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TPS54202H降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊用戶指南解讀

chencui ? 2026-04-24 12:45 ? 次閱讀
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TPS54202H降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊用戶指南解讀

在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。今天,我們將深入探討德州儀器Texas Instruments)的TPS54202H降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊(TPS54202HEVM - 716),為各位電子工程師提供詳細的技術(shù)分析和設(shè)計參考。

文件下載:TPS54202HEVM-716.pdf

1. 背景介紹

1.1 TPS54202H簡介

TPS54202H是一款直流 - 直流(dc/dc轉(zhuǎn)換器,能夠在4.2V至28V的輸入電壓源下提供高達2A的輸出電流。其內(nèi)部集成了高端和低端MOSFET以及門驅(qū)動電路,MOSFET的低漏源導(dǎo)通電阻使得該轉(zhuǎn)換器能夠?qū)崿F(xiàn)高效率,并在高輸出電流時保持較低的結(jié)溫。開關(guān)頻率內(nèi)部設(shè)定為標(biāo)稱500kHz,補償組件集成在集成電路(IC)中,通過外部分壓器可實現(xiàn)輸出電壓的可調(diào)。此外,TPS54202H還提供可調(diào)的欠壓鎖定輸入。評估模塊的絕對最大輸入電壓為30V。

1.2 性能規(guī)格總結(jié)

規(guī)格 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
VIN工作電壓范圍 4.2 24 28 V
VIN啟動電壓 4.2 V
VIN停止電壓 3.7 V
輸出電壓設(shè)定點 5 V
輸出電流范圍 VIN = 4.2V至28V 0 2 A
線性調(diào)整率 IO = 1A,VIN = 8V至28V ±0.5%
負載調(diào)整率 VIN = 12V,IO = 0A至2A ±0.5%
負載瞬態(tài)響應(yīng)(IO = 0.5A至1.5A)
- 電壓變化 -150 mV
- 恢復(fù)時間 150 μs
負載瞬態(tài)響應(yīng)(IO = 1.5A至0.5A)
- 電壓變化 150 mV
- 恢復(fù)時間 150 μs
輸入紋波電壓 IO = 2A 400 mVPP
輸出紋波電壓 IO = 2A <30 mVPP
輸出上升時間 5 ms
中心工作頻率 500 kHz
最大效率 TPS54202HEVM - 716,VIN = 12V,IO = 1A 94.06%

1.3 模塊修改

1.3.1 輸出電壓設(shè)定點

通過改變電阻R3的值可以調(diào)整評估模塊的輸出電壓。計算公式為: [R 3=frac{R 2 × 0.596 V}{V{OUT }-0.596 V}] 其中R2取值100kΩ。表1 - 3列出了一些常見輸出電壓對應(yīng)的R2和R3值。需要注意的是,輸入電壓 (V{IN}) 必須在一定范圍內(nèi),以確保最小導(dǎo)通時間大于150ns。

1.3.2 輸出電容和前饋電容

為了保證環(huán)路穩(wěn)定性,在不考慮前饋電容C8的情況下,選擇交叉頻率小于40kHz。交叉頻率的簡單估算公式為: [f{o}=frac{3.95}{V{OUT } × C{OUT }}] 當(dāng)輸出電容 (C{OUT}) 主要為低等效串聯(lián)電阻(ESR)的陶瓷電容時,可能會導(dǎo)致低相位裕度。為了提高相位裕度,可以在R2上并聯(lián)一個外部前饋電容C8,其計算公式為: [C 8=frac{1}{2 pi f{0}} × frac{1}{R{2}}] 對于本設(shè)計, (C 8 = 75pF) 。當(dāng) (C{OUT}) 具有高ESR時,不需要C8;當(dāng) (C{OUT}) 具有中等ESR時,應(yīng)減小根據(jù)公式計算得到的C8值。

1.3.3 使能(ENABLE)

EN引腳到地之間有一個內(nèi)部1MΩ的電阻,因此可以將EN引腳浮空來關(guān)閉芯片。為了使能芯片,需要在VIN和EN之間連接一個上拉電阻(范圍為200kΩ至1MΩ,典型值為510kΩ),以限制EN輸入電流,提高輕載效率。

