圓以及OE光引擎從晶圓廠（Fab）到封測(cè)代工廠（OSAT）再到系統(tǒng)設(shè)備商（OEM）的全棧式、端到端自動(dòng)化測(cè)試解決方案。聯(lián)訊儀器在CPO測(cè)試的核心航道上，為全球HPC/AI產(chǎn)業(yè)鋪設(shè)一條堅(jiān)如磐石的光電測(cè)試之橋。

01 聯(lián)訊儀器——光通信與半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)

在深度解析 CPO 測(cè)試技術(shù)之前，有必要全面了解聯(lián)訊儀器作為全球高端測(cè)試儀器與設(shè)備提供商的硬核實(shí)力與產(chǎn)業(yè)底蘊(yùn)。

聯(lián)訊儀器的核心業(yè)務(wù)精準(zhǔn)聚焦于光學(xué)與半導(dǎo)體測(cè)試解決方案。公司使命是在高性能計(jì)算與人工智能（HPC/AI）時(shí)代，以創(chuàng)新和質(zhì)量提升全球新興科技行業(yè)測(cè)試效率。研發(fā)創(chuàng)新是聯(lián)訊儀器的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司研發(fā)人員占比超過(guò)40%，年度研發(fā)投入持續(xù)保持在23%以上。依托在算法、軟件及硬件架構(gòu)方面的深度整合，聯(lián)訊已形成高速信號(hào)測(cè)試、微弱模擬信號(hào)測(cè)試、復(fù)雜探針與分選測(cè)試三大技術(shù)平臺(tái)，累計(jì)獲得全球核心專利授權(quán)300余項(xiàng)。公司目前已形成高速通信測(cè)試、模擬信號(hào)測(cè)試、光芯片測(cè)試、功率半導(dǎo)體測(cè)試和存儲(chǔ)芯片測(cè)試共五大產(chǎn)品線。

02 CPO的“光動(dòng)力”底座——CW高功率激光器測(cè)試

在CPO系統(tǒng)中，硅基材料本身由于是間接帶隙半導(dǎo)體，無(wú)法實(shí)現(xiàn)高效的受激輻射發(fā)光。因此，業(yè)界普遍采用外部激光源模塊（External Laser Source, ELS）或盲插拔光源模塊，通過(guò)磷化銦（InP）等 III-V 族化合物半導(dǎo)體材料制成的高功率連續(xù)波（CW）激光器，為硅光引擎提供澎湃的“光動(dòng)力”。

由于CPO交換機(jī)內(nèi)部的核心ASIC發(fā)熱量極大，而激光器對(duì)高溫極其敏感（高溫會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的波長(zhǎng)漂移、輸出功率下降甚至災(zāi)難性光學(xué)損傷），這些外部光源必須具備極端的長(zhǎng)期可靠性。每顆激光器裸芯片及通過(guò)微光學(xué)封裝成CoC（Chip on Carrier）的光器件，均需經(jīng)過(guò)全面性能檢測(cè)與嚴(yán)苛的極限可靠性驗(yàn)證。在這一至關(guān)重要的激光器前端測(cè)試環(huán)節(jié)，聯(lián)訊儀器的測(cè)試產(chǎn)品已形成突出的全球技術(shù)領(lǐng)先地位。

根據(jù)2025年的不完全統(tǒng)計(jì)，聯(lián)訊儀器在CW激光器裸芯片測(cè)試與CoC器件老化篩選測(cè)試產(chǎn)品市占率第一，全球頭部領(lǐng)先CW激光器芯片廠商都在使用聯(lián)訊儀器的設(shè)備進(jìn)行大規(guī)模量產(chǎn)。展望2026年，隨著800G/1.6T光模塊、硅光需求的全面爆發(fā)及CPO的逐步量產(chǎn)，相關(guān)測(cè)試產(chǎn)品的營(yíng)收也將呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)。

