MMIC 26 - 32GHz 三平衡混頻器芯片 ADH1015S 設(shè)計(jì)詳解
在當(dāng)今的射頻和微波應(yīng)用中,混頻器是至關(guān)重要的組件。今天,我們來深入了解一款高性能的 MMIC 三平衡混頻器芯片——ADH1015S,它工作在 26 - 32GHz 頻段,適用于空間級(jí)應(yīng)用。
文件下載:ADH1015S.pdf
一、規(guī)格概述
本規(guī)格書詳細(xì)規(guī)定了符合 MIL - PRF - 38534 類 K 標(biāo)準(zhǔn)的空間級(jí)芯片的要求,但有部分內(nèi)容在此處做了修改。同時(shí),《SPACE DIE BROCHURE》中描述的制造流程也被視為本規(guī)格書的一部分。這里重點(diǎn)介紹的是該產(chǎn)品的空間級(jí)版本,若想了解商業(yè)級(jí)產(chǎn)品的更詳細(xì)操作說明和完整數(shù)據(jù)手冊,可訪問 www.analog.com/HMC1015。
二、產(chǎn)品編號(hào)
本規(guī)格書對應(yīng)的完整產(chǎn)品編號(hào)為 HMC8805,其描述為“MMIC 三平衡混頻器 26 - 32GHz 芯片”。
三、芯片信息
3.1 芯片尺寸
芯片尺寸為 43.3 密耳 x 44.9 密耳,厚度為 4 密耳 ± 0.5 密耳,鍵合焊盤和背面金屬化材料為金(Au)。
3.2 芯片引腳及連接說明
芯片有三個(gè)主要引腳:
- RF(交流耦合,匹配到 50 歐姆)
- IF(交流耦合,匹配到 50 歐姆)
- LO(交流耦合,匹配到 50 歐姆)
背面必須連接到 RF/DC 地,未標(biāo)記的鍵合焊盤無需連接。
3.3 絕對最大額定值
參數(shù) 數(shù)值 RF/IF 輸入(LO = +18dBm) +15.5 dBm LO 驅(qū)動(dòng) +20 dBm 最大結(jié)溫 150°C 連續(xù)功耗(TA = 85°C,85°C 以上以 2.5mW/°C 降額) 79 mW 熱阻(結(jié)到芯片底部) 392°C/W 環(huán)境工作溫度范圍(TA) -40°C 到 +85°C 存儲(chǔ)溫度 -65°C 到 +125°C
需要注意的是,超過絕對最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)對器件造成永久性損壞,在最大水平下長時(shí)間運(yùn)行可能會(huì)降低性能并影響可靠性。
四、芯片鑒定
芯片鑒定按照 MIL - PRF - 38534 的 K 類版本、附錄 C、表 C - II 進(jìn)行,但有以下修改:
- 芯片鑒定前需要進(jìn)行預(yù)篩選測試,以去除所有與組裝相關(guān)的不合格品。
- 不進(jìn)行機(jī)械沖擊或恒定加速度測試,芯片鑒定在開放式載體中進(jìn)行。
- 中間和老化后的電氣測試僅包括在 +25°C 下進(jìn)行的靜態(tài)測試。
4.1 芯片電氣特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 50Ω 系統(tǒng) | 極限最小值 | 極限最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 轉(zhuǎn)換損耗 | CL | RF = 26 - 32 GHz,IF = 16 - 22 GHz,LO = 7 - 11 GHz | 13 | dB | ||
| LO 到 RF 隔離度 | IsoLO - RF | RF = 26 - 32 GHz,IF = 16 - 22 GHz,LO = 7 - 11 GHz | 30 | dB | ||
| LO 到 IF 隔離度 | IsoLO - IF | RF = 26 - 32 GHz,IF = 16 - 22 GHz,LO = 7 - 11 GHz | 28 | dB | ||
| 2LO 到 IF 隔離度 | Iso2LO - IF | RF = 26 - 32 GHz,IF = 16 - 22 GHz,LO = 7 - 11 GHz | 41 | dB | ||
| RF 到 IF 隔離度 | IsoRF - IF | RF = 26 - 32 GHz,IF = 16 - 22 GHz,LO = 7 - 11 GHz | 29 | dB |
這些極限值僅適用于 +25°C,且僅作為上變頻器進(jìn)行測試。S 參數(shù)數(shù)據(jù)需要按照特定頻率進(jìn)行掃描和列表記錄。
4.2 鑒定樣品電氣特性
在 - 40°C ≤ TA ≤ 85°C(除非另有說明)的 50 歐姆系統(tǒng)中,還對鑒定樣品的多個(gè)參數(shù)進(jìn)行了規(guī)定,包括轉(zhuǎn)換損耗、各種隔離度、輸入三階截點(diǎn)和輸入 1dB 壓縮點(diǎn)等。預(yù)老化和老化后的電氣測試僅需要進(jìn)行 S 參數(shù)測試,最終電氣測試需要納入功率測試,且僅最終電氣測試需要進(jìn)行溫度測試。同樣,S 參數(shù)數(shù)據(jù)和 IP3、P1dB 數(shù)據(jù)也需要按照特定頻率進(jìn)行掃描和列表記錄。
4.3 端點(diǎn)和增量極限(+25°C)
對于轉(zhuǎn)換損耗,在子組 4 中,端點(diǎn)最大值為 13dB,增量為 ±1.0dB。同時(shí)要注意,表 II 的極限值不會(huì)被超過,240 小時(shí)老化和 C 組端點(diǎn)電氣參數(shù)的增量在 TA = 25°C 下進(jìn)行。
五、芯片外形
芯片的引腳連接和前面所述一致,需要注意的是所有尺寸單位為英寸(毫米),芯片厚度為 0.004 英寸,背面金屬為接地,未標(biāo)記的鍵合焊盤無需連接,整體芯片尺寸公差為 ±0.002 英寸。
通過對 ADH1015S 芯片的詳細(xì)了解,我們可以看到它在 26 - 32GHz 頻段具有良好的性能和嚴(yán)格的規(guī)格要求。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師們需要根據(jù)這些參數(shù)和要求,合理選擇和使用該芯片,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。你在使用類似芯片時(shí)遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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