2. 測試設(shè)置與結(jié)果

2.1 輸入/輸出連接

TPS54202HEVM - 716提供了輸入/輸出連接器測試點。必須使用一對20 - AWG的電線將能夠提供2A電流的電源連接到J1,負載則通過另一對20 - AWG的電線連接到J2。為了充分發(fā)揮評估模塊的性能,負載的最大電流能力至少應(yīng)為3A。同時,應(yīng)盡量縮短電線長度,以減少電線中的損耗。測試點TP1用于監(jiān)測輸入電壓 (V_{IN}) ,TP2作為接地參考;TP6用于監(jiān)測輸出電壓,TP7作為接地參考。

2.2 效率

評估模塊的效率在負載電流約為0.5A - 1A時達到峰值,然后隨著負載電流接近滿載而降低。在較高的環(huán)境溫度下,由于內(nèi)部MOSFET的漏源電阻隨溫度變化,效率可能會降低。

2.3 輸出電壓負載調(diào)整率

在環(huán)境溫度為25°C時,對輸出電壓負載調(diào)整率進行了測試。結(jié)果表明,在不同的輸入電壓和輸出電流條件下,負載調(diào)整率保持在±0.5%以內(nèi)。

2.4 輸出電壓線性調(diào)整率

同樣在25°C的環(huán)境溫度下,測試了輸出電壓線性調(diào)整率。當(dāng)輸出電流為1A,輸入電壓在8V至28V之間變化時,線性調(diào)整率也在±0.5%以內(nèi)。

2.5 負載瞬態(tài)響應(yīng)

在24V輸入電壓下,當(dāng)負載電流從25%躍變到75%的最大額定負載時,輸出電壓的總峰 - 峰電壓變化包括紋波和噪聲。

2.6 輸出電壓紋波

分別測試了滿載、跳模式、輕載和無負載情況下的輸出電壓紋波。紋波電壓直接在輸出電容兩端測量。

2.7 輸入電壓紋波

當(dāng)輸出電流為額定滿載2A,輸入電壓 (V_{IN}) 為24V時,測量了輸入電壓紋波。紋波電壓直接在輸入電容兩端測量。

2.8 上電

當(dāng)輸入電壓達到欠壓鎖定(UVLO)閾值時,輸出電壓開始上升;或者通過在EN和地之間施加3.3V邏輯信號來抑制輸出,當(dāng)EN電壓達到使能閾值電壓時,啟動序列開始,輸出電壓上升到外部設(shè)定的5V。

2.9 斷電

當(dāng)輸入電壓低于UVLO停止閾值時,輸出電壓下降;或者通過在EN和地之間施加3.3V邏輯信號來抑制輸出。

3. 電路板布局

TPS54202HEVM - 716的電路板布局采用了典型的用戶應(yīng)用方式。頂層包含 (V{IN}) 、 (Vout) 和SW的主要電源走線,以及TPS54202H其余引腳的連接和大面積的接地區(qū)域。為了將主輸入旁路電容盡可能靠近 (V{IN}) 和GND引腳放置,SW走線在引腳3連接處立即路由到底層,并在L1電感和C4自舉電容處路由回頂層。底層包含一個接地平面和SW的銅填充區(qū)域,以及連接電壓設(shè)定點分壓器上電阻到J2輸出連接器調(diào)節(jié)點的蝕刻走線,和連接UVLO設(shè)定點分壓器網(wǎng)絡(luò)上電阻到 (VIN) 的走線。頂層接地區(qū)域通過多個過孔與底層和內(nèi)部接地平面相連,為頂層接地區(qū)域提供熱路徑。輸入去耦電容(C2和C1)和自舉電容(C4)都盡可能靠近IC放置,電壓設(shè)定點電阻分壓器組件也保持靠近IC。

4. 原理圖和物料清單

4.1 原理圖

提供了TPS54202HEVM - 716的詳細原理圖,清晰展示了各個組件的連接關(guān)系。

4.2 物料清單

列出了評估模塊所需的所有組件,包括電容、電阻、電感、連接器、測試點等的詳細信息,如數(shù)量、值、描述、封裝、參考零件編號和制造商等。

總結(jié)

TPS54202H降壓轉(zhuǎn)換器評估模塊具有高性能、高效率和易于修改的特點,適用于各種電源管理應(yīng)用。通過本文的詳細介紹,相信各位電子工程師對該評估模塊有了更深入的了解。在實際設(shè)計中,我們可以根據(jù)具體需求對模塊進行適當(dāng)?shù)男薷暮驼{(diào)整,以滿足不同的應(yīng)用場景。你在使用類似電源管理模塊時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。

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