2.1 激光器裸芯片測(cè)試

為保障激光器芯片（Laser Diode）在投入后續(xù)封裝前的高良率，確保KGD交付，聯(lián)訊儀器自主研發(fā)了高度自動(dòng)化的 LD 裸 Die 測(cè)試系統(tǒng)CT-820X和CT-830X系列。這些LD Die Tester測(cè)試系統(tǒng)提供了高精度 LIV（光功率-電流-電壓）極速掃描表征能力以及光譜掃描測(cè)試，可在極短時(shí)間內(nèi)完成對(duì)閾值電流、斜率效率及Kink等核心參數(shù)的精準(zhǔn)提取。同時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)置高分辨率光譜分析模塊，能夠靈敏捕捉高速調(diào)制下的邊模抑制比（SMSR）與中心波長(zhǎng)漂移。在微米級(jí)純視覺(jué)定位與柔性探針技術(shù)的加持下，該設(shè)備不僅實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的超高產(chǎn)出率（UPH），更確保了對(duì)脆弱 InP 裸 Die 測(cè)試過(guò)程的“零物理?yè)p傷”。

聯(lián)訊儀器的LD Die Tester測(cè)試系統(tǒng)主要有如下的關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)：

自研高耐磨高導(dǎo)熱的載臺(tái)，支持 -50~125℃ 的寬溫控。極致的導(dǎo)熱表現(xiàn)使芯片能承受比競(jìng)品更高的飽和電流，精準(zhǔn)測(cè)出真實(shí)的極限光功率，絕不誤篩任何一顆合格芯片。

搭載全自研 1μs 窄脈沖電源板卡，具備高精度輸出能力，精準(zhǔn)滿足大功率 CW 激光器的脈沖 LIV 與脈沖光譜測(cè)試需求。

獨(dú)家專利的探針座設(shè)計(jì)，10 萬(wàn)次扎針后力量偏差仍 ≤ ±0.5g。這將保障海量測(cè)試數(shù)據(jù)的高度一致性，同時(shí)大幅降低探針耗材成本與產(chǎn)線停機(jī)換針時(shí)間。

突出的UPH效率，單顆 DFB (脈沖) 測(cè)試周期低至 5.2 秒。配合 >99.5% 的 AI OCR 識(shí)別率與極低掉片率 (<0.1%) ，真正支撐起極速、全自動(dòng)的規(guī)?；慨a(chǎn)。

無(wú)損視覺(jué)定位，提供四面 AOI 監(jiān)測(cè)功能，將微小瑕疵攔截在昂貴封裝前，實(shí)現(xiàn)芯片邊角的“零物理?yè)p傷” 。

2.2 CoC Burn-In系統(tǒng)

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，激光器芯片的生命周期失效率呈現(xiàn)典型的“浴缸曲線”。為有效攔截因潛在晶格缺陷導(dǎo)致“早期失效”的不良品，必須在高溫、大電流的高應(yīng)力環(huán)境下進(jìn)行加速老化（Burn-in）篩選。

聯(lián)訊儀器自主研發(fā)的 CoC（Chip on Carrier）老化與測(cè)試系統(tǒng)BI620X系列，單機(jī)可支持?jǐn)?shù)千顆已貼片激光器的超大規(guī)模并發(fā)處理。系統(tǒng)搭載領(lǐng)先的高功率熱控制單元（Thermal Control Unit），在數(shù)百毫安的高強(qiáng)度恒流注入下，不僅能輸出極低紋波的純凈電流，更依托先進(jìn)的散熱技術(shù)，將全場(chǎng) CoC 工位的溫度波動(dòng)與均勻度嚴(yán)格控制在極窄區(qū)間。該系統(tǒng)同時(shí)突破了傳統(tǒng)“盲老化”或離線測(cè)試的工藝瓶頸，創(chuàng)新性地實(shí)現(xiàn)了老化與實(shí)時(shí)原位測(cè)試（In-situ Test）的閉環(huán)，通過(guò)在老化周期內(nèi)全程高頻監(jiān)控光功率的衰減軌跡，并結(jié)合智能算法動(dòng)態(tài)預(yù)測(cè)器件壽命，確保最終交付入 CPO 供應(yīng)鏈的每一顆激光器均具備卓越的長(zhǎng)期可靠性。

03 硅光晶圓級(jí)全自動(dòng)測(cè)試

在共封裝光學(xué)（CPO）的制造鏈條中，晶圓廠（Fab）階段的良率控制是決定最終產(chǎn)品成本的命脈。硅光子集成電路（PIC）在進(jìn)入極其昂貴的異構(gòu)封裝流程前，必須在晶圓級(jí)別完成詳盡的光學(xué)與電學(xué)體檢。聯(lián)訊儀器憑借其深厚的光電測(cè)試底蘊(yùn)，打造了市場(chǎng)領(lǐng)先的硅光晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)（sCT9002），近百臺(tái)的全球用戶裝機(jī)量及數(shù)萬(wàn)片硅光晶圓的測(cè)試數(shù)據(jù)，展現(xiàn)出了頭部用戶對(duì)聯(lián)訊產(chǎn)品極高的認(rèn)可度。

3.1 sCT9002：全自動(dòng)化與全覆蓋的晶圓級(jí)測(cè)試平臺(tái)

sCT9002是一個(gè)高度集成的全自動(dòng)化PIC硅光晶圓測(cè)試臺(tái)：

廣泛的晶圓兼容性：系統(tǒng)全面支持主流的 8 英寸至 12 英寸硅光晶圓，并能完美兼容 200μm 至 2000μm 的廣闊厚度范圍。

極致的自動(dòng)化體驗(yàn)：設(shè)備實(shí)現(xiàn)了晶圓上下料（Wafer Loading）與光學(xué)對(duì)準(zhǔn)（Optical Alignment）的完全自動(dòng)化 ，將人工干預(yù)降至最低。

寬溫距極限探測(cè)：系統(tǒng)搭載了高精度的溫度控制卡盤（Temperature-controlled chuck），支持在 25°C 至高達(dá) 150°C 的嚴(yán)苛溫度環(huán)境下進(jìn)行測(cè)試 ，滿足嚴(yán)苛數(shù)據(jù)中心環(huán)境的可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。

光、電、射頻三位一體：通過(guò)整合內(nèi)部資源，設(shè)備能夠在一套流程中同步完成光學(xué)（Optical）、直流電學(xué)（DC）以及高頻射頻（RF）的全面性能測(cè)試 。

3.2 高精度光學(xué)耦合技術(shù)

硅光晶圓測(cè)試的技術(shù)深水區(qū)在于納米級(jí)的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)。sCT9002在這一領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了全方位的技術(shù)突破：

全場(chǎng)景耦合支持：無(wú)論是傳統(tǒng)的表面光柵耦合（Grating Coupling, GC），還是難度極高的端面耦合（Edge Coupling, EC），系統(tǒng)均能輕松應(yīng)對(duì)。同時(shí)，設(shè)備支持從單根光纖到復(fù)雜的光纖陣列（Fiber Arrays）的全面探測(cè)。

自研六軸與高精度SMU：底層硬件上，設(shè)備集成了完全自研的多通道SMU以及6自由度的 6 軸定位系統(tǒng)。

出色的耦合性能：典型尋優(yōu)對(duì)準(zhǔn)耦合時(shí)長(zhǎng)僅1.0秒，同時(shí)系統(tǒng)具備優(yōu)異的穩(wěn)定性和耦合重復(fù)性，且耦合重復(fù)誤差嚴(yán)格控制在0.2dB以內(nèi)，達(dá)到行業(yè)頂尖水準(zhǔn)。

一鍵校準(zhǔn)與極速切換：針對(duì)生產(chǎn)線頻繁的夾具更換需求，系統(tǒng)支持 FAU（光纖陣列單元，F(xiàn)iber Array Unit）的快速更換，并內(nèi)置了一鍵式自動(dòng)校準(zhǔn)功能，僅需 3 分鐘即可完成全部校準(zhǔn)流程 ，極大提升了工廠的整體設(shè)備效率。

軟件靈活性：支持可定制的測(cè)試腳本，支持用戶自定義 Python 腳本，拖拽式 GUI 用于測(cè)試流程編輯，通過(guò)從機(jī) (Slave) 模式進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。

04 CPO測(cè)試——裸芯片級(jí)探針臺(tái)/分選機(jī)/ATE的整套測(cè)試解決方案提供商

在完成了激光器的嚴(yán)格篩選與硅光晶圓的良率驗(yàn)證后，我們迎來(lái)了 CPO 制造工藝中最具挑戰(zhàn)性、價(jià)值密度最高的一環(huán)——光引擎（Optical Engine, OE）的測(cè)試。

光引擎通常通過(guò)臺(tái)積電的COUPE（緊湊型通用光子引擎）等 2.5D/3D 先進(jìn)封裝技術(shù)，將處理光信號(hào)的PIC和驅(qū)動(dòng)控制電信號(hào)的 EIC（包含 TIA 跨阻放大器、Driver驅(qū)動(dòng)器等）通過(guò)微凸塊或者混合鍵合等先進(jìn)封裝手段進(jìn)行極細(xì)間距（Fine Pitch）的互連，最終集成高密度、全功能的超高速光電互聯(lián)系統(tǒng)，單通道速率最高可達(dá)6.4Tbps。

針對(duì)光引擎在不同封裝階段的具體形態(tài)，聯(lián)訊儀器以深入的市場(chǎng)調(diào)研、前瞻性的視野，重磅推出了兩款拳頭設(shè)備：適用OE AST測(cè)試的OPB8201 自動(dòng)化分選機(jī) 與適用OE DLT測(cè)試的OPB8301 高精度探針臺(tái)，全面覆蓋了從“帶尾纖成品”，“帶光學(xué)插座半成品”，以及“裸晶圓切割 Die”等多種測(cè)試場(chǎng)景。聯(lián)訊儀器還提供配合OPB8201和OPB8301的高密度高速ATE SP9000e，聯(lián)訊儀器為極少數(shù)可以提供整套CPO OE測(cè)試解決方案的供應(yīng)商。

聯(lián)訊儀器CPO OE Die測(cè)試方案已經(jīng)獲得國(guó)際頭部CPO客戶訂單。

4.1 OPB8201:CPO OE芯片級(jí)測(cè)試分選系統(tǒng)

在光引擎生產(chǎn)過(guò)程中，光引擎在進(jìn)入最終的基板貼裝前，將預(yù)先安裝光學(xué)插座（Receptacle）以連接可插拔FAU (Detachable-FAU)。針對(duì)這類半成品光引擎，聯(lián)訊儀器提供了主打“全速測(cè)試”的 OPB8201 自動(dòng)化分選機(jī)。

機(jī)械操控的極致藝術(shù)： 這臺(tái)龐大的自動(dòng)化設(shè)備（尺寸：2750mm x 1700mm x 2180mm）擁有極高的機(jī)械柔性與精度。它采用模塊化設(shè)計(jì)，完美兼容業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 Gel-Pak（凝膠盒）、定制化 Tray 盤等多種上下料載具 。其核心的 Pick & Place（拾取與放置）機(jī)械臂，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)下依然能保持驚人的10μm 定位精度。

“軟著陸”與高速電接觸的完美平衡：光引擎的基底極其脆弱，而要傳輸高達(dá) 100G 甚至 200G per lane 的高速信號(hào)，又需要探針與微凸塊之間保持足夠的接觸壓力以降低接觸電阻。OPB8201 創(chuàng)新性地引入了基于空氣阻尼設(shè)計(jì)的專屬測(cè)試插座（Air damper socket based design）。這種插座猶如極具彈性的“安全氣囊”，在提供高達(dá) 20kgf（千克力）定制化雙向接觸壓力的同時(shí) ，實(shí)現(xiàn)了極度平滑的軟著陸，徹底杜絕了微裂紋對(duì)芯片的損傷。

極致的量產(chǎn)吞吐量與品質(zhì)追溯： 設(shè)備內(nèi)部搭載了強(qiáng)大的測(cè)試資源矩陣，最高支持 4 個(gè)工位（Site）的絕對(duì)并行測(cè)試 。在 95% 綜合設(shè)備效率（OEE）的嚴(yán)格測(cè)算下，其單臺(tái)設(shè)備的產(chǎn)出率（UPH）高達(dá)驚人的 570 顆 。同時(shí)，測(cè)試全程處于 25℃ 至 125℃ 的寬溫距主動(dòng)溫控環(huán)境中 ，結(jié)合擁有 30μm 超高分辨率的 6S AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）系統(tǒng) ，以及遍布機(jī)臺(tái)的 QR 和 OCR 字符追蹤系統(tǒng) ，確保每一顆通過(guò)全速驗(yàn)證的光引擎，都擁有一份無(wú)懈可擊、可全生命周期追溯的 KGD 電子護(hù)照。

4.2 OPB8301:CPO OE芯片級(jí)測(cè)試探針臺(tái)

當(dāng)光引擎制程向最前沿演進(jìn)（例如 臺(tái)積電的COUPE 架構(gòu)），光引擎在完成 PIC 與 EIC 的 3D 堆疊并被切割分離（Singulated OE Die）后，往往是一個(gè)既沒(méi)有光學(xué)插座、也沒(méi)有尾纖的純粹“裸 Die”（OE Bare Die without Receptacle）。其表面的電氣微凸塊間距（Fine pitch）甚至縮小到了50μm 量級(jí) 。對(duì)這種形態(tài)的OE裸Die進(jìn)行測(cè)試，被稱為晶粒級(jí)測(cè)試（Die Level Test, DLT）。

雙面探測(cè)，突破異構(gòu)測(cè)試瓶頸：由于芯片極其微小，傳統(tǒng)的探針臺(tái)已無(wú)法支持光電接口異面的芯片。OPB8301 獨(dú)創(chuàng)了雙面探測(cè)技術(shù)（Dual-sided probing）：系統(tǒng)從頂部（Top）精準(zhǔn)下壓高頻電學(xué)探針卡進(jìn)行電氣互連，同時(shí)從底部（Bottom）伸出光學(xué)探頭進(jìn)行光信號(hào)捕獲 。在這一過(guò)程中，通過(guò)極其精密的機(jī)械加工與動(dòng)態(tài)補(bǔ)償算法，設(shè)備能將高難度的上下結(jié)構(gòu)平面度誤差嚴(yán)格控制在20μm以內(nèi)，展現(xiàn)了令人嘆為觀止的系統(tǒng)剛性與幾何精度。

六自由度 Hexapods 與極速 FAU 耦合： 與 OPB8201 類似，OPB8301 也支持 4 工位并行測(cè)試與 20kgf 雙向接觸力 。但其真正的靈魂在于由六自由度并聯(lián)機(jī)構(gòu)（Hexapods）與壓電納米平移臺(tái)（Piezo stage）組成的專屬耦合卡盤（Dedicated chuck）。

支持GC和EC耦合：OPB8301的主動(dòng)耦合算法可支持EC和GC。在對(duì)準(zhǔn)難度高、容差小的端面耦合（EC）場(chǎng)景下，系統(tǒng)僅需約 6 秒即可自動(dòng)完成納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)尋優(yōu)，并將光損耗嚴(yán)格控制在小于0.3dB 以內(nèi)。

整機(jī)綜合能力：配合5μm 的電探針對(duì)準(zhǔn)精度、常高溫、液冷及加熱墊主動(dòng)熱管理系統(tǒng) ，OPB8301 為超細(xì)間距 OE 裸 Die 提供了堪稱完美的測(cè)試環(huán)境。

4.3 SP9000e: 高速高密度CPO ATE

聯(lián)訊儀器基于自身高速測(cè)試儀器的技術(shù)底蘊(yùn)，結(jié)合聯(lián)訊儀器在半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)備開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，已成功開發(fā)適合CPO測(cè)試的高速高密度ATE SP9000e。

它支持最高 12 個(gè)擴(kuò)展插槽（Slots），可根據(jù)客戶需求靈活配置各類高性能板卡資源，單臺(tái)機(jī)箱即可支持最高 4個(gè)測(cè)試工位的完全并行運(yùn)轉(zhuǎn) ：

極致的數(shù)字與控制資源：提供速率高達(dá) 1.6 Gbps 的數(shù)字矢量通道（0.9GVec），并內(nèi)置引腳參數(shù)測(cè)量單元（PPMU）。

澎湃的動(dòng)力源（DPS）：針對(duì) CPO 芯片內(nèi)部復(fù)雜的多核電壓域，設(shè)備可提供單通道 1.2A 乃至高達(dá) 25A 的大電流供電，甚至支持通道級(jí)聯(lián)（Ganged）以滿足極端峰值功耗測(cè)試需求。

sub-nA級(jí)的精密源表（PMU）：集成高精度源測(cè)量單元，其測(cè)量精度深達(dá) sub-nA 級(jí)別，對(duì)任何微小的漏電流和晶體管級(jí)缺陷洞若觀火。

超高頻外部 BERT：直接在 DUT 板級(jí)提供高達(dá) 106 GBaud 的偽隨機(jī)比特序列（PRBS）碼型發(fā)生器與誤碼率（BER）捕獲能力。

另外，在 1.6Tbps 及更高速率的測(cè)試中，即使是幾厘米的同軸線纜，都會(huì)帶來(lái)不可容忍的信號(hào)衰減與相位抖動(dòng)。聯(lián)訊儀器摒棄了傳統(tǒng)的“外接機(jī)柜拉線”模式，創(chuàng)新性地提出了 Tester-on-DUT-board（測(cè)試機(jī)直連待測(cè)板） 架構(gòu) 。

在進(jìn)行 OE DLT 測(cè)試時(shí)，其高速測(cè)試資源板塊將直接與 OPB8301 內(nèi)的探針卡實(shí)現(xiàn)高密度的硬連接（Hard docking）；在進(jìn)行 OE AST 測(cè)試時(shí)，則通過(guò)極短的特制線纜與 OPB8201 內(nèi)部的 DUT 板相連 。這種“儀器貼臉”的設(shè)計(jì)，將信號(hào)鏈路的物理長(zhǎng)度壓縮到了極致，最大程度保全了高頻射頻信號(hào)的完整性。

結(jié)語(yǔ)：聯(lián)訊儀器——CPO 產(chǎn)業(yè)的積極推動(dòng)者

共封裝光學(xué)（CPO）正驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體與光通信產(chǎn)業(yè)鏈的深度融合。作為測(cè)試解決方案提供商，聯(lián)訊儀器深知在先進(jìn)封裝體系中，高可靠性的測(cè)試是保障良率與控制成本的核心。聯(lián)訊儀器通過(guò)自主研發(fā)的CPO OE探針臺(tái)與分選機(jī)系統(tǒng)、高性能獨(dú)立儀表以及模塊化ATE測(cè)試平臺(tái)，覆蓋了CPO生產(chǎn)測(cè)試中的多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。我們致力于為全球客戶提供具備成本效益、可平滑演進(jìn)的量產(chǎn)測(cè)試方案。聯(lián)訊儀器愿與全球合作伙伴同行，共同應(yīng)對(duì)算力光網(wǎng)時(shí)代的測(cè)試挑戰(zhàn)。

審核編輯 黃宇